微小形变后锌中位错的直接观察

对于范性形变过程中位错的分布,运动,增殖,互作用等一系列重要的问题的实验观察,过去人们把注意力集中在电子显微镜的衍衬方法上。近年来,比较古老的化学腐蚀方法又受人重视起来了。吉尔曼在LiF中所进行的系统的工作,给用化学腐蚀方法观察范性形变过程中位错的行为打开了一个广阔的前景。近两三年来,对Cu范性形变后位错的观察又使人进一步相信,在位错密度较离子晶体高的金属中,同样可用化学腐蚀方法对范性形变过程中位错行为进行直接观察,而且,所获得的资料有时用其它方法还不可能得到。我们探索用化学腐蚀方法观察形变后锌中的位错,目前我们已在微小形变后锌中获得一些结果,介绍于下。     

共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯...     

γ-TiAl单晶纳米杆拉伸变形的分子动力学研究

室温(300 K)情况下,利用分子动力学方法对γ-TiAl单晶纳米杆的拉伸变形过程进行了模拟研究,得到了应力应变曲线,并对其变形机理进行了分析,结果表明,γ-TiAl单晶纳米杆在室温下的形变机制为1/2[-1-10]普通位错及孪生,且首先发生1/6[-1-12]的孪生形变,随后通过部分位错1/6[-2-1-1]和1/6[-1-21]的反应形成1/2[-1-10]普通位错.     

GaP缺陷增殖机理的研究

将掺杂为Te、晶面(111)的n型GaP单晶样品,机械抛光后,在通有饱和C1_2气的甲醇溶液中,室温下化学抛光40分钟,然后用去离子水冲洗后,在H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=3∶1∶1的腐蚀液中,70℃下腐蚀10—15分钟,即有位错腐坑显出,并有再现性。以这种样品材料为衬底的掺N、Zn液相外延生长层,仍用上述腐蚀液,在同样温度     

基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。     

外应力作用下小角晶界的斜排位错运动研究

[目的]探讨纳米晶材料中小角度晶界位错在应力作用下的演化机理。[方法]通过分析位错受力,建立动力学方程,分析晶界斜排位错在受到外应力作用下的运动规律。[结果]晶界位错的3个部分结果不同,处在中心位错以上的位错(第1部分)在剪切应力不断增大的过程中,会经过滑移,波动,最后沿柏氏矢量方向滑移过程;中心位错(第2部分)会经过滑移,波动,再滑移过程;中心位错以下的位错(第3部分)会先逆柏氏矢量方向滑移,然后改变运动方向进行攀移,最后回到第5个位错的初始位置后沿柏氏矢量滑移。[结论]当晶界位错受到外应力作用时,晶界会马上瓦解,外应力是导致晶界瓦解的主要因素。对比水平位错的晶界,斜排位错组成的晶界瓦解不具有对称性,每个位错的运动规律都各有特点。     

硅钨酸盐复合物[Zn(2,2'-bipy)3]1.5[SiW12O40Zn(2,2'-bipy)2(OH)]·0.25H2O的合成、结构及表征

通过水热合成方法,合成了一种新型的硅钨酸盐担载的有机无机复合物[Zn(2,2'-bipy)3]1.5[SiW12O40Zn(2,2'-bipy)2(OH)]·0.25H2O,并对其进行了元素分析、红外光谱、热分析及X-射线单晶衍射等表征.结构分析表明,标题化合物结构单元中含有1个 [SiW12O40Zn(2,2'-bipy)2(OH)]3-杂多阴离子,1.5个[Zn(2,2'-bipy)3]2 阳离子和0.25个结晶水分子.在[SiW12O40Zn(2,2'-bipy)2(OH)]3-杂多阴离子中,Keggin阴离子[SiW12O40]4-通过一个端氧原子与[Zn(2,2'-bipy)2(OH)] 共价相连.TG-DTA 热分析曲线表明多阴离子的骨架在618 ℃分解.     

钢铁材料中刃位错与溶质原子的交互作用

通过计算机编程建立了钢铁中铁素体相中的1/2[1 1 1]刃位错的原子结构模型,用实空间的连分数方法计算了碳、氮及合金元素在完整晶体及位错区引起的总结构能和环境敏感镶嵌能,讨论了碳、氮及合金元素在位错区的偏聚及交互作用.计算结果表明:轻杂质C,N易偏聚于位错芯处;强、中碳化物形成元素(Ti,V,Nb,Cr)易偏聚于刃位错线上,非碳化物形成元素Ni偏聚于位错线下方的弹性扩张区;轻杂质加剧强碳化物形成元素在刃位错区的偏聚,当温度下降使得C,N及合金元素的浓度超过其最大固溶度时,钢铁中刃位错区将有C,N金属间化合物脱溶,这些化合物会阻碍位错的运动,起到第二相粒子的强化作用.     

