应用MFT分析R_2Fe_(17-x)M_x(R=Pr,Nd;x=0.2;M=Al,Ga)合金的磁性

用两亚点阵ＭＦＴ分析了Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ合金的饱和磁化强度与温度的关系。得到了分子场系数ｎＲＲ、ｎＲＦ和ｎＦＦ，计算出了居里温度，给出了分子场ＨＲ（Ｔ）、ＨＦｅ（Ｔ）与温度的关系曲线。计算结果表明，在Ｒ２Ｆｅ１７中用Ａｌ、Ｇａ替代部分Ｆｅ离子后，分子场系数ｎＦＦ明显增大，除Ｐｒ２Ｆｅ１７的ＨＲ（Ｔ）外，分子场强度在很大温度范围内显著增加     

MFT对R—T化合物R2Fe17Mx（R=Pr,Nd：Mx=0,N3或D4.8）的磁性分析

】用二亚点阵ＭＦＴ分析Ｒ２Ｆｅ１７Ｍｘ的饱和磁化与温度的关系。得到了分子场系数ｎＲＲ、ｎＲＦ和ｎＦＦ，计算出了居里温度，给出了交换场ＨＲ（Ｔ）、ＨＦｅ（Ｔ）与温度的关系曲线。结果表明，在Ｒ２Ｆｅ１７中渗入Ｎ或Ｄ后，Ｍ２Ｆｅ（０）和ｎＦＦ明显增大，交换场也相应增大，居里温度主要取决于Ｍ２Ｆｅ（０）和ｎＦＦ。     

分子场理论分析R2Fe17—xMx和R2Fe17N3稀土合金

用分子场理分析分析了稀土化合物Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ和Ｒ２Ｆｅ１７Ｎ３（Ｒ＝Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ：Ｍ＝Ａｌ；ｘ＝０，２）的温度磁化曲线，计算出分子场 数ｎＲＲ，ｎＲＦ，ｎＦＦ。由分子场系数，计算了Ｆｅ－Ｆｅ、Ｒ－Ｒ、Ｒ－Ｆｅ的相互作用对Ｔｃ的贡献ＴＦＦ、ＴＲＲ、ＴＲＦ。     

用MFT分析Ce2Fe17,Nd2Fe17,Ce2Fe17N3,Nd2Fe17Ne化合物的…

用两格点分子场理论分析了Ｃｅ２Ｆｅ１７，Ｎｄ２Ｆｅ１７，Ｃｅ２Ｆｅ１７Ｎｅ，Ｎｄ２Ｆｅ１７Ｎ３的饱和磁化强度随温度的变化关系，依靠计算机，用数值计算的方法得到了场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ，计算结果与实验基本一致．计算结果表明，氮元素增大了化合物各元素之间的相互作用能；增大了交换场ＨＲ使居里温度升高。     

用MET分析NdFe10V2,NdFe10V2N0.5,NdFe10Mo2,NdF…

用两格点分子场理论分析了ＮｄＦｅ１０Ｖ２，ＮｄＦｅ１０Ｖ２Ｎ０．５，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２Ｎ０．５的饱和磁化强度随温度的变化关系；得到了分子场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ。计算结果与实验基本一致，计算结果表明，氮元素增大了交换场ＨＲ。     

用MFT分析Ce2Fe17，Nd2Fe17，Ce2Fe17N3，Nd2Fe17N3化合物的内秉磁性

用两格点分子场理论分析了Ｃｅ２Ｆｅ１７，Ｎｄ２Ｆｅ１７，Ｃｅ２Ｆｅ１７Ｎ３，Ｎｄ２Ｆｅ１７Ｎ３的饱和磁化强度随温度的变化关系；依靠计算机，用数值计算的方法得到了分子场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ，计算结果与实验基本一致；计算结果表明，氮元素增大了化合物各元素之间的相互作用能；增大了交换场ＨＲ，使居里温度升高．     

