利用生产钛白的副产物硫酸亚铁制备透明铁黄

本文介绍了利用生产钛白的副产物硫酸亚铁制备透明铁黄的实验方法，考察了影响晶种质量及晶种氧化过程的主要因素，晶种制备过程控制温度为２５℃，加入分散剂，静置熟化０。５ｈ，氧化过程中控制ｐＨ值在８．５￣９．０，温度３５℃，反应２４ｈ后，将溶液过滤洗涤，单分散性较好。     

PES基膜表面PSS/PDADMAC多层膜的构筑及其离子截留性能

在多孔PES基膜上制备了PSS/PDADMAC聚电解质多层膜,并研究其离子截留性能.使用ATR-IR研究聚电解质多层膜在PES基膜上的生长规律,并利用SEM研究聚电解质多层膜的表面形貌.研究表明,所制聚电解质多层膜性能稳定性较好,对不同的盐溶液均具有离子截留性能,但差异显著.如所制［PSS/PDADMAC］₅PSS膜对 1 000 mg/L的MgSO₄溶液的截留率为91%,对1 000 mg/L的NaCl溶液的截留率为13%,故可应用于水溶液中一、二价离子的分离.     

纳米复合电磁线绝缘材料制备和表征

该文研究了纳米材料改性复合绝缘材料的制备方法，采用高频老化实验对样品的耐变频性能作了测定．结果表明，纳米复合绝缘材料在变频电机中的使用寿命比普通绝缘材料提高7倍以上，且纳米颗粒分散工艺对材料性能影响较大．文中还对纳米材料提高绝缘材料耐变频性能的机理进行了初步探讨．     

混晶结构纳米TiO2薄膜制备及其光催化降解甲醛

以Ti（OBu）。为前驱体，采用溶胶凝胶法在不锈钢丝网表面上制备TiO2光催化薄膜，并用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和热重一差热分析（TG-DTA）法对其进行表征．结果表明，所得TiO2光催化薄膜为锐钛金红石混晶结构，平均粒径为20～30nm．室温下利用甲醛为模拟污染物，考察了该薄膜的光催化活性．实验表明：混晶TiO2光催化薄膜对甲醛有较好的去除效果，甲醛光催化降解反应符合一级反应速率方程．     

变频电机绝缘材料破坏机理的探讨及新型绝缘材料的制备

对变频电机中电磁线绝缘材料过早破坏机理的研究现状进行了总结，并对影响变频电机电磁线绝缘材料寿命的最主要的影响因素进行了讨论．通过纳米材料改性制备了一种新型绝缘材料，改善了电磁线的耐电晕性能，提高了电磁线的耐变频寿命．     

超滤技术在反渗透海水淡化预处理中的应用

该文介绍了超滤技术,分析了超滤技术应用于海水淡化预处理的技术优势,考察了超滤系统在反渗透海水淡化预处理工程中的运行情况.实验采用50 ku和10 ku聚砜中空纤维膜组件,讨论了超滤膜孔径、操作压力、过滤时间对预处理出水浊度、COD(Cr)和膜过滤通量的影响,分析了超滤系统出水污染指数(SDI)随时间的变化情况.     

纳米SnO2/TiO2复合光催化材料的制备

利用均匀沉淀法制备纳米SnO2/TiO2复合光催化材料,考察了操作参数如pH值、水解反应温度、反应物浓度、水解反应时间对粒子制备过程的影响.当SnCl4浓度为2.0×10-2mol/l、尿素浓度为1.2 mol/l、起始pH值为0.94、反应温度为85±1 ℃、反应时间为4 h时,经600 ℃煅烧2 h获得的SnO2/TiO2颗粒的粒径为25～35 nm、单分散性较好,由锐钛矿相TiO2和四方晶系SnO2组成;该颗粒作为光催化剂处理活性艳红X-3B溶液,其活性高于纯纳米TiO2颗粒和SnO2颗粒.     

纳米二氧化钛光催化剂形态和活性的研究

应用微乳液反应法合成水合 Ｔｉ Ｏ２ ,经煅烧获得纳米 Ｔｉ Ｏ２ 粒子．采用 Ｔ Ｅ Ｍ 、 Ｘ Ｒ Ｄ、 Ｂ Ｅ Ｔ 比表面积测试等手段对粒子进行表征．结果表明,经６５０ ℃煅烧后粒子为锐钛矿型,平均晶粒尺寸为２４．６ ｎｍ ,比表面积为５３．８ ｍ ２ ／ｇ,经１０００ ℃煅烧后粒子为金红石型,平均晶粒尺寸为５３．５ ｎｍ ,比表面积为２０．３ ｍ ２ ／ｇ．考察 Ｔｉ Ｏ２ 粒子晶型对光催化降解苯酚溶液活性的影响,结果表明锐钛矿型纳米 Ｔｉ Ｏ２ 光催化活性最高     

纳米羟基磷灰石的制备及其吸附性能

以硝酸钙和磷酸二氢铵为原料用共沉淀法制备纳米羟基磷灰石(HA)，采用X射线衍射、透射电子显微镜、热重．差示扫描量热等手段对样品形态结构进行表征．结果表明，制备的六方晶型纳米羟基磷灰石长轴约为60nm，短轴约为20nm，粒径均匀且分散性较好．该文还研究了纳米HA对Ag^ 的吸附性能．     

保温时间对氧化锌压敏瓷组织和电性能的影响

采用不同的保温时间制备ZnO压敏电阻,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了保温时间对氧化锌压敏电阻电性能和显微组织影响机理.保温时间的变化对压敏瓷的相成分基本没有影响.适当的延长保温时间,压敏瓷的晶粒发育越好,晶粒尺寸越大越均匀;过长的保温时间会导致压敏瓷的晶粒粗大.保温时间的延长,压敏瓷的漏电流变化不大,致密度和电位梯度逐渐减小.研究结果表明:当保温时间为2 h时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332 V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1 μA.