一种改进的基于人体静电冲击模型应力的瞬态功率模型

提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model, HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件, 模拟MOS管遭受的HBM应力, 得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明, 两者保持线性关系, 并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比, 改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度, 可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生, 给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。     

10kV高压电缆的故障分析及防治建议

电力传输的最有效的媒介就是电缆,为了减少电能在传输过程中的消耗,现在的电缆都是一种高压的传输设备。其中最为普遍的就是10kv的高压电缆,该文通过描述各种常见故障产生的原因,并对原因进行了比较详细的分析,也就此提出了各种的应对与预防措施。     

激光诱导击穿光谱技术在录井岩性识别中的应用

采用激光诱导击穿光谱技术,结合主成分分析、偏最小二乘判别分析和对向传播人工神经网络非线性模型,对录井中的岩屑岩性进行识别.研究结果表明使用对向传播人工神经网络非线性模型对玄武岩、安山岩、泥岩、砂岩、灰岩的识别正确率均在70%以上,平均正确识别率达88%,实现了5种岩屑岩性的有效识别.     

土壤中重金属元素铬的双脉冲激光诱导击穿光谱研究

采用输出波长为1 064nm的两台Nd-YAG脉冲激光器作为光源,在大气环境下对不同浓度配制的5种重铬酸钾的土壤样本进行双脉冲激光诱导击穿光谱(DP-LIBS)分析。以Cr元素在425.435nm处特征发射谱线作为分析线,测定了不同浓度下Cr元素的DP-LIBS特征谱线强度,与单脉冲激光诱导击穿光谱(SP-LIBS)强度进行了对比,建立了Cr元素特征谱线强度与溶液浓度的拟合关系曲线。结果表明:双脉冲(DP)激发光谱较单脉冲(SP)激发光谱的发射强度有大幅度的提升,在低浓度条件下,Cr元素浓度与DP-LIBS谱线有较好的线性关系,拟合系数达到0.986,通过定标曲线计算得到Cr元素的检测限为15.68μg/g,仅为相同条件下单脉冲检测限的二分之一。     

激光诱导铅等离子体的自吸收时空分辨特性研究

利用一价铅离子谱线和原子谱线,在延迟时间0-360 ns内对铅等离子体自吸收的时空特性进行了研究.通过改变靶材距离及观察不同的延迟时间,发现铅等离子体不同的特征谱线的自吸收行为存在很大不同.从实验图像中可明显的看出,等离子体形成初期,铅离子和铅原子表现出不同的线型的变化.铅离子（220.26nm）出现了红移,而铅原子（280.20 nm）出现了蓝移.靶材距离焦点位置不同时,不同的特征谱线,不仅自吸收持续时间不同,而且自蚀最强点出现的时间点也不一样.所以在利用某特征谱线进行定量分析时,若选择合适的延迟时间和靶材位置,可有效地减小或削弱自吸收的影响.笔者还对铅等离子体不同特征谱线自吸收行为进行了解释.     

兆伏级串级自触发开关脉冲击穿特性影响机制及优化

大型脉冲功率装置中使用的兆伏级开关常采用串级结构以提高工作电压并保证开关电场的均匀性。在脉冲电压上升速率固定且单级开关击穿概率服从Weibull分布前提下，推导了串级开关击穿概率分布模型，并分析了3级串级开关击穿特性的影响机制。在能保证各单级开关击穿特性一致性较好的条件下，触发3级开关时，后击穿的2级在高过压下击穿，每级开关的平均击穿电压降低，开关整体击穿时延抖动与单级触发开关相当；触发1级开关时，大概率是触发级先击穿、 2个自击穿级在高过压下击穿，开关整体抖动远小于自击穿抖动，每级开关的平均击穿电压比触发3级时更高，但由于自击穿级仍有小概率先击穿，开关整体抖动约为触发3级时的2倍。在前沿约300 ns的脉冲电压下实验研究了串级开关的击穿特性，其中单级开关采用自触发持续预电离方式以保证特性的一致性。结果表明，开关工作电压0.8～2.0 MV范围内，触发1级时，时延抖动2.9～7.7 ns、电压分散性0.51%～2.21%,触发3级时，时延抖动2.3～3.6 ns、电压分散性0.59%～0.91%,验证了模型分析所得的规律，且实现了对原有串级开关击穿特性的优化。此外，由于0.3 MPa以...     

高压脉冲对岩混材料击穿效应的仿真研究

为了研究高压脉冲对岩混材料目标的击穿规律,该文通过计算机仿真软件模拟高压脉冲对岩混材料块的作用过程,研究电子束运动轨迹及其能量密度分布的变化。结果表明:趋于临界击穿条件下,电极端自由电子的倍增效应越发显著,输入端发生雪崩击穿并表现出电子束呈现边界收窄的趋势,同时电极尖端能量密度分布趋于聚焦,与实验所测输出电流峰值越高,波形脉宽越窄的现象一致。该研究可为高效破碎岩混材料相关应用提供技术依据。     

一起220kV主变击穿故障的分析与处理

广东某地区220k V主变在工频耐压出厂试验中发生击穿,经解体分析,击穿原因是有载分接开关底部均压环对箱底绝缘裕度不足,导致均压环对箱底放电。在经过电场计算验证、更换束缚电阻和均压环以及在有载分接开关底部均压环与箱底间安装5mm厚绝缘纸板等处理措施后,重新进行试验,结果合格。     

陡脉冲不可逆性电击穿恶性肿瘤细胞的机理

电场的基本特性是对处于场中的物质有力的作用.在陡脉冲电场作用下,细胞膜内外表面有很强的电场分布,同时由于细胞膜的介电常数与细胞外液、细胞质的不同,从电磁场理论出发,必然有作用于细胞膜表面的电场应力.仿真计算结果表明,外加电场的作用使得细胞膜受到来自细胞外液与细胞质两个方向的压力,作用在恶性肿瘤细胞膜上的电场应力的数量级比正常细胞大1个数量级.因此,在陡脉冲电场的作用下,恶性肿瘤细胞比正常细胞具有更大的敏感性,这种电场应力的作用势必对恶性肿瘤细胞膜造成巨大的损伤,使得细胞的生存环境和遗传物质受到严重破坏,并导致细胞发生不可逆性电击穿而死亡.     

影响电容器质量的主要因素及改进措施

通过对比各个年代电容器的结构特点,提出各个阶段的引起电容器质量的主要矛盾,分析引起电容器发热、击穿、局部放电的主要原因,给出降低损耗、减少击穿和保证电容器的良好局部放电性能的具体措施和使用注意事项。