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| N型锑化铟的电导率,霍尔效应和横向磁阻效应 | |
| 引用本文： | 邓树森,侯英民,孟宪章.N型锑化铟的电导率,霍尔效应和横向磁阻效应[J].吉林大学学报(理学版),1965(3). |
| 作者姓名： | 邓树森 侯英民 孟宪章 |
| 作者单位： | 吉林大学，吉林大学 1965年毕业生，1965年毕业生 |
| 摘 要： | 在77-400°K的范围内,测量了N型InSb的电导率和霍尔系数.从结果的分析中,给出电子迁移率、禁带宽度和本征载流子浓度.在三个固定的温度下,在磁场强度500-8000G范围内,测量了霍尔系数和横向磁阻随磁场强度的变化,并对得到的结果进行了解释. |
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