低位错密度的XRD无损表征研究

当半导体材料中位错密度大于107cm-2,难以用传统的腐蚀法进行测量时,可以利用高分辨X射线衍射(XRD)峰的半高宽估算材料中位错密度.该文利用该方法研究了位错密度小于107cm-2时是否适用的问题.结果表明,材料中位错密度较低(5.3×105cm-2)时,利用XRD测得的位错密度值与实际值存在3个数量级的偏差.分析认为,当晶体中位错密度较低时,参与衍射的晶面就越多,衍射峰就越窄,当位错加宽值与仪器精度接近时,就会产生较大偏差.因此在低密度位错时,利用XRD方法测量材料中位错密度时容易产生较大偏差.     

时效处理对Mg-4Zn合金组织及耐蚀性的影响

采用金相显微镜、扫描电镜、透射电镜、静态浸泡及电化学测试手段研究了时效处理对高应变速率轧制Mg-4Zn合金板材微观组织和耐腐蚀性能的影响.结果表明:轧制态Mg-4Zn合金组织由细小均匀的动态再结晶晶粒组成,平均晶粒尺寸为3μm,合金内部析出相分布不均匀,局部区域存在位错;预时效(70℃/10 h)处理后合金内部析出大量GPI区(长度3～10 nm,宽约2～3个原子间距)和球状GPII区(直径4～10 nm);70℃/10 h+160℃/2 h时效处理后合金内部位错密度显著降低且析出相分布更为均匀;Mg-4Zn合金在Hank's溶液中的腐蚀形式为丝状腐蚀与点状腐蚀相结合;随着时效时间的延长,其耐腐蚀性能呈现先升高后降低的趋势.时效2 h时合金的耐蚀性达到最佳(平均腐蚀速率为0.28 mg·cm-2·d-1,腐蚀膜厚约6.3μm,腐蚀电位为-1.41 V,腐蚀电流密度为11.8μA/cm2),可归因于时效后位错密度降低、析出相分布更为细小均匀.     

硫氰酸根—吡罗红G显色体系的研究—分光光度法测定人尿中微量Zn和Mo

用分光光度法在丙酮水溶液中,利用[MoO(SCN)_5]~(2-)和[Zn(SCN)_4]~(2-)络离子与吡罗红G(Pyronine简写PyG)发生的离子缔合反应,可以在不同酸度下,[H~+]=2.4mol.L~(-1)和PH=1.6分别测定钼和锌,本方法灵敏度高而不必事先分离. 在水溶液中,用连续变化法、斜率比及摩尔比法证明该离子缔合物的组成是PyG_2[Zn(SCN)_4]·2(PyG·SCN)和PyG_2[MoO(sCN)_5]·2(PyG·SCN),它们的摩尔吸光系数分别为ε_()576~(Mo)=1.05×10~5L/(mol.cm)和ε_(588)~(Zn)=7.19×10~4L/(mol.cm)·加入掩蔽剂此反应可直接测定人尿中锌和钼.     

Zn上四元数代数Zn[i,j,k]的零因子和单位群

研究Zn上的四元数代数Zn[i,j,k]的零因子和单位群,给出Zn[i,j,k]的零因子个数和Zn[i,j,k]的单位群阶的计算公式,证明Zn[i,j,k]≌M2（Zn）的充分必要条件是n为奇数,并且完全决定了Zn[i,j,k]的单位群结构.     

α-Ti在甲醇中应力腐蚀及膜致应力的研究

一边保护的α-Ti薄片试样在甲醇溶液中自然腐蚀时会发生弯曲,从而可测出在钝化膜和基体界面的拉应力.随甲醇溶液中含水量的升高,膜致拉应力不断下降,当含水增至10%时,膜致应力为零,与此同时用慢应变速率拉伸所测出的应力腐蚀敏感性也从97%降为零.α-Ti在无水甲醇溶液中应力腐蚀时,透射电子显微镜观察表明,腐蚀过程本身促进位错发射和运动.     

关于3阶Carmichael数的注记(英文)

如果合数n对于所有f(x)∈Zn[x]都有f(x)nk≡f(x)mod(n,r(x))成立,就称n是模r(x)的k阶Carmichael数,这里r(x)∈Zn[x]是k次首一不可约多项式,用Ck,r(x)表示所有的这种数的集合.定义Ck=∪r(x)Ck,r(x),这里r(x)跑遍Zn[x]中所有k次首一不可约多项式.Ck里面的元素就称为k阶Carmichael数.2005年,朱文余和孙琦首先给出了3阶Carmichael数的一个必要条件(1),然后又给出了这种数的一个充分条件(2),并发现108内没有满足     

