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1.
利用弱腐蚀倾向的溶液环境,控制20CrMnTi钢产生有限的亚稳态蚀点分布.运用电化学噪声法,研究了20CrMnTi钢亚稳态蚀点的萌生规律,结合ANSYS有限元计算,导入真实腐蚀形貌,对比研究了不同腐蚀条件下蚀孔周边的应力分布与裂纹萌生风险.结果表明,20CrMnTi具有较高的点蚀敏感性,其亚稳态蚀点集中在杂质相边缘优先形核,随Cl-浓度的升高,点蚀孕育期明显缩短,点蚀敏感性增大.不同Cl-浓度下引起的形核速率上升会缩短蚀点间距,表面微裂纹易连接蚀点而发生扩展,增大裂纹萌生风险.  相似文献   
2.
通过采用时域有限差分方法 (FDTD)和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组 ,建立PN结半导体器件在高功率微波 (HightPowerMicrowave)激励下瞬态响应的一维模型 ,并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算 ,从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究 .计算表明 ,二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近 ,器件的热击穿应发生在信号的正半周期内 ,10GHz应可视为该二极管对微波信号响应的截止频率  相似文献   
3.
本文在半导体器件理论的基础上,建立了微波对半导体件破坏机理研究的一维器件模型,讨论了有关计算机数值模拟的处理技巧,并给出了差分方程组。  相似文献   
4.
本文对厚靶轫致辐射谱角分布情况进行了理论研究和计算,并将结果与国外理论值和试验结果作了比较。  相似文献   
5.
本文设计了一种利用已有相对论电子束(REB)装置产生系统电磁脉冲效应研究所需X射线源的新方案.从理论上验证了其可行性.该方案将在随后开展的实验中得到实施.  相似文献   
6.
利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mPND1D,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解,计算了二极管在高功率微波激励下失效和烧毁时吸收的能量及所需时间与器件载流子寿命的关系。  相似文献   
7.
利用计算机进行半导体器件模拟时,最大限制是近需CPU时间特别长。对此,提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法,可在满足精度的范围内将计算时间缩短45%以上。  相似文献   
8.
高功率微波与微波武器   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了高功率微波及微波武器-高功率微波弹的概念,基本原理及作用效能等,简述了研究微波武器对电子系统破坏机理的计算机模拟方法。  相似文献   
9.
讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法,比较了Fortran与Matlab两种计算,指出利用Matlab可以避免复杂繁琐的编程,而且调整极为方便。  相似文献   
10.
采用浸泡法和电化学测试方法结合扫描电镜和能谱仪研究了高温浓硫酸中氟离子的掺入对304、2507以及904L三种不锈钢耐蚀性能的影响.结果表明:氟离子的掺入对三种不锈钢在浓硫酸中的腐蚀具有抑制作用,综合来看,904L具有更为稳定的耐蚀性能;三种不锈钢在高温浓硫酸中由于生成了热力学不稳定的硫化镍而产生了活化转钝化现象,而掺入氟离子会和硫离子发生竞争使其排挤出电极表面,氟离子与镍离子结合形成另外一种更稳定的阻挡层使不锈钢耐蚀性提高.  相似文献   
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