长余辉材料余辉性能测试的影响因素

为了规范长余辉材料余辉性能测试的标准化，采用屏幕亮度计测试了SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋长余辉材料的余辉性能；研究了激发光源、激发时间、样品粒度和用量对余辉性能测试的影响，结果表明在9W三基色灯下激发15min可使余辉材料发光亮度达到饱和，随着样品粒径增大和质量增加，发光强度明显增强，余辉时间也显著延长．     

Zn_2SiO_4∶Ga蓝紫色长余辉的发光特性

在高温下合成了Zn2SiO4长余辉发光材料;对掺杂Ga后的Zn2SiO4长余辉发光材料的激发光谱、发射光谱、余辉光谱以及衰减曲线进行分析,指出该材料基质中氧缺陷能级和锌缺陷能级是材料的发光中心;掺杂Ga后的GaZn能级能吸收光子,同时能储存电子,停止激发后,储存的电子缓慢释放,从而产生长余辉发光;同时分析了不同Ga掺杂质量分数对发光强度的影响,指出掺杂质量分数为2%时的发光效果最好;并提出了一个材料发光及长余辉发光模型.     

长余辉材料发光机理的研究进展与展望

分析近几年来研究人员对长余辉材料发光机理研究的进展状况,结果发现,长余辉材料的发光机制主要与晶体缺陷有关,长余辉材料必须有适当深度的陷阱能态.载流子传输模型、隧穿效应模型以及双光子吸收模型等几种模型,能够比较圆满地解释长余辉材料的发光机理.但上述模型目前也还存在一些无法解释的问题,因此,对长余辉材料的发光机理仍需作进一步深层次的研究.     

热释发光在长余辉材料研究中的应用

从机理和实验两方面论述了热释光谱是长余辉材料研究中最主要、最常用的手段之一，并通过测量热释光谱对长余辉材料中的陷阱情况进行了分析对比，得到了陷阱深度可决定余辉长短的结论．     

铝酸锶铕镝长余辉材料研究

针对近年国内外研究SrAl2O4:Eu,Dy长余辉材料的主要进展,从材料制备、余辉机理、光谱特性等方面进行概要综述,并展望稀土铝酸盐长余辉材料的发展前景.     

Zn2SiO4:Ga蓝紫色长余辉的发光特性

在高温下合成了Zn2SiO4长余辉发光材料；对掺杂Ga后的Zn2SiO4长余辉发光材料的激发光谱、发射光谱、余辉光谱以及衰减曲线进行分析，指出该材料基质中氧缺陷能级和锌缺陷能级是材料的发光中心；掺杂Ga后的GaZn能级能吸收光子，同时能储存电子，停止激发后，储存的电子缓慢释放，从而产生长余辉发光；同时分析了不同Ga掺杂质量分数对发光强度的影响，指出掺杂质量分数为2％时的发光效果最好；并提出了一个材料发光及长余辉发光模型．     

长余辉材料在发光路面上的应用及研究进展

文章首先介绍了长余辉材料的发光机理,探讨了它的主要应用,并分析了目前存在的一些问题. 然后,提出了一些有关长余辉材料的发展建议,以期为相关领域的研究人员提供一些指引和帮助. 最后,总结了长余辉材料的发展趋势,并对未来的发展前景进行了展望.     

硅酸盐长余辉发光材料的研究进展与展望

硅酸盐长余辉发光材料是一种无毒、耐水性强和性能稳定的清洁光源，在消防、交通、建筑和日用品等领域已经得到推广和应用。从1992年至今，已研制出了发光效率高、余辉时间长、化学性质稳定和发光颜色多样化的硅酸盐长余辉材料。寻找发光性能更加优良的硅酸盐红色长余辉发光材料及研究其发光机理是今后的研究方向。     

不同基质和稀土含量对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+材料余辉特性的影响

用高温固相法在还原气氛中制备了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,测得了其晶体结构、激发光谱和发射光谱.在所知的最佳激发条件下,给材料以一定的辐照剂量后,测得了不同基质浓度、不同稀土掺杂浓度时的热释光谱,并计算了相应的陷阱能级深度.结合不同样品的余辉衰减曲线和热释光曲线进行分析,发现Dy+掺入量的变化对材料的余辉性能影响很大,而作为基质的铝离子,其浓度在一定范围内的变化对材料的余辉性能影响不大.这与Matsuzawa等人所提出的该材料的余辉机理模型相符.     

红色长余辉发光材料的研究进展

从材料的种类及制备方法两个方面综述了红色长余辉材料的研究进展状况,介绍了硫化物、硫氧化物、钛酸盐、硅酸盐等红色长余辉基质材料及其发光机理,以及高温固相法、溶胶-凝胶法、燃烧法、微波法等几种制备方法的研究现状,并指出寻求性能优良的红色长余辉基质材料、改进制备方法和探索其发光机理仍然是今后研究的主要方向。     

掺镁的铝酸锶铕磷光体的发光特性

研制了掺Ｍｇ的ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ磷光体，Ｍｇ作为杂质掺入后，并未改变磷光体的发射光谱，却使磷光体获得长余辉发光特性，余辉发光强度按ｔ＾－１．１的双曲线形式衰减，热释光谱的测定显示出，在３４３Ｄ时磷光体存在一较宽的热释光这表明在磷光体中形成了Ｍｇ的杂质陷阱能级，其能级深度约为０．３１ｅＶ．     

