深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟

用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管--MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,使用了矩阵法,与一般的迭代方法相比,求解速度得到了极大的提高.为减少自散射的次数,用阶梯自散射方案求电子的自由飞行时间.这两个措施的实施,减小了蒙特卡罗模拟时间,加快了模拟速度.模拟中主要考虑了电离杂质、声学形变势、表面粗糙散射和电子谷间散射四种散射机制.模拟的MOSFET输出特性曲线和电子速度在沟道中的分布与报道的相关结果符合得很好.     

二极管伏安特性方程的矫正

通过对二极管电流的理论计算值和实验测试值的比较，指出目前教科书中给出的二极管伏安特性方程不能确切描述二极管的伏安特性，进而提出了重新建立这一方程的新见解。     

车载MOST摄像头和人脸识别接口的设计与实现

将人脸识别技术与MOST车载环状网络结合,提出车载MOST人脸识别模块.在MOST环状网络中添加摄像头和人脸识别接口,采用MOST异步通信方式,通过I2C总线传输数据,并修改MOST帧边界、增加带宽.车载MOST摄像头接口与人脸识别接口共同实现了人脸图像采集、MOST异步通信、身份认证的功能.实验证明,该方法具有可操作性,可以满足实际需求.     

用示波器测电源和电阻元件的伏安特性

1　引言平时我们测伏安特性都是用电流表和电压表。用电压表测元件两端的电压 ,用电流表测通过元件的电流 ,而后再利用坐标纸在Ｕ -Ｉ平面上描点 ,然后将所描点用平滑曲线连结起来 ,得到所测伏安特性。现在我利用双踪示波器 ,直观地将伏安特性显示出来。下面就线性电阻、非线性电阻、理想直流稳压电源和实际直流稳压电源的伏安特性用示波器进行观测2　原理与说明一个二端元件的特性 ,用元件两端的电压ｕ和通元件的电流ｉ之间的关系ｆ(ｕ ,ｉ) =0表示 ,这种关系通常称为元件的伏安特性。2 .1　线性电阻元件的伏安特性服从殴姆定律 ,画在ｕ -…     

浅水方程模型模拟刚性非淹没植物阻流特性

将植物假设为刚性非淹没圆柱体, 考虑植物在水流中占据的体积, 采用时间空间双平均方法, 将植物作用力作为阻力项引入浅水方程. 用有限差分方法将改进的浅水方程进行离散, 建立植物区浅水方程数学模型. 模型计算结果与试验测量、经验公式符合较好.     

考虑剪胀效应的混凝土动态柱形空腔膨胀理论

同时考虑混凝土的压缩和扩容特性,建立了动态柱形空腔膨胀理论,其中完整的靶体响应为密实区-扩容区-开裂区-弹性区,在扩容区采用扩容方程,使用该理论得到了空腔表面应力与膨胀速度的表达式,并使用该式计算得到弹体侵深和加速度.研究结果表明,运用该理论建立的刚性侵彻方程,其计算结果与实验结果具有良好的一致性,模型可以较好描述不同头部形状尖卵形弹体的侵彻能力以及加速度变化趋势.      

考虑非均匀掺杂衬底对一维MOST模型的修正

为了控制MOST的阈值电压和减小DIBL效应 ,必须对MOST的沟道进行离子注入。这种非均匀掺杂衬底MOST特性的最常用分析方法是数值模拟 ,但这种方法计算量大 ,不能得到解析模型 ,不适用于电路模拟设计。本文所提出的解析模型与SPICEMOS3模型形式相似 ,但其所有参数都是数值模拟的解析公式。新模型将数值分析与解析方法结合起来 ,具有精度高 ,概念清晰 ,计算量小等优点 ,适用于电路分析程序。     

微盘电极上线性扫描伏安法动力学研究(英文)

研究微盘电极上中等扫速下，准可逆电化学反应的伏安行为。推导适合于多种电化学技术的一般方程。该方程可用于线性扫描伏安法，循环伏安法，阶梯扫描伏安法以及脉冲伏安法等。运用该方程详细地研究了微盘电极上准可逆、不可逆波线性扫描伏安曲线特性     

二级管伏安特性实验的教学优化设计

根据教学实践的经验和近年来新课程改革的基本理念提出二极管伏安特性实验的教学目标和设计原则,用补偿法、机械表伏安法和数字表伏安法对实际二极管的伏安特性曲线进行实验测试,总结出各实验方法的优缺点,然后从实验方法、仪表配备、二极管元件选择和实验内容设置等方面对二极管伏安特性实验进行教学优化设计.     

稀土掺杂的类普鲁士蓝化学修饰电极上用阳极溶出伏安法测奶制品中的锌

利用电沉积法制备了稀土掺杂类普鲁士蓝化学修饰电极,在氯化钾溶液中研究了该修饰电极的循环伏安行为,由所得到的循环伏安图讨论了类普鲁士蓝修饰膜的氧化还原过程.同时在该电极上用阳极溶出伏安法测定了奶制品中的锌含量,结果表明用该方法测锌的灵敏度较高,该修饰电极上锌的阳极峰电流重现性较好,建立了一种测定锌的有效方法.     

