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1.
针对旋转轴系监测系统中传感器相关电路需要外部电能输入的问题,设计了一种基于自供电轴系的监测系统.基于电磁感应原理设计自供电系统结构,给出理论模型,设计整流稳压电路,测试数据测量模块和无线传输模块.结果表明:在不同转速下,该旋转轴系监测系统可以在无须外界电能输入的情况下,将轴系参数发送至上位机.测试数据符合实际值,可以实现旋转轴系监测系统的自供电.  相似文献   
2.
基于等效电路模型的一类车载动力电池剩余荷电状态(state of charge,SOC)的估算方法,其估算精度高度依赖于模型精度,模型精度又正比于模型复杂度,以至于难以较好地应用于嵌入式控制单元.提出复杂度相对较低、能够自适应确定最优模型阶次的全新等效电路模型——基于阶次自适应AR模型的车载动力电池等效电路灰箱模型.基于此灰箱模型,给出锂离子电池SOC的滑模观测器设计推导及能观性、收敛性证明.结果表明,本文提出的基于阶次自适应AR等效电路灰箱模型的滑模观测器SOC估算方法(adaptive autoregressive-sliding mode observer,AAR-SMO)具有低模型复杂度、高精度、强鲁棒性及快速收敛等性能.  相似文献   
3.
二维二硫化钼(2D MoS2)由于其优越的电学、光学和压电性能,使其在未来电子器件领域被广泛关注该文利用AFM接触模式和SKPM,在纳米尺度上,测试CVD 制备多层MoS2的隧道摩擦起电和充电特性通过AFM接触模式,在75 nN的法向载荷力下,用Pt导电探针摩擦MoS2样品的1 μm×1 μm正方形区域,同时使硅基底接地然后通过SKPM,对以摩擦区域为中心的5 μm×5 μm正方形区域的接触电势进行成像最后以上述方式,依次在A、B、C区域进行摩擦起电测试研究结果表明:MoS2不仅具有摩擦起电特性,而且表现出摩擦其他区域,可以对初始区域充电的现象因此,可以利用MoS2的摩擦起电特性和充电现象,指导构建一类新的基于2D MoS2纳米电子器件和摩擦电子学功能器件的应用  相似文献   
4.
通过基于密度泛函理论(DFT)+U的第一性原理方法研究了单原子Co在TiO2(101)面的掺杂位置和方式、几何结构和整体能量以及掺杂后产物的制氢反应机制,得到了稳定且易出现的单原子修饰结构,即单原子Co吸附在4个O组成的表面空隙的中心位,记为Co/TiO2(101)。进一步对Co/TiO2(101)的析氢反应过程和性能进行研究,确定了当且仅当TiO2(101)面完成表面羟基化反应后,H原子全覆盖的TiO2(101)表面才能进行后续的析氢反应;此时单原子Co是唯一的反应位点,整体的制氢反应自由能ΔGH*比Co(111)面更加趋近于0,显示出其具有远优于金属Co的催化性能。此外,Co和TiO2间的电荷转移和相互作用使TiO2带隙出现新的掺杂能级,可带来作为光催化基材的TiO2光吸收性能的改善。  相似文献   
5.
托卡马克装置是实现可控热核聚变的主要装置之一, 而第一壁材料在确保托卡马克装置稳定运行的过程中起着至关重要的作用. 钨金属已被广泛使用作为第一壁材料, 但是聚变反应产生的氦原子在进入钨晶体后易形成"氦气泡"和点缺陷, 严重影响托卡马克装置第一壁材料的稳定性. 首次设计将钨/石墨烷/钨体系作为第一壁材料. 第一性原理计算结果表明, 钨/石墨烷/钨第一壁材料中的界面可以捕获氦原子和空位, 且能促进自填隙钨原子与空位复合, 从而降低钨体相中的缺陷密度; 弹性常数计算结果表明, 石墨烷层的存在可以提高钨金属的柯西压力值($C' $)和各向异性因子($A$), 使第一壁材料的延展性得以提高, 且不易出现裂纹, 但是在相同温度下钨/石墨烷/钨第一壁材料的力学模量有所下降; 利用准简谐德拜模型计算吉布斯自由能 $G^*$、定容热容$C_\mathrm V$、熵($S$)等热力学函数结果表明, 钨/石墨烷/钨第一壁材料的热力学稳定性与纯钨金属相比有所下降.  相似文献   
6.
