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彩色等离子体显示器灰度校正方法研究 总被引:4,自引:0,他引:4
针对彩色等离子体显示器(PDP)采用传统灰度校正方法存在严重灰度损失和灰度畸变的问题,在分析视觉灵敏度特性和亮度变化关系的基础上,提出了用多项式拟合进行灰度校正的新方法。该方法利用视觉灵敏度和亮度的对数在一定亮度区间的线性关系,把PDP的亮度划分为多个区间,根据每个区间的最小灵敏度阈值,计算出输入灰度对应的亮度,同时改进PDP实现多灰度级显示的最小亮度间隔,使显示亮度和计算亮度相等的最小亮度间隔数即为准确的输出灰度级,从而求出输入输出灰度级之间的多项式关系。计算结果表明:采用所提出的方法,明显提高了彩色PDP的灰度再现能力,灰度损失由原来的10.7%减小到4.5%以下,图像质量指数提高了7%以上。 相似文献
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朱式庆 《安庆师范学院学报(自然科学版)》2003,9(2):50-52
电视显示技术是应用物理的电光效应对图像电信号进行转换和重现,显示器有阴极射线管显示器、液晶显示器、等离子显示器、有机发光显示器等,每一种显示器决定显示的图像质量和参数。 相似文献
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消除彩色PDP运动图像动态假轮廓的延伸编码及优化 总被引:3,自引:1,他引:3
为了解决常规的线性延伸编码在消除动态假轮廓时需要子场数目多的不足,从动态假轮廓的成因入手,在常规的线性延伸编码尾部添加微调码,对其进行了改进和优化;为了维持原有的子场数目,引入了误差扩散技术。仿真结果表明,改进后的线性延伸编码能够有效地消除动态假轮廓,运动图像和静止图像的相关系数为0.8972,使图像显示质量大为改善。 相似文献
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采用二维数值模拟的方法计算了表面放电型PDP在不同结构下相邻3个显示单元的放电过程.研究了放电过程中各单元内电子、氙谐振态浓度分布和其平均浓度随时间的变化情况.在流体模型计算基础上,采用蒙特卡罗模型对单元内大量谐振光子的辐射、捕获过程进行模拟跟踪,从而得出各放电单元内所产生谐振光子在荧光粉层上的分布.研究了放电过程中相邻单元之间的影响,结果表明,对传统条形障壁结构,单元内维持电极间距增大,放电空间高度增加会使放电串扰和发光串扰加强,Waffle型障壁结构不仅能提高放电效率,而且能有效阻止串扰的发生. 相似文献
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针对产品设计项目(product design project,PDP)调度问题,考虑任务工期的随机性特点和任务的返工可能性,扩展了传统的优先规则计算方法.提出了一种启发式调度方法,采用扩展优先规则和随机串行调度生成方案,以项目交付期最小为目标构造调度方案.通过抽样得来的随机工期向量获得近优调度策略.在不同工期可变幅度下对方法进行测试,实验结果验证了该方法的有效性,并显示在任务工期的不确定程度和任务返工可能性较大时,采用随机调度方法解决PDP的调度问题可以获得更高质量的调度方案. 相似文献
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彩色等离子体显示器智能接口电路的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了可自动识别信号制试和格式的彩色等离子体显示(PDP)接口电路和实现方法,该电路可智能识别并适应常见不同分辨率的VGA信号格式和NTSC、PAL等两种电视制式,其音频处理部分支持最新的丽音标准,带有杜比Pro Logic处理功能。研究和实验结果发现,本接口电路应用于54cm和107cm彩色PDP的图像显示效果均很好,完全达到了实用化的程度。 相似文献
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压延铜箔表面黑化处理工艺复杂,生产成本高,在等离子显示领域中的应用受到极大限制。为了促进等离子显示屏(plasma display panel,PDP)用压延铜箔的发展,对其表面黑化处理工艺进行综述。通过阐述等离子显示屏的工作原理,总结归纳出PDP用压延铜箔的相关性能要求,着重介绍了PDP用压延铜箔的表面黑化处理工艺,为后续PDP用压延铜箔的研究提出结构致黑这一新的思路。最后通过分析PDP用压延铜箔表面黑化处理的生产现状,提出实际生产中存在的一些问题,以促进PDP用压延铜箔的发展。 相似文献
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宽带MIMO-OFDM系统的信道估计方法 总被引:1,自引:1,他引:0
为节省系统带宽,提出了宽带M IMO-OFDM(Mu ltip le-InputMu ltip le-Output and O rthogonal Frequency D i-vision Mu ltip lexing)系统中的一种信道估计方法。该方法只需对重要抽头进行估计,且两步算法在导频数小于信道响应时间和未知功率延迟分布的情况下,可获得与经典的LMMSE(L inearM in imum M ean Square Error)算法相近的性能,计算机仿真结果证实了其有效性。 相似文献
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等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究.试验结果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111)择优取向,但结构存在差异.少数工艺下得到的MgO的(111)衍射峰的晶面间距变化很小,衍射峰强度较高,同时可获得最低的着火电压-132.2 V;而在其它的基板温度和沉积速率下的MgO薄膜发生晶格畸变,(111)的晶面间距有1%以上的收缩,相应的衍射峰强度也低,而着火电压均高于140 V.另外,较高的基板温度和沉积速率易导致MgO薄膜的晶格畸变. 相似文献