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用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难. 相似文献
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等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究 总被引：1，自引：0，他引：1
为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究.试验结果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111)择优取向,但结构存在差异.少数工艺下得到的MgO的(111)衍射峰的晶面间距变化很小,衍射峰强度较高,同时可获得最低的着火电压-132.2 V;而在其它的基板温度和沉积速率下的MgO薄膜发生晶格畸变,(111)的晶面间距有1%以上的收缩,相应的衍射峰强度也低,而着火电压均高于140 V.另外,较高的基板温度和沉积速率易导致MgO薄膜的晶格畸变. 相似文献
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