MOCVD生长高铝值AlxGaAs（x≥0.7）中的碳掺杂

报道了ＭＯＣＶＤ生长的高铝值ＡｌｘＧａＡｓ（ｘ≥０．７）中的非故障掺杂。实验研究了Ⅴ／Ⅲ比，生长压力，生长速率，在６５０℃到７６０℃之间，生长温度对碳掺杂没有太大影响。     

高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

Pd/Al_2O_3 催化合成2,3,5-三甲基氢醌的连续工艺

利用Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３催化剂,采用固定床的连续工艺将２,３,５－三甲基苯醌催化加氢得到高纯度的２,３,５－三甲基氢醌．考察了溶剂对加氢反应的影响,并通过实验确定了加氢工艺条件：２,３,５－三甲基苯醌的空速为０．２７ｇ（ｇｈ）－１,氢分压为０．１ＭＰａ,加氢反应温度为５０℃．同时将Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３与Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３的催化性能进行了比较,发现Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３催化剂在使用过程中选择性上升．     

挥发性脂肪酸碳源生物反硝化研究

在悬浮污泥系统中，当ＰＨ、温度适宜，碳源无限制时，反硝化速率和耗碳速率动力学呈零级反应，当以挥以性脂肪酸（ＶＦＡ）为碳源时，异化反硝化的耗碳量接近于１．０７ｍｇＶＦＡＣ／ｍｇＮＯ＾－３－Ｎ。用于同化作用的碳仅占投加碳的一小部分，随着进水Ｃ／Ｎ的提高，污泥产率（ＹＮ）增加，用于同化作用的碳耗亦增加，出水氧化态氮降低。在ＰＨ７．５，温度２５℃，污泥产率０．７２ｍｇＶＳＳ／ｍｇＮＯ＾－３－Ｎ时，对完全反     

应用扩展的Monod模型关联醋酸菌比生长速率

应用扩展的Ｍｏｎｏｄ模型关联了醋酸菌ＩＡＭ１８０２和Ｍ２３的比生长速率，ＩＡＭ１８０２的比生长速率关联式为μ＝０．４８７（１－ＣＰ／２３．８）＾０．２４８ＣＡ／ＣＭ＋ＣＡ；Ｍ２３的关联式为μ＝０．５６８（１－ＣＰ／６１．０）＾０．３０６ＣＡ／ＣＭ＋ＣＡ除临界生长抑制剂浓度附近外，模型良好地表达了两种醋力的比生长速率。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

生物陶粒批式硝化过程的特性研究

对不同碱度、温度及P／N质量比下的生物陶粒批式硝化过程进行了研究．结果表明，一定范围内提高碱度将有利于氨的氧化和促进亚硝酸盐氮的积累，对二者都适合的氨氮／碳酸氢钠质量比应在1／12-1／16之间．温度对N02^- -N的积累具有十分重要的影响，当温度低于32℃时，水中N02^- -N的积累量明显减少，N03^- -N的生成量大大增加；而当温度为38℃时，由于亚硝化菌和硝化菌都受到了抑制，硝化速率下降；当温度为36℃时，最大N02^- -N生成量可达初始氨氮量的89．94％，因此对N02^- -N的积累最为有利．在P／N质量比为0，1／10和1／5的情况下，随着P／N比的增加，氨的平均氧化速率、N02^- -N和N03^- -N的平均积累速率均下降，呈负相关关系，因此为了有效地进行硝化，应将P／N比控制在1／10以下．     

对乙酰氨基苯乙酸乙酯同分异构体的分子蒸馏分离

为满足对乙酰氨基苯乙酸乙酯后续结晶分离工艺的需要，将分子蒸馏技术首次应用于同分异构体的预分离．考察了预热温度、蒸馏温度、操作压力和操作级数等工艺参数对两组分相对含量和分离效率的影响，研究表明，对乙酰氨基苯乙酸乙酯预分离的适宜条件为：预热温度50℃，蒸馏温度90℃，操作压力2.0Pa进料速率80～100mL／h，经4级分子蒸馏操作即可将同分异构体中两组分的质量比由0．948降低到0．405，分离效率为0.392.     

