静电场中电场强度计算的探讨

静电场是电磁学中非常重要的一章，而电场强度是描述静电场性质的两个基本物理量之一。电场强度的计算是本章的重点和难点。文章将讨论静电场中有关电场强度计算的三种常用方法、步骤及相比之下各自的优点与不足。     

静电场场位关系的分析

本文分析了静电场中电场强度与电势的两种关系,给出确定静电场中电场强度的简便方法.     

静电场中ē=0点的电力线

本文以电力线方程和静电场方程为基础,研究了电场强度为零处的电力线行为,对正确运用电力线描绘静电场进行了深入探讨。     

关于电位计算的一点思考

由于静电场力作功与路径无关，所以在静电场中可以引入电势U．在电场强度E比较容易计算的情况下，利用电势与电场强度的积分关系就可以求出静电场中任一点P处的电位。上式中P0点为电位参考点，即Up0＝0，E为积分路径上任一点处的电场强度，dl为元位移。一般地，当电荷为有限分布时，常选取无穷远处作为电位参考点，即U=0，此时当电荷分布无限时，如果仍然选取无穷远处作为电位参考点，则积分（2）据具体的电荷分布就可能遇到发散而电位不确定，就必须选取有限远处作为电位参考点。例题半径为R的无限长直圆柱体内均匀带电，电荷体密度为p…     

等量同号和异号两点电荷中垂线的特殊意义

依据静电场中点电荷电场强度和电势的定义，讨论了等量同号和等量异号点电荷中垂线上电场和电势分布的特点，得出结论：等量同号点电荷中垂线与该电荷系统的电力线重合；中垂面上电力线呈辐射状分布；等量异号点电荷的中垂线是该电荷系统的等势线，中垂面是等势面。     

微球形聚焦测井中三维电场模型有限元法的数值模拟

本文给出了微球形聚焦测井中三维静电场的有限元法计算公式，并按照要求计算了相应的电势和电场强度。     

静电场处理对茄子种发芽的影响

利用均匀设计安排实验，对内茄一号茄子种进行不同时间和电场强度的高压静电场处理，对结果进行了直观分析和回归分析，得出回归方程，并依此进行预报，找出处理时间和电场强度的最佳取值区间.     

微球形聚焦测井中三维电场模型有限元法的数值模拟

本文给出了微球形聚焦测井中三维静电场的有限元法计算公式,并按照要求计算了相应的电势和电场强度.     

等势面曲率和场强对电荷分布的制约

讨论了静电场中等势面的曲率半径与电场强度间的关系，得出导体表面电荷的分布受曲率而主要是受到电场的制约。     

高压静电场对马尾松,黑松种子活力的影响

结果表明经适宜高压静电场处理，能激活种子脱氢酶活性和α-淀粉酶活性、增加细胞膜修复功能、提高种子发芽率和活力指数。马尾松种子最佳处理为浸种6h，电场强度500kV／m，处理时间1min，黑松种子最佳处理为浸种6h，电场强度100kV／m，处理时间5min。     

对导体球表面感应电荷分布规律的研究

对置于匀强电场中的导体球外周围空间的电势和场强分布进行了定量的研究。在此基础上，以偶极了Q点的场强为例，导出了导体球表面上感应电荷的分布规律。它对认识导体球静电平衡的性质以及球外周围空间电势和场强的分布规律是非常重要的。     

经颅磁声电刺激感应电场聚焦度评价方法

经颅磁声电刺激（transcranial magneto-acousto-electrical stimulation,TMAES）通过超声波和静磁场共同作用产生感应电场以调节相应脑区神经元的放电活动,感应电场的聚焦性能是决定调控精度的关键因素.探索了感应电场聚焦度评价方法,包括建立模型、仿真分析、评价指标的选取和电场聚焦度分析.确定了刺激深度、刺激强度、聚焦面积、焦域长度以及电场强度梯度系数作为感应电场的评价指标,用来衡量电场聚焦水平.结果表明TMAES具有良好的刺激深度以及较高的分辨率,通过以上指标可以准确描述感应电场的分布特征,建立的评价方法可以实现对TMAES感应电场聚焦性能的有效评价.     

电荷面分布模型和电场强度跃变的讨论

对电荷面分布模型中电荷层厚度的数量级进行了估算 ,指出了电场强度实际上都是连续变化的。所谓电荷层两侧电场强度的跃变是由于将电荷层抽象成没有厚度的几何面所导致 ,并就带电导体球面电场强度的两种计算方法进行了较为深入的讨论     

利用Matlab软件数值模拟均匀带电椭圆形环在中心轴线上的电势及电场分布

在直角坐标系中分别表示出了均匀带电椭圆形环在中心轴线上任意位置处的电势及电场。并利用数值模拟显示了在中心轴线上的电势分布和电场分布,图象显示在中心位置处电势最大随着离中心点距离的增大电势越来越小且电势是以中心点为对称点,在无穷远处电势为零;电场也是以中心点为对称点并在中心点处电场强度为零,远离中心点时电场强度逐渐增加达到最大值时电场强度随着离中心点距离的增加再逐渐减小,在无穷远处电场强度变为零,电场强度以中心点为对称点且方向相反。     

屏蔽在电器和电子设备中的应用研究

根据干扰源不同的特点,采用电场屏蔽和电磁屏蔽可有效阻止对电器和电子设备的干扰,实验结果表明,由电场引起的静电干扰和磁场引起的电磁干扰是一个复杂的问题,在实际应用中要结合具体条件,采用相应的屏蔽方法.     

讨论偏心单芯电缆电容的计算

先讨论得出两根无限长平行线电荷电势分布的特点，再根据静电场中场强唯一性定理，从而计算出偏心单芯电缆单位长度的电容。     

二维、三维模型碳纳米管场发射场强计算的比较研究

在计算碳纳米管场发射显示器中电场强度时,为了提高计算效率,许多资料将三维空间的场发射简化为二维模型进行计算,为了比较分析使用二维模型和三维模型计算结果的差异,建立了二维模型单根碳纳米管、三维模型单根碳纳米管和单碳纳米墙3个模型,应用Ansoft Maxwell有限元数值仿真软件进行了仿真,计算结果表明:二维碳纳米管场发射模型的仿真结果代表的三维空间实际情况为碳纳米墙场发射,而不是真正的三维空间碳纳米管场发射。对于单根碳纳米管,用二维模型计算的碳纳米管尖端电场强度仅为三维空间碳纳米管尖端电场强度的1／4。     

对球形尖端导体表面附近静电场的研究

尖端导体表面附近的静电场分析，是研究静电平衡时导体表面电荷分布与其表面曲率关系的重要手段。求解球形尖端导体表面附近的静电场，发现这种导体表面附近的电场、导体上的电荷分布规律与理想尖端或锥形尖端相比较，电场强度和电荷密度均小得多，它们的分布随相关参数的变化而更快。     

“均匀带电球面上的电场强度如何计算”的再讨论

利用球形电容器能量的变化求出了均匀带电球面上一点的电场强度,指出了有关文献中的错误,并指出现行基础物理教材中对均匀带电球面电场强度分布的讨论应遍及空间所有点.