首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   22篇
  免费   0篇
综合类   22篇
  2015年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2008年   1篇
  2007年   4篇
  2006年   1篇
  2000年   2篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1990年   2篇
  1989年   1篇
  1988年   2篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
针对大规模VRP配送问题,提出一种配送区域划分的启发式-模拟退火混合搜索算法.针对GIS中实际路网建立路网数学模型,并在大规模VRP路径规划问题研究中与实际GIS路网相融合.对配送路径规划问题提出一种结合GIS模型约束的启发式路径搜索算法.对杭州市某配送区域实际问题求解并与另一种启发式算法对比,验证了算法的有效性.  相似文献   
2.
本文测定了糖精钴二水化物的电子吸收谱。利用该晶体的结构数据,在配位场理论的点电荷—点偶极子模型下,应用非自由态钴(Ⅱ)的径向波函数计算了该晶体的d-d跃迁谱。计算结果与实测电子吸收谱比较符合。  相似文献   
3.
说明了HYTECH工具中采用的参数分析方法对系统描述能力的限制,提出了分离参数变量和系统状态变量的符号模型检查算法,并对用HYTECH不能分析的Fischer互斥算法的时钟偏移的界进行了分析。  相似文献   
4.
不同温度对夏枯草种子发芽的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
设置5种温度对夏枯草种子进行发芽试验,根据不同温度下的发芽率、发芽势、最初萌发时间等指标,探讨夏枯草种子发芽的最适温度.结果表明,温度对夏枯草种子的发芽率、发芽势、发芽指数有显著影响,种子的发芽最初萌发时间随温度的升高先缩短而后又延长,发芽势在21℃培养温度下达最高值为39.0%,夏枯草种子发芽最适温度为21℃.  相似文献   
5.
1 引言在探索高温超导体的研究中,为进一步提高T_c和扩大超导体的体系,最广泛应用的是元素替代的方法,如C.W.Chu et al.和赵忠贤等把Ba—La—Cu—O中的Ba用Sr替代,分别将T_c从30K左右提高到40.2K和48.6K;M.K.Wu et al.和赵忠贤等用Y替代La,首次得到了液氮温区的超导体系Ba—Y—Cu—O;此外,人们还用多种稀土元  相似文献   
6.
采用脉冲激光沉积方法(PLD)在不同温度的Si(100)衬底上制备了Gd2O3栅介质薄膜,利用X射线衍射、X射线反射率以及光电子能谱等方法对它的结构、组成以及价带偏移等进行了研究.结果表明:衬底温度为300℃时,Gd2O3薄膜呈非晶态;当衬底温度为650℃时,形成单斜相的Gd2O3薄膜.XPS和XRR 结果确定其界面主要是由于界面反应形成的钆硅酸盐.通过XPS分析得到Gd2O3与Si之间的价带偏移为(-2.28±0.1)eV.  相似文献   
7.
用高分辨微区同步辐射X射线衍射研究了PbTiO3-CoFe2O4组合材料样品库晶嵌:结构随成分的变化,发现在80%PbTiO3成分附近存在着一个由外延应力引起的狭窄立方相区.分析表明,正是此相区的存在造成了该区域介电常数、非线性介电常数和磁电系数异常的增大.  相似文献   
8.
介绍了国家同步辐射实验室二期工程X射线衍射和散射光束线实验站的建设与主要设备.利用设备采用X射线反射法,在不破坏样品的情况下得到了Si/C多层膜的结构信息;通过对标准Si粉末样品的FWHM测试表明该站可进行粉末全谱扫描;利用X射线掠入射衍射技术分析了ZnO薄膜的生长条件与结构的关系;采用X射线散斑方法直接观测了弛豫铁电体内部的纳米空间尺度的电极化团簇的空间时间构造.  相似文献   
9.
术文报告了[Cu(C_7H_4NO_3S)_2(H_2O)_4]·2H_2O 晶体的电子吸收光谱和ESR谱的测定结果。并利用配位场理论和非自由CuⅡ离子的径向波函数对实验结果进行了定最的讨论。该化合物的电子结构与其晶体结构存在密切的关联性。  相似文献   
10.
X射线衍射和散射光束线设计   总被引:7,自引:3,他引:4  
介绍了装备在合肥扭摆磁铁光源上一条X射线光束线的设计,包括光学系统,设计参数,光束线上的两台主要设备前置环面聚焦镜和双晶单色仪.该光束线建成后将用于生物大分子晶体结构分析、高分辨X射线粉末和单晶衍射、多层膜结构以及在特殊条件下的X射线衍射与散射研究  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号