准分子激光诱导CVD淀积低电阻率SnO_2薄膜

采用准分子激光诱导ＣＶＤ淀积ＳｎＯ＿２透明导电薄膜，并在其生长过程中进行掺杂Ｓｂ的实验，研究了薄膜生长速率及薄膜电阻率与激光能量密度的关系，得到了电阻率为１．４９×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的高质量的ＳｎＯ＿２薄膜。     

富硼渣碳碱法制取硼砂

以硼铁矿１３ｍ＾３高炉分离得到的现场活性富硼渣为原料，采用碳碱法工艺制取酮砂，实验在ＦＹＸ－０５Ａ型高压釜中进行，通过对反应时间，总压力，液固化，碱量等四方面因素进行正交设计实验，得到１３５℃，纯ＣＯ２条件下富硼渣碳碱法制硼砂实验的最优工艺参数，碳解反应时间１２ｈ碳解罐总压力０．８ＭＰａ液固比２．５，碱量为理论量的１１０％，碳解率大于７５％，实验数据经级差分析表明，碳解反应时间和碳解罐总压力是影响     

中碳亚包晶成分钢连铸坯角横裂的防止对策

宝钢生产的中碳亚包晶成分钢连铸坯角横裂属于沿晶界的开裂，主要发生在８５０℃以下温度，对３个钢种连铸坯试样的高温力学性能的测定表明，在ε＝４×１０＾－３／ｓ应变速率下，所测钢种在熔点～７００℃范围存在两个脆性温度区域，即熔点～１３５０℃的第Ｉ脆性温度区域和８５０～７２５℃的第Ⅲ脆性温度区域，在第Ⅲ脆性温度区域，γ单相域Ａ１Ｎ等氮化物在γ晶界的析出和在γ＋α两相区先共析α相呈网膜状，在γ晶界的析出是造     

灵芝（G22）多糖发酵的动力学研究

通过对灵芝(G22)多糖发酵的动力学研究，建立了较为合理的连续培养体系．描述了稳态时葡萄糖、多糖、蛋白胨、菌丝量等，随稀释速率的变化规律．对得到的实验数据进行计算，得到不同稀释速率下的菌丝产率、菌丝生长得率和灵芝多糖比产生速率等参数值．对得到的数据进行分析计算，求得最大比生长速率μmax=0．064／h，饱和常数Ks=18、90g/l，基质最大得率常数YG^MAX=0．732g／g，维持常数m=0．0093g／gh．并建立了灵芝多糖发酵的一系列模型方程．发现：当D=0．022／h时，G22生长速率最快，多糖产量最高，达2．85g／l，此值比分批培养提高0.35g／l．     

多晶硅压力传感器温度自补偿性能研究

介绍了多晶硅压力传感器的温度特性。重点研究了ＬＰＣＶＤ．Ｐｏｌｙ－Ｓｉ膜的掺杂浓度对传感器温度特性的影响。通过理论分析和实验研究，找到了实现传感器温度自补偿的最佳掺杂浓度值。获得了工作温度高，温度特性好的压力传感器，实验结果与理论分析相符。     

N263萃淋树脂吸附Au(Ⅲ)的研究

研究了氯化甲基三烷基铵（Ｎ２６３）萃淋树脂在Ｃｌ－介质中吸附Ａｕ（Ⅲ）的性能．就酸度、Ｃｌ－浓度、温度对吸附过程的影响及吸附动力学进行了实验，发现该树脂的萃金性能优良，吸附容量大于２００ｍｇＡｕ（Ⅲ）／ｇ干树脂．通过动态实验得到了上柱、洗脱过程的最佳条件．还对实际含金样品的浸出液进行分离、分析，获得了满意的结果．     

