中微子天体和射电子源的超光速膨胀

如果射电子源有横向喷射,喷射速度为V_0,由于中微子天体(NAO)引力透镜的放大作用,其表观的膨胀速度V≥5V_0,因而解释了某些类星体射电子源的超光速膨胀。     

关于一类图的Hamilton性

设G=(V,E)为n阶简单图,如果存在V的一个分划(V_0,V_1,…,V_m)使得: (ⅰ)或者V_0为G的团,或对每一v∈V_0,d(υ)≥n/2, (ⅱ)对于i=1,…,m,V_i是G的团,并且N(V_i)V_0UV_i, 则称G为范型图。本文给出关于这类图的Hamilton性的两个结果。     

圆盘耙的运动分析

从刚体运动学的观点看,圆盘耙耙盘的运动是一个刚体的螺旋运动。如图1所示,耙盘移动速度V_0的方向与盘面成偏角α,以盘心O为基点建立平动参照系oxyz。耙盘的运动是在随基点O以速度V_0平移的同时又绕过O点且垂直于盘面的轴以角速ω转动。将V_0沿ω方向和其垂直方向分解为V_1和V_2,即     

双体同构愉快树为能愉快串接树

本文证明了:将二棵同构的愉快树的最大标号点相连结所构造的新树为能愉快串接树,同时还证明了几类愉快树。定义:设二个同构树T_1、T_2存在一个愉快标号f,V′、V″分别为f(T_1)、f(T_2)的最大标号点,连接V′与V″所构造的新树T=(V,E)称为双体同构愉快树。定理所有的双体同构愉快树为能愉快串接树。(关于能愉快串接树的定义参见参考文献[*]。) 证明:设V(T_1)=A(T_1)∪B(T_1),A(T_1)∪B(T_1)=φ,V′∈A(T_1)。并且,如,则V_0∈B(T_1)。如V_0adjV,V_0∈V(T_1)     

关于线性空间被其真子空间覆盖问题

一般线性代数理论中有这样一个结论:V为数域(有理数域、实数域或复数域)Ω上的n维线性空间,V_1,V_2,…,V_m为V的维数小于n的子空间,则必存在向量(?)∈V,使(?)(i=1,2,…,m)。或称V不被V_1,V_2,…,Vm所覆盖。本文作如下两方面推广:1.Ω为有限域的情况;2.Ω为一般域,子空间个数为任意个的情况。定理1.Ω为有ι个元的有限域,V为Ω上的n维线性空间,V_1,V_2,…,V_m为V的维数小于n的子空间,且m≤ι,则存在(?)∈V,使(?)(i=1,2,…,m)。证明:对m应用归纳法。m=1≤ι时,显然成立。设m=k≤ι-1时定理成立,今证m=k+1≤ι时亦真。     

竞赛图的定序哈密尔顿回路

竞赛图T(V,A),V_1为V的任意一个子集,V_1={v_1,…,v_1}。若有一个回路C={u_1,…,u_r,u_t}经过V_1的诸点,即v_1=u_1,(i=1,2,…,t),并且,i,相似文献   

具有不正确设计阵和散布阵的随机回归系数和参数的G-M估计

考虑随机效应线性模型Y=Xβ+ε,E（β′,ε′）=0,Cov（（β′,ε′）′）=diag（б_1~2,б_2~2）,其中X,V≥o U≥0及A均为已知阵,α,б_1~2和б_2~2为参数,记此模型为 L（Xβ,Aα;б_1~2V,б_2~2U）,在 L（X_0β,Aα;б_1~2V_0,б_2~2U_0）下,假定X_0Aα和X_0β的G-M估计存在,我们求解下列问题:在什么条件下, L（X_0β,Aα; б_1~2V_0,б_2~2U_0）下的每个可估函数ω′_1α,ω′_2β及ω′_1α+ω′_2β的G-M估计也是L（Xβ,Aα;б_1~2V,б_2~2U）下相应待估函数的a）无偏估计;b）G-M估计     

极大对集与最优投递路线问题(续)

