| MoS2的摩擦起电及充电特性研究 |
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| 引用本文： | 谢云峰,彭金峰,郑学军.MoS2的摩擦起电及充电特性研究[J].湘潭大学自然科学学报,2021(6):43-50. |
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| 作者姓名： | 谢云峰 彭金峰 郑学军 |
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| 摘 要： | 二维二硫化钼(2D MoS2)由于其优越的电学、光学和压电性能，使其在未来电子器件领域被广泛关注该文利用AFM接触模式和SKPM，在纳米尺度上，测试CVD 制备多层MoS2的隧道摩擦起电和充电特性通过AFM接触模式，在75 nN的法向载荷力下，用Pt导电探针摩擦MoS2样品的1 μm×1 μm正方形区域，同时使硅基底接地然后通过SKPM，对以摩擦区域为中心的5 μm×5 μm正方形区域的接触电势进行成像最后以上述方式，依次在A、B、C区域进行摩擦起电测试研究结果表明：MoS2不仅具有摩擦起电特性，而且表现出摩擦其他区域，可以对初始区域充电的现象因此，可以利用MoS2的摩擦起电特性和充电现象，指导构建一类新的基于2D MoS2纳米电子器件和摩擦电子学功能器件的应用
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| 关 键 词： | 原子力显微镜 摩擦起电 MoS2 摩擦充电 开尔文模式 |
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