用MET分析NdFe10V2,NdFe10V2N0.5,NdFe10Mo2,NdF…

用两格点分子场理论分析了ＮｄＦｅ１０Ｖ２，ＮｄＦｅ１０Ｖ２Ｎ０．５，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２Ｎ０．５的饱和磁化强度随温度的变化关系；得到了分子场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ。计算结果与实验基本一致，计算结果表明，氮元素增大了交换场ＨＲ。     

用MFT分析Ce2Fe17，Nd2Fe17，Ce2Fe17N3，Nd2Fe17N3化合物的内秉磁性

用两格点分子场理论分析了Ｃｅ２Ｆｅ１７，Ｎｄ２Ｆｅ１７，Ｃｅ２Ｆｅ１７Ｎ３，Ｎｄ２Ｆｅ１７Ｎ３的饱和磁化强度随温度的变化关系；依靠计算机，用数值计算的方法得到了分子场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ，计算结果与实验基本一致；计算结果表明，氮元素增大了化合物各元素之间的相互作用能；增大了交换场ＨＲ，使居里温度升高．     

分子场理论分析R2Fe17—xMx和R2Fe17N3稀土合金

用分子场理分析分析了稀土化合物Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ和Ｒ２Ｆｅ１７Ｎ３（Ｒ＝Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ：Ｍ＝Ａｌ；ｘ＝０，２）的温度磁化曲线，计算出分子场 数ｎＲＲ，ｎＲＦ，ｎＦＦ。由分子场系数，计算了Ｆｅ－Ｆｅ、Ｒ－Ｒ、Ｒ－Ｆｅ的相互作用对Ｔｃ的贡献ＴＦＦ、ＴＲＲ、ＴＲＦ。     

用MFT分析Ce2Fe17,Nd2Fe17,Ce2Fe17N3,Nd2Fe17Ne化合物的…

用两格点分子场理论分析了Ｃｅ２Ｆｅ１７，Ｎｄ２Ｆｅ１７，Ｃｅ２Ｆｅ１７Ｎｅ，Ｎｄ２Ｆｅ１７Ｎ３的饱和磁化强度随温度的变化关系，依靠计算机，用数值计算的方法得到了场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ，计算结果与实验基本一致．计算结果表明，氮元素增大了化合物各元素之间的相互作用能；增大了交换场ＨＲ使居里温度升高。     

MFT对R—T化合物R2Fe17Mx（R=Pr,Nd：Mx=0,N3或D4.8）的磁性分析

】用二亚点阵ＭＦＴ分析Ｒ２Ｆｅ１７Ｍｘ的饱和磁化与温度的关系。得到了分子场系数ｎＲＲ、ｎＲＦ和ｎＦＦ，计算出了居里温度，给出了交换场ＨＲ（Ｔ）、ＨＦｅ（Ｔ）与温度的关系曲线。结果表明，在Ｒ２Ｆｅ１７中渗入Ｎ或Ｄ后，Ｍ２Ｆｅ（０）和ｎＦＦ明显增大，交换场也相应增大，居里温度主要取决于Ｍ２Ｆｅ（０）和ｎＦＦ。     

应用MFT分析R_2Fe_(17-x)M_x(R=Pr,Nd;x=0.2;M=Al,Ga)合金的磁性

用两亚点阵ＭＦＴ分析了Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ合金的饱和磁化强度与温度的关系。得到了分子场系数ｎＲＲ、ｎＲＦ和ｎＦＦ，计算出了居里温度，给出了分子场ＨＲ（Ｔ）、ＨＦｅ（Ｔ）与温度的关系曲线。计算结果表明，在Ｒ２Ｆｅ１７中用Ａｌ、Ｇａ替代部分Ｆｅ离子后，分子场系数ｎＦＦ明显增大，除Ｐｒ２Ｆｅ１７的ＨＲ（Ｔ）外，分子场强度在很大温度范围内显著增加     

［Fe（CN）_5H_2O］~（3－）还原［（NH_3）_5Co（OOCC_5

在μ＝０．１０ｍｏｌ·１￣（－１）（ＬｉＣｌＯ＿４）、ｐＨ＝８．０对不同温度下［Ｆｅ（ＣＮ）＿５Ｈ＿２Ｏ］和［（ＮＨ＿３）＿５Ｃｏ（ＯＯＣＣ＿５Ｈ＿４Ｎ）］￣（２＋）的内配位界电子转移反应进行了动力学研究。在２５℃，双核配合物［（ＮＨ＿３］＿５Ｃｏ（ＯＯＣＣ＿５Ｈ＿４Ｎ）Ｆｅ（ＣＮ）＿５］￣－的分子内电子转移速率常数为３．９×１０￣（－１），分子内电子转移过程的活化焓和活化熵分别为８９．５ｋＪ·ｍｏｌ￣（－１）和６．０Ｊ·ｍｏｌ￣（－１）·Ｋ￣（－１）最后对该反应的机理、速率常数和绝热性进行了讨论。     

LnMgB_5O_（10）：Mn~（2＋）（Ln＝La，Gd，Y，Ce）体系中Mn~（2＋）的双重谱与配位场参数

研究了ＬｎＭｇＢ５Ｏ（１０）：Ｍｎ（２＋）（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｃｅ）体系中稀土离子对Ｍｎ（２＋）的双重谱的影响．从理论上计算了Ｍｎ（２＋）的离子能级和配位场参数，论述了双重谱的成因，理论分析与实验结果较为吻合．     