NaCl晶体中位错观察

利用化学浸蚀法观察了NaCl晶体中的位错,验证了位错与蚀坑间的一一对应关系[1]。进一步利用浸蚀——退火——再浸蚀法研究了退火前后位错密度的变化,指出亚晶界吸收或放出位错是导致位错密度降低或升高的可能原因,并得到了实验证据。研究了亚晶界移动以及亚晶粒长大的过程,并对亚晶粒的长大机理进行了分析。最后指出,浸蚀——退火——再浸蚀法是研究亚晶界及亚晶粒组态的一种有效的方法。 利用交替浸蚀——抛光的方法研究了亚晶界的空间分布,指出在一般情况下亚晶界是空间曲面。     

硅钨酸盐复合物[Zn （2,2＇-bipy） 3 ]1.5 [SiW12O40Zn（2,2＇-bipy）2 （OH） ]·0.25H2O的合成、结构及表征

通过水热合成方法,合成了一种新型的硅钨酸盐担载的有机无机复合物[Zn （2,2＇-bipy） 3 ]1.5 [SiW12O40Zn（2,2＇-bipy）2 （OH） ]·0.25H2O,并对其进行了元素分析、红外光谱、热分析及X-射线单晶衍射等表征．结构分析表明,标题化合物结构单元中含有1个[SiW12O40Zn（2,2＇-bipy）2 （OH） ]^3- 杂多阴离子,1．5个[Zn （2,2＇-bipy） 3 ]^2＋ 阳离子和0．25个结晶水分子．在[SiW12O40Zn（2,2＇-bipy）2 （OH） ] ^3- 杂多阴离子中,Keggin阴离子 [SiW12O40]^4-通过一个端氧原子与[Zn （2,2＇-bipy） 2 （OH） ]^＋共价相连．TG-DTA热分析曲线表明多阴离子的骨架在618℃分解．     

水热合成一维氧化锌及其影响因素

用Zn(NO3)2、NaOH为原料,十六烷基溴化铵(CTAB)为形貌控制剂,采用水热合成技术制备了一维纳米氧化锌.用X射线衍射仪和透射电镜对产物的相组成和微观形态进行了表征和分析.结果表明,合成的一维氧化锌属于六方晶系,纯度很高,长径比较好.研究了[Zn2 ]:[OH-]、碱度、时间、CTAB的浓度对一维氧化锌微观形貌的影响,并探讨了氧化锌纳米棒的生长机理.研究结果表明,增大[Zn2 ]:[OH-]、pH值、CTAB的浓度有利于氧化锌[0001]面的极性生长;反应时间的增加可以提高一维氧化锌的结晶度,氧化锌的直径和长度也随之增大.     

磷化镓晶体中缺陷及其成因的探讨

在七种常用腐蚀液对比实验的基础上,选取RC腐蚀液,将使用条件作适当改进,既能清晰显示GaP晶体(Ⅲ)P面、又能显示(Ⅲ)Ga面上的多种缺陷。通过重复腐蚀和逐层腐蚀实验弄清了这些缺陷的形貌特征与识别方法。用红外显微镜和电子显微镜观察与研究清洁位错和缀饰位错。实验发现晶体中缺陷分布的规律,并发现加磷压的高温热处理有助于减少LEC GaP晶体中微缺陷。文中分析和探讨了微缺陷的成因与本质。     

12Cr1MoV耐热钢高温加热过程中位错组态的TEM研究

用透射电子显微镜(TEM)对12Cr1MoV珠光体耐热钢的位错组态和其他细节进行了观察和分析.结果表明,在12Cr1MoV正火后的高温回火和高温长时间加热过程中,12Cr1MoV中的相变位错首先发生部分回复,接着出现了位错胞结构,随后位错密度大大降低.最终,12Cr1MoV钢在高温时效后形成了低密度的线状位错组态,构成了比较稳定的位错网络.以上这些微结构变化伴随着材料力学性能的退化.     

火焰AAS法测定22种中药微量元素的含量

中药是中华医学中的重要组成部分 ,中药的性味功能与微量元素具有一定的相关性 .K,Na,Ca,Mg等是人体必需的宏量元素 ,Fe,Mn,Cu,Ni和 Zn等是人体中必需的微量元素 .这些微量元素虽然在人体中仅占不到百分之一 ,但它们在人体中却具有举足轻重的作用 ,为生命活动所不可缺少 [1 ,2 ] .为了探讨中药微量元素与治疗风湿病的关系 ,本文用火焰原子吸收法测定了 2 2种中药 Fe,Mn,Cu,Ni和 Zn的含量 .1　实验部分1 .1　主要仪器及工作条件1 80 - 70型原子吸收分光光度计 ;Fe,Mn,Cu,Ni和 Zn的空心阴极灯 (日本日立公司 ) .仪器工作条件见表 1 .1…