利用霍尔元件测量空心铜管的线膨胀系数

膨胀系数用于表征固体材料的物理属性,具有广泛的科研和实践意义.为了减少物理量的测量个数、提高测量精度,根据霍尔元件在梯度磁场中的位移与霍尔电压的线性关系,提出了一种新的利用霍尔元件测量空心铜管线膨胀系数的实验方法.通过该方法测得一定温度范围内（20.6℃-70.6℃）空心铜管的线膨胀系数为1.6747×10-5/℃,与理论值1.67×10-5/℃相比,相对误差仅为0.27％,表明该测量方法具有较好的理论与实际应用价值.     

CoFeB/Pt反常霍尔效应标度关系的研究

本文研究了磁控溅射法制备的CoFeB/Pt薄膜的反常霍尔效应.通过测量不同温度下（5-300K）的反常霍尔效应,系统研究了反常霍尔效应的标度关系,发现反常霍尔系数RS与纵向电阻率ρxx之间的关系满足RS=aρxx＋bρ2xx,当CoFeB较薄时,Skew-Scattering机制对反常霍尔效应的贡献占主导地位,随者CoFeB厚度的增加,反常霍尔效应的物理机制过渡为SideJump机制.     

氧化物超导体BiSrCaCuO的霍尔效应

对名义组分为BiSrCaCu_2O_y的超导氧化物进行了霍尔系数、直流电阻率和磁阻测量。发现霍尔系数为正,且当样品处于正常态时它保持不变。由此算得的载流子浓度约为36.×10~(21)/cm~3。结合正常态时线性的的电阻-温度关系,作者认为此材料的能带结构可能属于类自由空穴型的简单带结构。还对颗粒超导电性的问题进行了讨论。     

霍尔效应实验浅探

霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要试验方法。通过研究，对不同样品的霍尔系数的测量方法以及数据误差分析等方面进行了探讨，提出了形状不规则以及材料不均匀的半导体的霍尔系数的测量方法。     

两种落针法测量液体粘滞系数实验方法比较

用一种新的霍尔传感器测量液体的粘滞系数,运用传统电子表和霍尔传感器测量粘滞系数进行比较.结果表明霍尔传感器测量液体的粘滞系数更好地消除了系统误差.这使学生实验更加方便,又提高了实验的准确性.     

基于霍尔效应的雷电磁场测量装置

为了解决雷电磁场测量的二维局限性问题,利用霍尔效应原理,设计出一种新型雷电磁场测量装置。在三维正交的空间支架3个轴上,分别安置相互正交的霍尔元件,测量时为测量装置的电路和霍尔元件分别通上工作电流,将霍尔元件置于待测磁场中的指定测试点。根据所测霍尔元件的电压、霍尔系数以及霍尔元件工作电流,可以在3个正交方向上分别确定所述待测量磁场分量的大小,然后求出该点的总磁场方向和大小。此测量装置线路设计简单,可以放置在室外进行测量,具有成本低、安装方便、可直流电源供电和信号噪声小等特点,提高了雷电磁场测量的便捷性。     

微磁检测中表面切向磁场强度的线性外推测量方法

表面切向磁场强度是微磁检测中磁特征信号的重要解析标度,其测量精度直接影响微磁检测结果的精度.提出利用霍尔元件阵列同步测取不同提离位置的切向磁场强度,基于线性外推原理准确测量表面的切向磁场强度的新方法.采用有限元仿真优化设计出磁场调整结构,放置于微磁传感器U型磁芯内跨距,可降低切向磁场强度沿提离方向的变化速率,提升线性外推法的精度并抑制提离波动对测量结果的影响.在65Mn钢板中进行的实验测试结果表明,相比电流估算法和单一霍尔元件测量法,应用线性外推法时传感器对磁滞回线的测量精度更高.此外,当磁芯与试件表面的提离处于0～0.5mm范围时,应用线性外推法时传感器对65Mn钢板磁特性参数(饱和磁感应强度和剩余磁感应强度)的测量误差均小于1.13%.     

霍尔效应及其副效应的深入研究

基于亥姆霍兹线圈中轴线中心点处的磁场,对霍尔效应及其副效应进行了深入研究,详细讨论了不等位效应、能斯特效应和里吉-勒迪克效应对测量结果的影响,其中不等位效应对测量结果影响很大,必须改变磁场的方向予以消除;斯特效应和里吉-勒迪克效应对测量结果影响较小,须从理论上讲清机理,没有必要刻意去消除。进一步推导出了真空磁导率的实验公式,并实验测量了真空磁导率在保留4位有效数字时的近似值,结果与理论值的相对误差为0. 08%。     