热压工艺对碳化硼显微结构和力学性能的影响

讨论了不同热压工艺参数对碳化硼烧结体的硼碳原子比（Ｂ／Ｃ）、显微结构和力学性能的影响．实验结果表明：在烧结过程中，粉体中的游离碳通过与碳化硼晶体之间的扩散，使碳化硼的Ｂ／Ｃ发生下降；碳化硼烧结体的杨氏模量随其体积密度的增加而升高，抗弯强度与气孔率和晶粒尺寸有关，当热压温度和热压压力分别为２０００～２１００℃和３０～３５ＭＰａ时，碳化硼烧结体的晶粒尺寸均匀，为３～５μｍ；相对密度为９２％～９８％Ｔ．Ｄ．；抗弯强度为４００～５００ＭＰａ．     

微环境中脂肪酶催化椰子油水解作用研究

在ＡＯＴ／异辛烷／磷酸盐油包水型微乳液中，研究了脂肪酶催化椰子油的水解反应．并与聚乙烯醇（ＰＶＡ）－椰子油乳化液体系进行了比较．结果表明，微乳液的结构对酶的活性有很大影响，微乳液中酶促反应的最佳条件为ｐＨ＝７．５，Ｗ０＝１１，Ｔ＝３５℃．微乳液中的酶促反应符合米氏方程．由于微乳液体系中油水比界面很大，酶促反应速率明显高于其在乳化液中的反应速率．     

石灰石快速煅烧及表面积形成的实验研究

使用流动反应器对石灰石颗粒（粒径为１３．６５～１５２．３３μｍ）在Ｎ２气氛下的煅烧分解过程进行了实验研究．考虑了煅烧温度、停留时间、颗粒粒径对石灰石分解速率的影响，并且用前人提出的收缩核模型、均匀转化模型以及经验修正的收缩核模型对石灰石煅烧分解速率的预测结果与实验结果进行了比较．另外还使用ＡＳＡＰ２０００比表面积测定仪对煅烧产物的ＢＥＴ比表面积的变化规律进行了研究     

气液比对矿井瓦斯水合物生长速率的影响

为寻求瓦斯水合物快速生成的方法,研究了气液比对瓦斯水合物生长速率的影响。设定初始压力5 MPa、初始温度20℃,在复配溶液（0.1 mol/L四氢呋喃（THF）-0.2 mol/L十二烷基硫酸钠（SDS））体积相同的条件下,通过改变可视化反应釜的体积建立了四种气液比（40、60、80和100）反应体系。根据压力和温度与时间关系曲线和水合物生长速率的计算模型对实验现象与结果进行对比分析。结果表明：气液比的增大加快了气相-液相之间物质传递,提高了瓦斯水合物生长速率。四种气液比反应体系中瓦斯水合物生长速率分别为2.40×10^-6、3.10×10-6、3.64×10-6和4.39×10-6 m3/min。     

香菇冻干工艺参数的优化

以新鲜香菇为实验材料,测定其共晶点和共熔点。以JDG-0．2新型冻干机为基础,对香菇真空冷冻干燥工艺进行研究。通过理论分析与试验研究确定物料厚度、预冻速率、干燥仓压力和加热板温度为影响香菇真空冷冻干燥试验的主要因素。通过单因素实验以及4因素5水平的二次回归正交试验确定各因素的取值范围,分析了各因素对干燥时间的影响大小为：预冻速度〉干燥仓压力〉物料厚度〉加热板温度。最后对工艺参数优化处理,得到了最佳工艺条件：干燥仓压力61．8Pa,加热板温度61．7℃,预冻速度2．58℃／min,物料厚度6．78mm。冻干时间7．27h。     

p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3的制备、表征及其光催化性能的研究

n结型Co3O4／In2O3光催化剂是用共沉淀法制备的．并用X射线衍射对其进行表征。用光催化还原Cr^6＋和光催化氧化甲基橙的效率来评价该催化剂的活性。实验分别研究了Co3O4的掺杂比、焙烧温度和焙烧时间对光催化活性的影响。实验结果表明．Co3O4的最佳掺杂比（质量分数）为5％。催化剂的最佳焙烧温度和最佳焙烧时间分别为300℃和2h。在可见光和紫外光的照射下。p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3的光催化氧化活性和光催化还原活性均比纯In2O3的高。实验同时还探讨了影响p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3催化活性的机理。