~（90）Zr（n，2n）~（89）Zr反应截面测量

用活化法以９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面为中子注量标准，对９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９Ｚｒ反应截面进行了测量．测得的１３．６４，１３．８０，１４．０１，１４．３５，１４．６２和１４．８０ＭｅＶ中子引起的９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９Ｚｒ反应截面值分别为４８３．０±１０．６，５３９．７±１１．９，６０６．３±１３．３，７１０．６±１５．６，７７５．４±１７．１和８２５．５±１８．２ｍｂ．单能中子由Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ反应获得，中子能量由硅控测器法测定．并把本工作的数据和其他一些作者的数据进行了比较     

MgTiO3晶体中3d^5离子的占位研究

用叠加模型分析晶场参量，用微扰法计算ＭｇＴｉＯ３晶体中Ｍｎ２＋和Ｆｅ３＋离子的零场分裂（ＺＦＳ）参量ｂ０２，ｂ０４和ｂ３４．将计算值与实验值比较，确定了３ｄ５离子的占位和移动．对于ＭｇＴｉＯ３：Ｍｎ２＋，Ｍｎ２＋可能替代Ｍｇ２＋离子，且不发生移动；对于ＭｇＴｉＯ３：Ｆｅ３＋，Ｆｅ３＋同时替代Ｍｇ２＋和Ｔｉ４＋离子，且分别向八面体中心移动０．００８９ｎｍ和０．０１６ｎｍ．     

RnFem化合物HR／MFe的温度关系

利用两格点分子场理论计算了ＲＦｅ３（Ｒ：稀土元素）、Ｒ２Ｆｅ１４Ｂ和ＲＦｅ１０Ｖ２化合物的ＨＲ（Ｔ）／ＭＦｅ（Ｔ）在不同温度下的数值。计算表明，ＨＲ（Ｔ）／ＭＦｅ（Ｔ）的数值随温度的升高而单调减小（Ｓｍ除外）。并给出了ＨＲ（Ｔ）／ＭＦｅ（Ｔ）的温度曲线用最小二乘法拟合的结果。     

流化床中NO,N_2O的来源及影响因素

简要地介绍了流化床中NO,N_2O的来源,以实验室规模进行了N_2O随床温变化的排放规律及沿炉膛高度的N_2O分布规律的试验研究,并对取样技术进行了研究.     

MOCVD制备Mo2C膜成膜机理

对ＭＯＣＶＤ制备Ｍｏ２Ｃ膜的物理化学机理进行理论探讨。根据实验结果论证了ＭＯＣＶＤ制备Ｍｏ２Ｃ膜过程中,Ｍｏ（ＣＯ）６遵从先被基底吸附、发生相变再进行分解的两步机制;Ｍｏ（ＣＯ）６的分解过程是级联式分解,最后由Ｍｏ碳化为Ｍｏ２Ｃ膜;利用Ｇｉｂｂｓ函数最小的原理,对ＭＯＣＶＤ沉积Ｍｏ２以ＩＰ ＲＣ ＹＩＤ Ｒ ＦＫＦ ＤＭＨ ＡＤＷＲＢＩＢ ＯＶＴ ＦＪＴＦＹＦＴＨ,ＲＰＷＳＶＦ Ｂ ＤＮ ＥＡＪＤ     

N_(7207)萃取钼的研究

采用 N72 0 7从无机酸体系中萃取钼 ,考察了影响萃取平衡的主要因素 ,筛选出反萃取条件。萃取钼的最佳条件为起始水相 p H值为 2 .3,萃取剂浓度为 0 .0 1m ol/L ,经二级错流萃取 ,萃取率可达 99.40 % ,而采用 0 .5 mol/L的氢氧化钠反萃负载有机相 ,一级反萃率可达 10 0 % ,并经紫外可见光谱确证 ,其萃取钼的机理属于离子缔合物萃取体系的阴离子交换反应     

稀土硫酸盐对Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4离子导电性的影响

为了开发用于SO_2气体传感器的固体电解质材料。对掺杂稀土硫酸盐的Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4体系的离子导电性和相关系进行了研究,取得了良好的结果;在掺有4m/oPr_2(SO_4)_3的体系中,280℃时电导率达到10~(-3)Ω~(-1)cm~(-1);差热分析表明,没有相变发生,成功地将Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4的高温快离子导电相稳定到了室温。     

Cu0.5Zr2(PO4)3:Cu2+中心g因子研究

由于Cu0．5Zr2(PO4)3晶体具有良好的离子传导能力、催化特性、较低的热膨胀性，对它的研究引起了广泛的关注．本文引入平均共价因子N，并结合晶体结构数据给出了3d^9离子在晶场D4h下的g因子公式，利用该公式并结合Cu0．5Zr2(PO4)3晶体的具体结构数据对Cu0．5Zr2(PO4)3晶体中CU^2 中心的EPRg因子进行了理论分析计算，所得到的结果与实验值基本吻合．     

Sm0.5Eu0.5(Hacac)2HAA三元配合物的合成及其光致发光

合成了稀土配合物Sm(Hacac)2HAA和Sm0.5Eu0.5(Hacac)2HAA并通过红外光谱、元素分析确定了其组成,探讨了它们的光谱特征.结果表明:Sm(Hacac)2HAA和Sm0.5Eu0.5Hacac)2HAA的均发出Sm3+的特征光谱,发射峰在647 nm;Eu3+的掺入提高了配合物Sm0.5Eu0.5...     

WO3和V2O5薄膜电致变色器件特性研究

采用电子束和热蒸发分别制备了WO3和V2O5薄膜,研究了WO3薄膜的电化学、循环耐用性、电致变色特性,分析了V2O5薄膜的Li离子储存性能、Li离子的注入／退出可逆性以及离子注入对光学性能的影响,并讨论了WO3薄膜/Li离子电解质／V2O5薄膜构成的灵巧窗器件的电致变色特性．实验结果表明,这样构成的灵巧窗器件具有比较理想的光学调制性能．