室温下金属铝膜的霍尔效应初步研究

采用真空蒸发镀膜法制备了金属铝薄膜,在室温下,用四探针法测量了样品的电阻率和霍尔系数。结果表明,制成的金属铝膜,电阻率由块体材料的10^-8Ω·m 增大到薄膜样品的10^-5Ω·m;霍尔系数由块体材料的10^-11m³/C数量级左右增大到10^-4m³/C数量级;电阻率和霍尔系数随着金属铝膜厚度的减小而逐渐增大。     

p型半导体霍尔系数极值新结论的理论与实验验证

用文献「４」中的理论和实验结果论证了本文作者在１９８７年首先采用新的方法求解ｐ型半导体在过渡温度范围的霍尔系数极值所得到的一系列新结论。理论和实验验证结果的一致证明了新的霍尔系数极值是正确的。作者提出了采用霍尔极值因数来表征不同半导体材料的霍尔特性及测量载流子迁移率之比值的新方法。     

单片机构成的磁场测量仪的研制

介绍一种单片机构成磁场测量仪的工作原理和组成特点。实现自动对螺线管内逐点霍尔电压和磁场强度的数据测量以及显示磁场曲线分布情况。该测量仪器实现了物理实验仪器智能化,操作方便。实验直观性强、集成化程度高,测量结果与理论计算吻合得很好。     

用霍尔效应实验仪测量周围环境磁场的探究

在原霍尔效应实验的基础上,运用磁场叠加原理,提出用作差法和电位调零法来测量霍尔电压,这两种方法不仅能够消除不等位电势差与环境因素对霍尔效应实验的影响,还能够很好地测量外界环境磁场在霍尔片所在位置处的磁感应强度的大小.     

无线移动霍尔效应高斯计的设计

应用遥控电动小车和集成线性霍尔芯片及数据采集芯片,根据霍尔效应原理设计了车载无线高斯计磁场测量系统,在PC微机控制下对较远距离磁场进行了遥控测量和数据处理.采用FSK无线收发模块电路对二进制数据流进行调制和解调,实现了小车遥控系统、高斯计测量系统与PC微机之间串行异步数据的无线传输和命令交互.     

霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法

简述了霍尔效应的基本原理,分析了利用霍尔效应测量半导体特性参数中影响结果的重要副效应,给出了减小或消除这些副效应的方法,并设计出测试电路。     

基于霍尔传感器的随动检测系统设计与实现

提出了一种基于霍尔传感器的随动检测系统的设计。着重阐述了霍尔传感器的工作原理和随动检测系统的结构、数学建模及其分析,比对系统的静态、动态测试数据与参考信号,表明该系统可以克服霍尔传感器的检测范围小、磁场强度要求均匀、线性度差等缺点,完全满足于对微小位移变化的高精度测量。     

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77—400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为1g（｜RH｜T^3/2）-1／T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。     

霍尔效应在无刷直流电机控制中的应用

霍尔效应是非常重要的磁电效应,霍尔效应原理广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面,文中在简单介绍霍尔效应原理和直流无刷电机控制原理的基础上,结合无刷直流电动机中使用的霍尔位置传感器,说明了霍尔位置传感器控制无刷直流电机的工作原理,阐述了无刷直流电机中应用的霍尔位置传感器的基本特性和霍尔位置传感器组必须满足的条件。最后对霍尔位置传感器的应用进行了展望,说明了霍尔位置传感器具有较广泛的用途。     

基于金刚石对顶砧的原位高压霍尔效应技术研究

本文利用金刚石对顶砧和集成技术,建立了原位高压霍尔效应测量方法.通过对Zn Te的高压霍尔效应测量,发现在压力的作用下,电导率随压力增加而增加,但是,不同相的电导率随压力增加的机制却是不一样的,对于闪锌矿相的Zn Te,在常压到6.59 GPa范围内,由于载流子浓度和迁移率同时增加引起了电导率随压力增加而增加,但迁移率的增加对电导率增加的影响大于载流子浓度的增加对电导率增加的影响,而在6.59~9.73 GPa范围内,电导率随压力增加而增加的主要原因是载流子浓度随压力的增加所引起,而且朱砂相和Cmcm相的电导率的增加原因同样是由于载流子浓度的增加所引起.     

n-型锗的磁阻与能带结构

本文讨论了测量磁阻的实验方法及其与能带结构的关系;测量了取向(110)的n型锗单晶在0—7000高斯范围内弱场磁阻随磁场强度和温度变化的关系;还测量了霍耳效应和电导率。在略去高于磁场强度二次项的情况下,从实验结果计算出立方对称晶体唯象公式中的诸参数。这些结果表明锗导带能谷不在布里渊区中心,且具有非球形对称等能面。     

超大折射率对光子自旋霍尔效应的影响

本文研究了具有超大折射率的各向异性介质表面所发生的光子自旋霍尔效应,从理论上模拟了光自旋霍尔效应所产生的横移.结果表明,通过改变介质的折射率,我们可以很好的对此横移进行调控,横移的调控范围很大.H偏振分量的重心横移在负数到正数范围内可连续变化,V偏振分量的重心横移在此范围内不能连续变化.同时,H偏振分量的重心横移的调控范围远大于V偏振分量的重心横移的调控范围.因此,利用各向异性超大折射率介质来调控光子自旋霍尔效应对于未来的新型光子器件的诞生可以奠定良好的基础.