超声在制备SiC／Al—Mg颗粒增强复合材料中的应用

通过高强度超声处理ＳｉＣ颗粒均匀散于铝液中，获得了组织结构良好的ＳｉＣ／Ａｌ－Ｍｇ颗粒增强复合材料，讨论了超声对改善ＳｉＣ颗粒与铝液之间的润湿性和实现颗粒在铝液中均匀分散作用。结果表明，超声处理是制取颗粒增强金属基复合材料有效方法。     

高能超声在制备颗粒增强金属基复合材料中的作用

采用高能超声处理方法制备了致密度高、增强颗粒均匀分散的ＳｉＣ／ＺＡ２２基复合材料．对复合材料制备过程中高能超声的作用机理、有效作用范围进行了分析．结果表明,在试验所用高能超声处理条件下（２０ｋＨｚ,１ｋＷ）,熔液中能造成瞬时局部高温、高压的声空化效应与具有较高速度和加速度的声流效应的协同作用,是高能超声处理技术在制备颗粒增强金属基复合材料时改善增强颗粒与基体合金润湿性,并使颗粒在合金中弥散分布的原因．而高能超声在熔体中有限的有效作用区域,要求利用该技术制备复合材料时,必须在工艺上保证熔体的各个部位均能受到高能超声的有效作用才能获得优质的复合材料     

SiCp/Al复合材料的制备与组织研究

重点探讨了一种制备ＳｉＣ颗粒增强铝基复合材料的新的工艺方法，即粉末预制块重溶稀释法。利用普通设备，探索了制备工艺过程，分析了金相组织。同时与粉末冶金法制备的组织作了比较。结果表明，采用粉末预制块重熔稀释、铝液中加活性元素（Ｍｇ）、适当提高铝液温度和机械搅拌等方法有效地改善了ＳｉＣ颗粒与铝基体的润湿性，制备了较为满意的ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料。     

SiCp／LY12复合材料在NaCl水溶液中的腐蚀特性

研究了ＳｉＣ颗粒增强ＬＹ１２复合材料在质量分数为３．５％的ＣａＣｌ水溶液中的电化学行为和腐蚀特性，考察了ＳｉＣ加入量的影响，探讨了增强体／基体界面的腐蚀行为在复合材料腐蚀中的作用，结果表明：复合材料的电化学行为与未增强材料相似，腐蚀形态为点蚀和均匀腐蚀，界面区的优先溶解造成了复合材料表面的均匀腐蚀，并在一定程度上掏了点蚀。     

SiCp 在 Al 基复合材料中分散行为的研究

研究了合金熔体的固相率、搅拌速度、合金元素加入量、粒子预处理和搅拌时间等因素对Ａｌ基复合材料中ＳｉＣ粒子分散行为的影响和ＳｉＣ粒子在Ａｌ合金熔体中的混合过程．实验结果表明，４０％～５０％的熔体固相率最适宜粒子在熔体中混入，由于Ｌｉ极易氧化不利于ＳｉＣ粒子在熔体中的均匀分散．而且随搅拌时间的延长和Ｍｇ量的增多，ＳｉＣ粒子的分散更趋向均匀化．     

SiC_w／Y－TZP陶瓷复合材料的力学性能与增韧机理

研究了热压烧结ＳｉＣ晶须（ＳｉＣｗ）增强Ｙ－ＴＺＰ陶瓷基复合材料的力学性能及增韧机理。结果表明，在ＳｉＣ晶须分散均匀的情况下，晶须含量达１５ｖｏｌ％时，复合材料的力学性能优于基体材料的力学性能。当ＳｉＣｗ含量为１０ｖｏｌ％时，复合材料的强度和断裂韧性分别为１０３６．９±１５．１ＭＰａ和１４．０１±０．１６ＭＰａ·ｍ（１／２）。晶须引起的裂纹偏转、晶须拔出和由ＺｒＯ２相变引起的孪晶是该复合材料的主要增韧方式。     

工艺因素对SiCp／Mg复合材料中颗粒分布的影响

对机械搅拌法制备ＳｉＣ颗粒增强镁基复合材料的工艺过程进行了探索，着重研究了搅拌温度、搅拌头位置，搅拌速率以及搅拌时间等工艺因素对复合材料中ＳｉＣ颗粒分散性的影响。形成了一种制备微细ＳｉＣ颗粒增强Ｍｇ－３Ａｌ基复合材料的工艺方法，并获得相应工艺参数。     

增强颗粒形状对Al/SiC复合材料室温下阻尼特性的影响

利用有限元方法对Ａｌ／ＳｉＣ复合材料的阻尼特性进行了数值模拟，着重研究了增强颗粒的几何形状对Ａｌ／ＳｉＣ复合材料室温阻尼特性的影响，结果显示圆形的增强颗粒的效果最好，同时还发现当增强颗粒的体积分数为４．５％～５．０％时，材料的阻尼特性最好     

热压烧结制备晶须补强复合材料

通过热压烧结成功地制备了高致密度的ＳｉＣｗ晶须补强ＣＭＡＳ玻璃陶瓷基复合材料．ＳｉＣｗ晶须经超声波分散以后,加入到已球磨好的ＣＭＡＳ粉末与有机添加剂的浆料中,搅拌得到ＳｉＣｗ分散均匀的混合浆料．含有机添加剂的浆料在较低的压力下（２．３７ｋＰａ）挤压通过微孔（＝２５０μｍ）,获得ＳｉＣｗ晶须分散均匀并高度取向的纤维状生坯．含晶须２０％的ＣＭＡＳ通过无压烧结,烧结后样品相对密度仅达８０％．但是通过热压烧结就可制备出相对密度达９４．２％的复合材料．     