RnFem化合物HR／MFe的温度关系

利用两格点分子场理论计算了ＲＦｅ３（Ｒ：稀土元素）、Ｒ２Ｆｅ１４Ｂ和ＲＦｅ１０Ｖ２化合物的ＨＲ（Ｔ）／ＭＦｅ（Ｔ）在不同温度下的数值。计算表明，ＨＲ（Ｔ）／ＭＦｅ（Ｔ）的数值随温度的升高而单调减小（Ｓｍ除外）。并给出了ＨＲ（Ｔ）／ＭＦｅ（Ｔ）的温度曲线用最小二乘法拟合的结果。     

用MET分析NdFe_（10）V_2，NdFe_（10）V_2N_（0．5）Nd

用两格点分子场理论分析了ＮｄＦｅ１０Ｖ２，ＮｄＦｅ１０Ｖ２Ｎ０．５，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２Ｎ０．５的饱和磁化强度随温度的变化关系，得到了分子场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ，计算结果与实验基本一致，计算结果表明，氮元素增大了交换场ＨＲ．     

R2Fe17—xCrx（R=Y,Dy,x≤3）化合物的磁交换作用

利用Ｘ射线衍射的方法及磁性测量手段研究了Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＣｒｘ（Ｒ＝Ｙ,Ｄｙ,ｘ≤３）化合物,给出了其居里点的变化情况,即随ｘ的增大,居里温度增大,在ｘ近似为１．０时达到最大值。利用分子场理论计算了磁交换作用系数并从磁交换作用出,对其居里温度的变化情况进行了分析。     

R（Fe0.8Mn0.2）12（R=Y,Nd）化合物及其氮化物的晶体结构和磁性

利用Ｘ射线衍射技术的磁测量方法研究了Ｙ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２（Ｒ＝Ｙ和Ｎｄ）及其氮化物的结构和磁性，实验发现Ｙ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２和Ｎｄ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２在室温下均为铁磁性，其易磁化方向分别沿Ｃ轴与锥面，氮化后，晶格常数，居里温度和磁强度显著增加，此外，氮化物的磁晶各向异性也发生了根本变化，铁次晶格的易磁化方向转向基面，钕次晶格的易磁化方向则转到Ｃ轴。     

金属间化合物RCo4B（R=Y,Pr,Nd,Gd,Er）的分子场理论分析

将二亚点阵分子场理论用于化合物ＲＣｏ４Ｂ，分析磁性与温度的关系，计算出了居里温度Ｔｃ，从理论上给出磁矩Ｍ（Ｔ）与温度的关系曲线，计算结果与实验相一致     

Co－Sn替代钡铁氧体的制备及其磁性

用化学共沉淀工艺制备了可望用作高密度垂直磁记录介质的Ｃｏ－Ｓｎ替代钡铁氧体系列微软样品ＢａＦｅ＿（１２－２ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｎ＿ｘＯ＿（１９），其中ｘ可取值为０，０．２，０．４，０．５，０．６，０．８，１．２．给出了最佳制备条件：反应温度ｔ＝８０℃，体系的ｐＨ值ｐＨ＝１１．８，热处理温度Ｔ＿ｈ＝９２５℃。对所制备的系列样品进行了透射电镜（ＴＥＭ）观测和ｘ光衍射（ＸＲＤ）测试，给出了颗粒的形貌和大小以及晶体结构和晶格常数。用振动样品磁强计（ＶＳＭ）对宏观磁性进行了测试，给出了宏观磁性与替代浓度关系。     

Tm_2Fe_（17）C_x化合物自旋重取向的理论研究

用单离子模型计算了Ｔｍ＿２Ｆｅ＿（１７）Ｃ＿ｘ化合物中稀上离子Ｔｍ￣（３＋）的磁晶各向异性稳定能随温度的变化关系．并考虑到铁次晶格的易磁化面，最后算出了Ｔｍ＿２Ｆｅ＿（１７）Ｃ＿ｘ自旋重取向温度与Ｃ原子含量之间的关系。     

