过渡金属原子在半导体表面上化学吸附理论

本文研究了过渡金属原子d轨道同衬底半导体SP杂化轨道之间存在两种不同耦合系数的化学吸附问题，采用自洽的格林函数方法，计算了吸附原子d电子在强、弱耦合态的占据数，化学吸附能、电荷转移及磁性解磁矩。     

稀磁合金的混合效应与局域磁矩

本文基于Andersons－d混合模型和Falicovs-d库仑互作用模型，利用格林函数方法，得到局域态电子占有数平均值的自洽方程，用数字方法求解这个自洽方程，定量地分析在给定不同的参数下，局域态电子占有数平均值和局域磁矩．     

锯齿型石墨烯纳米带边界态

基于Kane-Mele紧束缚模型,在包含自旋轨道耦合作用和塞曼作用项后,我们又引入更为合理的自洽在位库仑相互作用,分析研究各相互作用项对边界带的能带结构和电子分布特征的影响.研究结果表明,自旋轨道耦合作用导致自旋简并劈裂出现非常小的能隙,自洽在位库仑相互作用可使能隙增加,边界带范围增加,而塞曼效应却能保护边界带原有的拓扑属性,使边界带穿过能隙,同时也保护边界态在局域边界的自旋极化特征;4个边界能带由左右两组边界子能带系构成,各边界子能带系在费米能处形成左右能隙和费米波矢,其自旋量子霍尔系统构型属于B型.     

LiCoO2的体态几何与电子结构的理论研究

采用基于局域密度泛函理论和第一性原理赝势法,选择GGA交换关联势,使用自洽投影缀加平面波方法,对锂离子电池正极材料LiCoO2的原子几何结构与电子结构进行了理论研究.给出了其结构--总体态密度与分波态密度、电荷密度分布以及能带结构等,并对三种超晶胞模型进行了简要对比研究.计算结果表明三种模型在计算上是等价的;完全驰豫后所得的晶体结构、晶格常数、电子结构及能带结构等都与其他方法的计算结果以及实验值符合良好.     

B_1结构WC和MoC自洽能带计算与超导电性

用Kohn—Sham局域密度泛函理论(LDF),原子球近似(ASA)和线性化丸盒轨道方法(LMTO)计算了具有以B_1结构的WC和MoC的自洽能带,总态密度(TDOS),分波态密度(PDOS)和不可约布里渊区的费米面。利用所得的参数(自洽晶体势,费米面处的总态密度与分波态密度),按McMillan强耦合超导理论及Gaspari—Gyorffy刚性离子近似,计算了WC和MoC的电子—离子相互作用常数η,电子质量增强因子λ和超导转变温度Tc。计算结果与实验值大致相符。     

[Cu(H_2O)_2(en)][SO_4]晶体的局域结构和吸收光谱研究

根据赵敏光等提出的半自洽3d轨道模型和点电荷模型,建立了过渡金属离子晶体的局域结构与吸收光谱之间的定量关系,对[Cu（H2O）2（en）][SO4]晶体的局域结构和吸收光谱进行了统一解释,还预测了其EPR谱的值．其理论计算结果与实验观测值符合．     

发展实空间格林函数理论研究铜替位铁基超导

基于格林函数运动方程,发展了一套新的实空间多轨道格林函数方法,能够在实空间内对所有格点和轨道的格林函数进行同步求解,因此适用于研究因掺杂和空位等引入了无序效应的多轨道强关联体系.在文章中,讨论了如何合理地对多轨道体系的高阶格林函数进行截断近似,并详细介绍了在实空间开展矩阵化自洽求解时所需引入的数值计算技术方法.利用这一方法研究了用于描述铜替位掺杂的铁基超导的非均匀三轨道Hubbard模型,并重点探讨铜杂质对轨道选择莫特相变的影响.在轨道选择莫特相变中,只有d_(xy)轨道会发生莫特金属-绝缘体相变,而简并的d_(xz/yz)轨道仍然处于金属相.我们的计算结果显示,掺杂可以在d_(xy)轨道的莫特能隙中引入局域的隙间态,从而会显著提高发生轨道选择相变的洪德耦合临界值J_c.     

H在含杂过渡金属表面化学吸附的DV—X_α方法研究

本文把量子化学中的DV—X_α方法运用于掺杂过渡金属表面化学吸附的研究。用此方法计算了H在含杂W(100)面顶位吸附的电子结构、吸附体系的分子轨道能级和电子态密度以及杂质原子Re和Ta对化学吸附的影响。     

NO在Rh(100)与(111)表面上吸附理论研究

基于slab模型,采用密度泛函理论研究了NO在Rh(100)和(111)表面上吸附的几何与电子结构.结果表明,在开放的(100)面和密堆积的(111)面上,优势吸附位分别是桥位和hcp位.在两表面上的优势吸附结构中,NO的吸附主要是其1π和5σ轨道分别与Rh的5s和4d态混合的结果.NO分子吸附后,均存在两种相同的电荷迁移过程:即NO的1π和5σ电子向金属表面的转移以及金属表面电子向NO的2π轨道上的反馈.这两种电子迁移均使得N-O键被活化,N-O键被消弱,N-O键长增加.     

异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用

由半导体的LMTO能带计算平均健能E_1,并以平均键能E_1作为参考能级计算共阴离子异质结的△E值.在LMTO能带计算中采用不同处理d态的计算方法,系统地研究d态在△E,理论计算中的作用,研究结果表明,d态对主要能带的杂化程度显著地影响△E值;适当处理d态之后,以E为参考能级的△E计算方法可以得到接近于界面自洽方法(SCIC或SCSC)的准确结果。     

过渡金属表面的成键特性及与几何结构的关联

提出了按第一与第二近邻微环境分类表面原子的方法,根据表面原子与体相原子近邻微环境的差异提出了表面原子轨道成键强度的概念,编写了相应的计算程序.这样,金属表面的化学吸附与催化性能可直观地与表面原子的几何特性相联系.这一方法也有助于建立过渡金属表面与原子簇的化学活性的关联.     