§4. 问题2的解法(二)--最优判别定理定理4. 1(Edmonds,见[7] )。设 M 为 G 的一个对集,则 M 为长度极大对集的充要条件是:存在一个序列 G_0,G_1,…,G_s,满足:每一个 G_i 是一个图,G_i 的边 l_j 有长度 L_i(l_j),G_i 的点 V,有位势 W_i(V_k),G_i 中有一个对集 M_i。且下述条件都成立:(a)G_0=G;M_0=M;L_0(l_j)=L(l_j),j=1,…,m。(b)W_i(V_k)≥0,i=0,1,…,s,V_k 为 G_i 中任意一个点W_j(V_(j1) )+W_i(V_(j2) )≥L_i(l_j),i=0,1,…s,l_j 为 G_i 中任一边,V_(j1) ~-,V_(j2) 为 l_j 的     

K-连通无爪图的最长u-路

本文证明了如下结果:设G是p阶K一连通的无爪图,K>2.G中任意K+1个顶点的独立集{V_1,V_2,…V_(k+1),有又设u∈V(G),为G中最长的u一路,则G[R]中不含(K-2)一路连通子图,从而不含K_(k-1),这里R=V(G)\V(P)。     

科特(Couette)数Pr=1的环隙科特紊流

本文论述了科特数Pr=1的这种流动的研究成果。实验是在剪切流已充分发展,泰勒涡充分抑制的始发条件下在η=R_2/R_1=1.022的设备中进行的。第1次取得了覆盖整个不可压缩流范围(V_0=4.96～80m/s)的这种流动的定常的二维流场数据。实验证明:贴近动壁存在一厚度为δ/h=10/Re c_(f1)~(1/2),流速为1-μδ/V_0=(Reδ)~(1/2)·(c_(f1)~(1/2)=10 (c_(f1))~(1/2)的线性层,文中还提出了动壁面的阻力系数为c_(f1)=0.01/Re~(0.15)与断面平均流速公式v/V_0=0.89/Re~(0.214),以及经过修正后的对数圆周切线速度模型u/V_(max)=■/V_0In(h-αδ)/(y-αδ)。这个模型能准确地通过线性层端点(δ/h,uδ/V_0),平均流速点(y/h=0.368,■/V_0)与最大流速点(y/h=1,V_(max)/V_0=1)的坐标。     

2循环图的同构

设n>1是整数,K(?)N={1,…,n-1}.以V={V_0,V_1,…,v_(n-1)}为点集E={V_iV_j|j-i∈K}为有向边集的图称为循环图,记作G_n(K).证明了当K,H(?)N|K|=|H|=2时,G_n(K)≌G_n(H)蕴含存在自然数r∈N,满足(r,n)=1,使得rK=H.     

关于发射人造地球卫星的最佳轨道(Ⅲ)

(一) 在[1]、[2]中,若就指标f=V_0+△V_1而言,则我们在限定目标轨道为椭圆轨道的前题下,考虑的最佳发射轨道也仅在椭圆轨道的范围内,并且就γ_0<γ_p及γ_p<γ_0 <γ_A的情况分别求出了对应情况的介析介。本部分仍以f=V_0+△V_1作为指标,而且目标轨道也仍为椭圆轨道;但考虑的是γ_0>γ_A的情况,而且轨道的选择范围扩大到任意的圆锥曲线轨道的情况。得到了此时的最佳发射轨道的介析介,它也是以目标椭圆轨道的近地点P进入的椭圆轨道(见图4)。     

一阶非线性椭圆型复方程的非线性间断边值问题

的非线性间断边值问题。不失一般性,可以认为区域D是单位圆|z|<1内去掉N个圆的N 1连通圆界区域,其边界为|z-z_j|=y_j(j=0,1,…,N),为|z|=1,z=0∈D.并设复方程(1.1)在D上满足如文[1]、[2]中所述的条件C,其中主要条件有:对于几乎所有的z∈D,W,V_1,V_2∈E(全平面),以下不等式成立:(1.2) |F(z,w,V_1)-F(z,w,V_2)l≤q_0|V_1-V_2|,0≤q_0<1;     

浅谈中学力学教学中易忽视的问题——惯性系

<正>1动能定理问题如图1所示,质量为M的木块以速度V1在光滑水平面上滑行,现有一质量为m的子弹以水平初速V0射入木块,并最终与木块保持以共同的速度V运动,木块前进的距离为S,子弹钻入木块的深度为d,子弹与木块间的平均阻力大小为f。求fS及fd的表图达1式。     

一类无短圈环面图的顶点森林分解问题

令G=(V,E)是一个图.G的一个(F,F_d)-分解是指将G的顶点集合V分解为2个子集合V_1和V_2,使得子图G[V_1]是森林,G[V_2]是最大度至多为d的森林.通过对极小反例图进行结构分析,并利用权转移方法证明:不含4-圈和6-圈的环面图有(F,F_3)-分解.     