应用LCAO方法计算新型稀土永磁Y2Fe17Cx的居里温度

使用ＬＣＡＯ对永磁系列Ｙ２Ｆｅ１７Ｃｘ（ｘ＝０，１，２，３，）的电子结构计算结果，计算了该系列模型材料的居里温度，并和基底材料Ｙ２Ｆｅ１７作了对比．居里温度的增长系数和实验符合较好．     

Y_2(Fe_(1-x)Ga_x)17化合物的Mssbauer效应研究

用穆斯堡尔效应研究了Ｙ２Ｆｅ１７化合物中，用Ｇａ取代部分Ｆｅ之后，材料的性质变化规律．实验结果表明，在Ｙ２（Ｆｅ１－ｘＧａｘ）１７中，其结构随ｘ的增加发生从Ｔｈ２Ｎｉ１７相到Ｔｈ２Ｚｎ１７相的转变；晶格常数随ｘ的增加而增加；居里温度，超精细场都在Ｔｈ２Ｎｉ１７，Ｔｈ２Ｚｎ１７混和相附近有极大值；Ｇａ原子优先取代１２ｋ（１８ｈ）晶位Ｆｅ原子．     

Sm2Fe17Cx化合物晶场系数计算

介绍了一种确定稀土化合物Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｃｘ晶格中原子坐标的方法，给出了部分原子坐标，并用点电荷模型分别计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７和Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｃｘ化合物晶场系数。     

Sm2Fel7-xGaxCy化合物磁晶各向异性的晶场分析

用单离子模型晶场理论计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物的磁晶各向异性场随温度和Ｇａ、Ｃ含量的变化关系,讨论了不同晶位的Ｇａ原子和间隙位Ｃ原子对磁晶各向异性的贡献。从而解释了Ｇａ原子对Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ和Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物磁晶各向异性的影响。     

永磁材料R_(1-δ)(2T)_δT_5型化合物[(R=稀土元素,T=Fe,Co,Ti,V,等过渡金属元素),(δ=2/5,1/2)]的结构和磁性

总结了稀土金属（Ｒ）与过渡金属（Ｔ）化合物ＲＴ５型系列衍生物中Ｒ３（Ｆｅ,Ｍ）２９和Ｒ（Ｆｅ,Ｍ）１２的结构和内禀磁性,以及它们之间的关系．阐述了稳定元素（Ｍ）和嵌入轻原子（Ｎ,Ｃ,Ｈ）对其结构和内禀磁性的影响。     

Sm2Fe17化合物中Ga替代效应的理论分析

用单离子模型计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ中的晶场，给出了晶场系数随Ｇａ含量的变化关系。在晶场和交换作用近似下，计算了体系的自由能随Ｇａ含量和温度的变化关系，用最小二乘法拟合自由能给出各向异性常数Ｋ，Ｋ２从而得到各向异性场Ｂａ。计算结果与实验中的规律基本符合。     

帐蓬空间的一点注记

设ｆ（ｘ）是Ｒ＾ｎ上的可测函数，ｕ（ｘ，ｔ）＝ｆ＊ｐｔ（ｘ）为ｆ的Ｐｏｉｓｓｏｎ积分，定义算子Ｆ（ｆ）（ｘ，ｔ）＝ｔ（θｕ（ｘ，ｔ）／θｔ）。在本注记中我们首先给出一则反例以说明Ｆ不是Ｌ＾∞（Ｒ＾ｎ）到帐蓬空间Ｔ＾∞的有界算子，然后证明了Ｆ却是ＢＭＯ（Ｒ＾ｎ）到Ｔ＾∞的有界算子。它补充、完善了Ｃｏｉｆｍａｎ－Ｍｅｙｅｒ－Ｓｔｅｉｎ的结果。