SiC_p/Al复合材料的自浸渗工艺

研究了在大气条件下制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料的新方法该方法以Ｋ２ＴｉＦ６为助渗剂,使其与碳化硅颗粒均匀混合,在浸渗用的铸模中制成混合体,由液态铝或其合金自动浸渗,制备碳化硅增强的铝基复合材料ＳｉＣｐ／Ａｌ分析了影响工艺过程的若干因素指出用该工艺制备复合材料的可行性并对浸渗机理进行初步探讨     

铝合金复合材料的制备与性能

介绍了铝合金复合材料（ＭＭＣ）的生产途径和制备工艺；用粉末冶金法制备了ＳｉＣｐ增强铝合金ＭＭＣ，并对其进行了力学性能测试和断裂行为分析；综述比较了用不同工艺生产的ＭＭＣ的性能及影响因素；试图说明增强体／基体界面结合力是铝合金ＭＭＣ性能的控制因素；指出寻求适当的界面结合是ＭＭＣ设计中的一个重要内容     

SiCp/Mg-Zn-Zr复合材料的制备及其阻尼性能

采用搅拌铸造法制备SiC颗粒增强Mg-Zn-Zr复合材料，并分析了Mg-Zn-Zr复合材料的压缩强度和内耗与SiC粒度的关系.结果表明：加入粒度10 μm的SiC颗粒，可使基体合金的压缩强度增加；SiC粒度为20 μm的复合材料阻尼性能优于SiC粒度为10和50 μm的复合材料.     

SiC 粒子增强铝基复合材料的断裂行为

通过拉伸和两种缺口断裂韧性试验（４ＰＢ和３ＰＢ）及断口和卸载试样金相观察分析,对ＳｉＣ粒子增强铝基复合材料的断裂行为进行了研究．结果表明：ＳｉＣ粒子与基体界面发生脱粘开裂形成微裂纹并扩展进入基体是其主要断裂过程．在ＳｉＣ粒子加入量相同,并进行Ｔ６处理的条件下,大尺寸ＳｉＣ粒子的复合材料具有较高的断裂强度和断裂韧性．     

搅拌铸造SiCp/ZL101复合材料孔隙率的研究

阐述了搅拌铸造制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料孔隙率的测定方法,分析了复合材料中形成孔隙的原因和影响因素,并从真空度、搅拌杆形状、搅拌时间、浇注系统设计、浇注方式、改善SiC和基体界面浸润性等方面,探讨了降低搅拌铸造制备铝基复合材料孔隙率的措施和方法.结果表明,通过采取合理的制备方法和工艺参数,可以有效地使所制备材料的孔隙率降低到1%,提高材料的复合质量.     

纳米SiC颗粒增强铝基复合材料的拉伸性能

用粉末冶金法制备了纳米SiC颗粒增强纯Al基复合材料(AlMMCs),对该材料的微观结构和拉伸性能进行了研究·结果表明,纳米SiC颗粒在含量很少时即对Al有明显的强化作用,此时,纳米颗粒在基体中的分散比较均匀;当含量较高时则纳米颗粒易于团聚,团聚会使SiC颗粒对Al的强化作用降低·纳米SiC颗粒含量发生变化,SiCp/AlMMCs的断裂机制也有所改变·     

SiC/ZL复合材料的切削力

从切削力角度研究了ＳｉＣ颗粒增强铝基复合材料的切削机理。实验数据分析表明：传统刀具切削粗大颗粒增强复合材料的平均切削力和切削力波动幅度随机时间推移迅速增大,且径向和进化切削力的增长快速主切削力的增,而切削细小颗粒增强复合材料的切削力变速度和幅度都比较小;采用低速和较大切削深度时,复合材料的切削力比切削未增强合金时更小,较高切削速度和较小切削深度时则反之。     

Research on Vibration Cutting Performance of Particle Reinforced Metallic Matrix Composites SiC_p/Al

The cutting performance of particle reinforced meta ll ic matrix composites (PRMMCs) SiC p/Al in ultrasonic vibration cutting and comm on cutting with carbide tools and PCD tools was experimentally researched in the paper. The changing rules of chip shape, deformation coefficient, shear angle a nd surface residual stress were presented by ultrasonic vibration cutting. Resul ts show: when adopting common cutting, spiral chip with smaller curl radius will be obtained. The chip with zigzag contour is short ...     

碳化硅粒子增强铝基复合材料的研制

论述了ＳｉＣ粒子增强铝基复合材料的制备工艺,探讨了不同ＳｉＣ粒子加入量对材料物理性能、力学性能、磨损性能等的影响．结果表明,ＳｉＣ粒子的加入降低了材料的密度和热膨胀系数,但大大提高了材料的耐磨性能;复合材料与基体合金相比,抗拉强度有所下降．     

SiC颗粒增强AI基复合材料拉伸性能与断裂机理的研究

研究了颗粒增强铝基复合材料的室温拉伸性能与断裂机理。结果表明,由于为形的区域化及残余应力的存在,使应用传统诉测量均匀材料强度的方法来测量颗粒增强金属基复全材料（ＰＲＭＭＣｓ）强度会产生一定的误差,断口分析显示,ＰＲＭＭＣｓ的断裂也属于ＭＮＧ断裂模式。