二种灌溉方式下磷在土壤中空间运移的研究

采用Surfer软件分析的方法,研究棉花膜下滴灌和膜下软管二种灌溉方式下磷在土壤中的分布特点以及棉花生长状况。结果表明,在土壤中下渗(0～30cm),膜下滴灌磷的浓度与膜下软管磷的浓度分别为25～30 mg/kg和22～26 mg/kg;膜下滴灌条件下磷在土壤中侧渗范围为0～10cm,磷的浓度为9～25mg/kg;膜下软管条件下磷在土壤中侧渗范围为0～20cm,磷的浓度为12～26mg/kg;棉花膜下滴灌平均单产(籽棉)比棉花膜下软管灌平均单产(籽棉)多127.5kg/666.7m2。膜下滴灌磷在土壤中分布集中,浓度相对较高,分布均匀,利于棉花根系的吸收,提高了磷的利用率;而膜下软管灌磷在土壤中分布分散,浓度较低,均匀性差,磷利用率较低。因此,棉花膜下滴灌磷的效果比棉花膜下软管磷的效果好,同时膜下滴灌磷通过随水施入土壤中可以满足棉花整个生育期需要。     

稀土硼酸盐黄色荧光粉的合成

合成了一种稀土硼酸盐黄色荧光粉，研究了它的发光强度随组成的变化规律，讨论了影响荧光粉发光亮度的各种因素，其中稀土原料的纯度对荧光粉的发光亮度有很大影响。测定了荧光粉的结构，发射光谱和激发光谱，考察了应用性能，结果表明，它符合灯用荧光粉的各项指标要求。     

磷渣在生产水泥中利用途径的分析

从水泥生料配入磷渣煅烧熟料和磷渣作为混合材生产水泥两个方面分析讨论各自的利弊 ,继而分析生、熟料联合用磷渣生产水泥的可行性 ,得出生、熟料联合用磷渣生产水泥在吃废利废节能方面比只在生料或熟料中应用磷渣生产水泥能力更大 ,生产的水泥能保证早期强度 ,后期强度也有较好的发展     

光电平板显示器荧光屏及其亮度测量

本报告了荧光屏及其在光电平板显示器中的应用，测量了光电平板显示器荧光屏的发光亮度变化．结果表明，研究的荧光屏在光电平板显示器中具有实用价值．     

单色FED荧光屏的研制与分析

作为场发射平面显示器件的组成部分之一,荧光屏的研制与结果分析决定了该显示器件的亮度、清晰度、分辨率和寿命等性能。介绍了场发射显示器（ＦＥＤ）单色荧光屏的设计和两种制作方法：重力沉淀法和电泳法,并对用这两种方法制作的荧光屏进行了亮度、工作电流、工作电压、亮度衰减等多个参数的测试。通过对测试结果的比较与分析,得到电泳法制得的荧光屏比重力沉淀法性能要好的结论,并且获得了荧光层厚度及工作电流和工作电压的适宜参数。     

温度对电致发光粉表面包覆SiO2膜特性的影响

采用化学气相沉积法,以硅酸乙酯和氧气作为前驱体在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆S iO2薄膜,并对样品进行了能量色散X射线分析,AgNO3抗腐蚀,发光亮度和光谱等测试. 结果证实当温度为 500 ℃时,包膜样品具有良好的防潮抗腐蚀性能,材料发光寿命得到明显改善 ,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动.     

大功率LED用荧光粉硅胶固化过程中的颗粒沉淀现象模拟

针对大功率LED封装工艺流程中荧光粉颗粒出现沉淀的问题,基于斯托克斯定律,在忽略流体惯性力的情况下,通过耦合硅胶固化过程黏时曲线及荧光粉颗粒粒径分布函数建立了荧光粉颗粒沉淀模型,并借助实验对模型进行了验证。结果表明:该模型较为有效地反映了荧光粉颗粒的沉淀现象;颗粒沉淀速度与粒径成正比,与黏度成反比,固化开始大约5min后沉淀停止,大颗粒基本停留在底层。该结果可为进一步研究荧光粉颗粒的分布对LED的出光及光学一致性的影响提供参考。     

荧光薄膜的制备方法及其在LED中的应用

荧光薄膜封装发光二极管(LED)是一种新的封装技术.这种技术通过分离荧光粉与芯片,解决了传统点胶工艺中LED光色不一致、荧光粉沉淀、不利于LED散热等问题,而且提高了荧光粉的热稳定性,极大提升了LED的光色品质.本文综述了荧光薄膜的制备方法及其在LED中的应用实例,对实际研究和应用有一定的作用.     

黄磷废水的二氧化氯处理

对用二氧化氯处理黄磷废水进行了研究，重点考察了各反应条件对处理效果的影响.实验结果显示，二氧化氯能很好地氧化废水中的元素磷及氰化物，处理可在常温下进行，当二氧化氯过量40%以上时，元素磷的氧化率达100%，氰化物的氧化率达90%以上.再经石灰脱氟后完全可达到GB 4283-84中有关黄磷生产废水一级排放标准.