零级反应与化学平衡

<正> 一、问题的提出根据化学热力学基本原理可以证明:一般的可逆反应在一定条件下达到化学平衡状态后,改变任一组分的浓度都会使平衡发生移动。按照化学动力学的观点,反应达到平衡时,正、逆反应速度相等,即V_正=V_逆≠0。当反应条件的改变引起正、逆反应速度相对变化,使V_正≠V_逆时,平衡被打破并发生移动。将热力学的观点与动力学的观点联系起来分析浓度对化学平衡的影响,自然会得出     

方差估计以及两个方差分量同时估计的可容许性

考虑线性模型 EY_(n×i)=X_(n×)β_(n×i) DY=σ~2V,V≥0,σ~2>0未知 (*)以及方差分量模型 EY_(n×i)=X_(n)β_(n×i) DY=σ_1:V_i+σ_2V_2,V_i≥0,V_2≥0,σ_i,σ_2>O未知 (**)其中γ(X_(n×m)=n,对模型(*)令D={d(A)=Y＇AY,A≥0}损失函数为L~(1)(d(A),σ~2)=σ~(-4)(Y＇AY-σ~2)~2,对模型(**)令D~(2)={d(A_i,A_2)=(Y＇A_iY,Y＇A_2Y),A_i≥0,A_2≥0},损失函数为L~(2)(d(A_i,A_2),(σ_i,σ_2))=σ_i(Y＇A_iY-σ_i)~2+σ_2(Y＇A_2Y-σ_2)~2,本文对模型(*)给出了d(A)为σ~2的D~(1)容许估计的充分条件,对模型(**)给出了在V_i+V_2>0的限制下,d(A_i,A_2)为(σ_i~2,σ_2~2)的D~(2)容许估计的充分条件。分别推广了文[3],[5]中的有关结果。     

M/a-Si势垒的静态分析

本文证明:对于任意连续的晶硅(α-S1)隙态密度分布g(E),非晶硅肖特基势垒(M/α-Si)的剖面是V(x)=A(x)(V_(bi)-u)exp(-Lx)+uA(x)=(exp(-2L(x_n-x))+1)/(exp(-2Lx_n)+1)这里u=r/L~2, r=en_e/kk_0, L~2=α~2g(Ei)/kk_0,x_n是势垒宽度.n_0是导带过剩电子密度,k和k_0分别是α-Si的介电常数和真空电容率.如果隙态过剩电子密度N_t>>n_e,则有V(x)=V_(bi)·exp(-Lx)这里V_(bi)是M/a-Si的内建势,而N_t=g(Ei)(E_(fn)-E(fi), N_1+n_e=N?这里E(fn)和E(fi)分别是n型α-Si和本征α-Si的费米能级,N?是电离施主浓度,g(E_i)是E=E_i时g(E)的值,并且在本文中称它为"α-Si有效隙态密度”.     

窄脉冲高效能矩形脉冲功率源电路(二)

<正> 三、延时放电回路(三)电路参数估算1.要求与给定条件(1)t_8按0.3μs 计算;(2)为使开关电路在延时结束后尽快导通,要求延迟时间t_8在0.5τ左右;末级工;东圾功率管BG_9进入过驱功(S=6时*)所需时间t_1不大于1.5τ;(3)各晶体管BG_7～BG_9的h_FEs 按60计算,末级功率管BG_9的最大饱和深度应大下6;(4)末级功率管BG_9的集电极电流I_(c9)按4A计算;(5)开关电路的起始导通电压V_B(t)按1.5V 计算(V_(BE7)=V_(BE8)=V_(BE9)=0.5V),     

线性空间的子空间之直和的等价条件(摘要)

定理设V_1,V_2,…,V_s是线性空间V的子空间,W=sum from =1 to V,则下列条件等价 1°W的任一向量表法唯一; 2°W的一个固定向量表法唯一; 3°W的零向量θ表法唯一; 4°V ∩ sum from j=i to V={θ},i=1,2,…,s; 5° V_i ∩ sum from =1 to i-1 V={θ},i=2,3,…,s; 6°若B_i为V_i的一基底,则B∩( B)=φ,φ表示空集,i=2,3,…s,且 B_ 是W的一基底; 7°同6°,有B ∩( B)=∩,且 B是W的一基底;