结构可靠度计算的Gauss-Hermite积分方法

高精度的可靠度计算方法是结构可靠度研究的基本内容之一，根据结构失效概率取决于失效面上验算点区域局部特性的特点，应用高效的Gauss-Hermite积分，研究了结构失效概率的计算问题，分析方法为在标准正态空间内对坐标轴进行旋转，使第n个坐标轴通过验算点且正交于极限状态曲面，然后在新的坐标系内布置Gauss-Hermite积分的节点并进行计算，由于Gauss-Hermite积分的高效性，一般情况下每一个坐标轴只需布3或5个点即能获得较好的计算结果，通过两个算例说明了上述方法的可行性，该方法既可用于精确计算结构的失效概率，也可用于其他各种可靠度近似方法计算结果的校核。     

钨酸钡电子结构的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,优化了晶胞的几何结构,计算了白钨矿结构的BaWO4基态的能带结构和电子结构;研究发现:BaWO4为直接带隙结构,带隙宽带为4.5 eV,费米面处的价带主要由W5p和O2p态上电子构成,导带主要是W5d和O2p;根据晶体场理论和分子轨道理论分析了钨酸钡晶体的分子轨道成键,其结果与计算得到的态密度图能较好吻合。关键词:     

求解复杂约束条件下最优控制问题的分段低阶Gauss伪谱法

针对含有复杂约束条件的最优控制问题,提出分段低阶Gauss伪谱法。以常规Gauss伪谱法为基础,划分时间区间,在子区间上利用低阶Gauss数值积分离散Bolza型性能指标,利用插值型数值积分的性质离散状态微分方程,利用低阶Gauss伪谱法处理复杂约束条件,得到对应的非线性规划。对状态轨线或控制函数较复杂的情形,该方法克服了传统Gauss伪谱法直接在时间区间上配置Gauss点,插值多项式阶数高、数值解不稳定的缺陷,并且数值解局部代数精度高、计算量小。最后将该方法应用于求解飞行器对地打击轨迹规划最优控制问题,结果表明算法有效可行。     

基于多参考椭球的坐标转换程序实现

工程测量中仍广泛采用高斯投影,其分带投影的方法使得实际工作中经常遇到坐标不统一情况,需要进行正反算及换带计算。控制高斯投影产生的长度变形及确保坐标的单值性仍是需要解决的问题。本文根据高斯投影理论及特点,并充分考虑高斯投影产生长度变形的影响,在Visual Basic平台上开发了坐标正、反算程序及换带计算程序。通过程序自身验证和程序交叉验证,结果表明计算精度能保持在毫米级,确保了坐标的单值性,且操作简便,具有一定实际应用推广价值。     

大口径空间望远镜变形镜校正能力分析

为满足大口径长焦距空间望远镜在轨像差校正的要求,提出采用出瞳变形镜技术方案。首先分析了在轨误差源以及主动校正像差的必要性,建立了变形镜高斯影响函数模型,给出变形镜控制矩阵和控制电压解算方法;在此基础上,通过对波前畸变模拟校正误差分析,确定方法的有效性。通过有限元对主镜在轨工况条件分析,得到离散点坐标值及相应的位移值,处理数据用于出瞳变形镜校正,完成在轨主动光学校正全链路仿真。     

OⅡ空位对PbTiO3晶体影响的第一性原理研究

在广义梯度近似(GGA)下,利用超软赝势(USP)对理想PbTiO3晶体(以下简称理想晶体)和OⅡ空位PbTiO3晶体(以下简称OⅡ晶体)的电子云重叠布局数、态密度和能带分布等进行自洽计算.结果显示:OⅡ晶体与理想晶体相比能带向低能方向移动,而且在费米面附近O原子的2p轨道和Ti原子的3d轨道存在明显杂化,这种杂化是PbTiO3晶体保持铁电性的主要原因.氧空位使OⅠ空位PbTiO3晶体(以下简称OⅠ晶体)的氧八面体发生畸变[1],但并没有改变OⅡ晶体的结构,说明OⅡ晶体结构更加稳定.     

数字散斑的仿真建模与变形场测量

合理构建像面散斑的数字模型,可以精确产生位移和变形场的数学仿真散斑图,为求解亚像素位移或变形的算法研究构建一个软件分析平台。本文从物体粗糙表面的随机分布出发,基于光学成像系统高斯点扩散函数模型,构建了像面散斑的成像模型,对变形前后的随机表面产生的像面散斑进行了模拟和变形场计算。文中提出在找相关峰值时用局部区域进行搜索,减少了运算时间,避免了相似峰的出现。     

杂质对ZnO/Ni反担载催化剂表面H化学吸附的影响

本文在紧束缚近似下，利用格林函数方法和ＥＳ化学吸附理论研究杂质对Ｈ在反担载催化剂ＺｎＯ／Ｎｉ表面化学吸附的影响。研究结果表明，微扰Δε＜０的杂质削弱化学吸附，Δε＞０的杂质增强化学吸附，并且杂质位于载体第一层时对化学吸附影响最大。     

点阵式液晶显示器汉字显示程序设计

详细地介绍了点阵式LCD汉字显示的程序设计思路,并给出点阵式图形显示器ACM12864D基于单片机PIC16C65的汉字显示程序,同时还在实践的基础上给出获取汉字点阵数据的一种简单方法.该程序已成功地应用于研制的通讯检测仪器中,具有一定的实用价值.