一种利用多层感知机和I-V特性的光伏组件建模方法

为了提高光伏组件模型的准确度和可靠性,本文提出了一种利用多层感知机和不同工况下实测的I-V特性曲线数据集的建模新方法。首先,使用双线性插值法对实测I-V曲线进行重采样,以提高I-V曲线上数据点分布的均匀性;进而使用基于温度-辐照度的网格采样法对数据集进行下采样,降低数据冗余度。其次,提出一种基于多层感知机神经网络的光伏组件模型,并基于预处理的I-V曲线数据集,使用Adam算法训练该模型。最后,采用美国国家可再生能源实验室提供的实测I-V特性曲线数据集,验证和测试了所提出的建模方法,并与支持向量机、梯度提升决策树等机器学习算法进行对比。实验结果证明,所提出的建模方法具有最高的精度和泛化性能。     

硅二极管I-V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。     

SnO2纳米半导体颗粒的微区电子输运特性

将sol-gel方法制备的SnO2纳米颗粒涂覆在ITO(Indium-Tin-Oxide)导电玻璃上,用原子力显微镜的I-V测试功能测试其微区电特性.结果表明,不同粒度的伏-安特性曲线具有不同的双向阈值电压,随颗粒度的减小,开启电压减小.用表面能带理论分析结果表明,此现象与纳米SnO2颗粒度尺寸效应和氧空位有关.     

聚光和非聚光太阳能光伏电池发电实验比较

本文主要比较了聚光和非聚光条件下太阳能光伏电池的伏安特性以及光伏系统的发电性能。实验结果表明,采用平面镜反射的低倍聚光方式可以增加常规太阳能光伏电池的输出功率．而且能改善光伏发电系统的可靠性,有效增加光伏发电系统的日发电量。     

高压反偏硅PN结的漏电流对研磨损伤层的影响

本文通过对硅整流管反偏直流产生电流温度关系、伏安特性和对应的深能级瞬态谱(DLTS)的研究,揭示了均为硬转折特性的试样漏电流有较大差异的根源是:表面研磨损伤层引入了新的深中心,使PN结的漏电流增加了一个隧道电流分量;并分析了导电机理.根据理论分析,修正了反偏PN结漏电流理论.     

深亚微米Flash NVMIC单元结构的电子显微分析

随着集成电路特征尺寸的不断缩小,器件结构越来越复杂,应用电子显微分析技术对IC的特定部位进行高空间分辨率的微结构分析,已成为IC新产品、新结构设计,新工艺开发和芯片生产质量保证的重要手段．结合深亚微米IC结构电子显微分析所涉及的FIB定位制样和TEM高分辨成像等关键技术的讨论,分析了一种新型的分立栅结构的深亚微米非挥发性闪烁存储器集成电路芯片(Flash NVM IC)的微结构特征,并从结构角度比较了其与堆叠栅结构Flash IC的性能.     

一种利用改进Elman神经网络的光伏I-V特性建模方法

为了准确表征和预测光伏（PV）组件在不同工况下的电流电压（I-V）特性,本文提出一种利用改进Elman神经网络的光伏I-V曲线黑盒建模新方法。首先通过皮尔森相关系数分析影响I-V曲线的环境因素;其次使用基于电压电流的双线性插值法对实测I-V曲线进行重采样,以提高I-V曲线上数据点分布的均匀性;进而使用基于辐照度温度的网格采样法对I-V曲线数据集进行下采样,降低数据冗余度;再利用量子粒子群（QPSO）算法优化Elman神经网络的初始权值和阈值,从而构造QPSO-Elman预测模型。最后根据美国国家可再生能源实验室（NREL）提供的I-V曲线数据集进行实验验证和测试。实验结果表明,所提出的建模预测方法精度更高,稳定性和泛化能力更好。     

利用PN结进行玻耳兹曼常数测定的实验研究

给出以晶体二极管Ｉ－Ｖ特性精确测定玻耳兹曼常数的方法，修正了杨介信等所给出的测试规程和要求。     

基于TMS320F2812和BUCK电路的光伏阵列模拟器

采用TMS320F2812DSP为控制器,BUCK电路为主电路,研究与设计了一种新型光伏阵列模拟器.模拟算法利用模拟器负载电流与阵列特性电流的差值控制BUCK电路开关的占空比,调节模拟器输出电压,使模拟器的工作点逐步逼近光伏阵列I-V特性的工作点,实现对光伏阵列输出特性的模拟.阵列的特性电流值由存贮于DSP中的工程数学模型,根据选定的不同光照量和环境温度条件计算得到.MATLAB仿真和模拟器样机的实验结果表明,本文模拟器的逼近与稳定时间约为80ms,仅为传统逐点逼近法的25%,且超调小于4%,稳态误差小于1%,均优于传统逼近法,且能够实现光伏阵列不同I-V特性曲线的完整模拟.     

FIDER： A Force-Balance-Based Interconnect Delay Driven Re-Synthesis Algorithm for Data-Path Optimization After Floorplan

As the feature size of integrated circuits is reduced to the deep sub-micron level or the nanometer level, the interconnect delay is becoming more and more important in determining the total delay of a circuit. Re-synthesis after floorplan is expected to be very helpful for reducing the interconnect delay of a circuit. In this paper, a force-balance-based re-synthesis algorithm for interconnect delay optimization after floorplan is proposed. The algorithm optimizes the interconnect delay by changing the operation scheduling and the functional unit allocation and binding. With this method the number and positions of all functional units are not changed, but some operations are allocated or bound to different units. Preliminary experimental results show that the interconnect wire delays are reduced efficiently without destroying the floorplan performance.