针对区分介电谱中电导和极化过程的方法较为缺乏,等效模型中表征电导的参数唯一性计算方法不足的问题.以油纸绝缘介质的电导过程为研究对象,在实验条件下制备不同水分含量的油纸绝缘样品,并测量频域响应谱线.基于Kramers-Kronig关系对测量复极化率实部谱线进行数值积分,获得弛豫损耗谱线,进而得到电导损耗谱线;并使用最小二乘法对电导损耗谱线进行拟合,计算出电导值.研究结果表明,使用Kramers-Kronig变换可以从测量复极化率虚部谱线中有效分离弛豫损耗谱线和电导损耗谱线,进而得到直流电导值;随着油纸绝缘样品含水率增加,介电谱的损耗峰特征逐渐消失,电导过程增强.  相似文献   
7.
插值型重构核粒子法的形函数结合了包含Kronecker delta特性的简单函数和由基函数向量采用重构条件构造的增强函数,并且具有点插值特性和不低于核函数的高阶光滑性.该方法可直接施加本质边界条件,同时也保证了较高的计算精度.基于插值型重构核粒子法,文章提出了一种求解平面黏弹性力学问题的新方法.采用弹性-黏弹性对应原理和Laplace变换,将黏弹性问题转化为Laplace域内的准弹性问题,并采用插值型重构核粒子法进行求解,然后借助Laplace数值逆变换求得黏弹性问题的解.数值算例验证了本文所提方法的有效性.  相似文献   
8.
液中放电沉积是一种新型的表面改性技术,起源于电火花加工技术,可在金属表面制备出具有高硬度、高耐磨性以及高结合力等优良性能的沉积层。此外,该技术不污染环境,有望替代部分常用但具有污染性的表面改性技术。液中放电沉积技术的核心内容为沉积层形成机制、工具电极材料以及介电流体成分。简单介绍了液中放电沉积技术的特点,重点阐述了沉积层的形成机制以及缺陷优化工艺,并从工具电极材料、介电流体成分和实际生产应用三个方面总结了液中放电沉积技术的国内外研究进展,展望了该技术的发展方向。  相似文献   
9.
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对不同压力下Cr_3Si的机械稳定性和韧脆性进行研究。通过计算Cr_3Si在不同压力下的弹性常数、体积模量、剪切模量、泊松比来分析Cr_3Si的机械稳定性和韧脆性质。根据波恩准则判断,Cr_3Si在研究压力范围内,满足机械稳定性条件。结果表明,当压力为0~4GPa时,Cr_3Si化合物表现为脆性,当压力大于4GPa以后,Cr_3Si化合物表现为韧性。  相似文献   
10.
本文以1-苯基-3-甲基-吡唑啉酮-5(PMP)含氮五元杂环为母体,选取含7个碳的直链烃为取代基,采用Jensen合成法,合成出新型的吡唑啉酮衍生物1-苯基-3-甲基-4-庚酰基吡唑啉酮-5(HL).应用元素分析对产物进行组成测试,并将获得的单晶在单晶XRD衍射仪内进行结构分析,发现晶体属于单斜晶系,空间群为P 21/c,晶胞参数a,b,c分别为0. 850 02(9),0. 840 90(9),2.223 6(2) nm,晶胞中独立原子的个数Z=4,品质因子S=1.082.同时运用热重分析、红外光谱分析和荧光光谱对其进行表征,并对其电化学性能和生物学特性进行了探索.  相似文献   
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