用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布

半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高     

新生态δ-MnO2对废水中As(v)的吸附研究

利用新生态δ-MnO2对含As(v)的模拟废水进行了吸附实验，结果表明，δ-MnO2对As(v)有良好的吸附特性，有较好的去除率．吸附前MnO2悬浊液的PH值、MnO2的投放量、As(v)的初始浓度、吸附时间、温度等对吸附效果都有一定的影响．却除的最佳条件为：室温下，PH值为6．5，MnO2投放量为100mg，As(v)的初始浓度为10mg／L，吸附时间为2h，去除率可达96％以上。     

砷的形态分析方法及在食品安全领域的应用

文章介绍了砷的分离富集和检测方法,并采用HPLC-ICP-MS法对我国海产品中含砷总量进行了检测,得到各类海产品总含砷量的数据。总之,砷的形态分析的分析方法都是精确和有效的,可以在环境监测、生物医学、食品安全等多门学科中发挥更大的作用。     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。     

砷酸钛氧钾铁电薄膜的研制

ＫＴｉＯＡｓＯ４（ＫＴＡ）晶体是一种新型的性能优良的铁电晶体,它的电光效应和非线性光学效应尤为突出,使得它在光电子技术及非线性光学领域有一系列重要应用［１］．ＫＴＡ与另一种已知的性能出众的非线性光学材料ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）相比,具有更高的非线性光...     

钨砷系列杂多蓝的研究Ⅱ——1∶11钨砷双系列稀土杂多蓝

利用控制电位电解的方法合成了４种未见文献报道的杂多蓝,Ｋ１１Ｈ２〔Ｌｎ（ＡｓＷ１１Ｏ３９）２〕·ｘＨ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ）,并利用等离子体原子发射光谱等对其进行了元素组成的分析,利用ＩＲ、ＵＶ、极谱、光电子能谱、电子顺磁共振、热重差热等测试手段,对其结构和性质进行了研究．     

微波高压硝酸消化原子荧光法测定微量砷

采用微波消化测定煤和土壤中微量元素砷。用硝酸高压消解，然后用原子荧光仪测定。方法的检出限0.011ng／L，线性范围0～40ng／L，其回收率为90．95～104．25％。该方法简便了煤和土壤中砷的消化和测定，精密度高，检出限低。     

氢化物发生-原子荧光光谱法测定饮料中微量砷

采用氢化物发生－原子荧光光谱法测定饮料中砷的含量，研究硼氢化钾浓度、盐酸浓度等因素对测定结果的影响，建立饮料中微量砷的适宜分析条件。方法检测限为0．60μg/kg，回收率在93％－96％之间。     

砷酸根及铬酸根在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面的竞争吸附

在模拟氧化及酸性土壤条件下，用制备的低聚合羟基铁-蒙脱石复合体进行了砷酸根、铬酸根离子的竞争吸附实验，研究了砷酸根离子和铬酸根离子不同用量及不同添加顺序对竞争吸附的影响，并与蒙脱石和含水氧化铁进行了对比。结果表明，低聚合羟基铁-蒙脱石复合体对砷酸根及铬酸根离子有不同的吸附能力，但在实验条件下砷酸根及铬酸根离子在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面不发生竞争吸附。砷酸根和铬酸根的吸附顺序对其吸附量有一定的影响。竞争吸附实验的砷酸根、铬酸根吸附量均高于对其单阴离子的吸附量，此现象在复合体表面最为明显，说明复合体具有独特的阴离子吸附性能。