应用于屋面蒸发降温的多孔质材料重复吸水性能实验

测试改性酚醛材料和醋酸纤维材料的重复吸水性数据,并通过改造原有的浸润吸水装置,实测改性酚醛材料和醋酸纤维材料在单面接触水源状态下的重复浸润的吸水特性曲线.根据前人的相关研究模型,计算两种材料实际的毛细吸水系数曲线并进行评价.结果表明:两种材料初次进行浸润后,吸水性能降低比例均在25%左右;改性酚醛材料快速吸水阶段会维持1 min左右,而醋酸纤维材料快速吸水阶段会维持10 s左右;两种材料实际应用于被动蒸发降温技术时仍需增强重复吸水性能.     

基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜，并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明，TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明，TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下，剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明，在经过2.3×108循环次数后，以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试，TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明，金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴，将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管     

大尺寸单晶金刚石同质连接技术

介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。     

喷射共沉积6066Al/SiCp复合材料热处理塑性变化机理分析

研究了T6热处理对6066Al/SiCp复合材料材料力学性能的影响,结果表明,复合材料经530℃固溶1 h后,170℃时效8 h达到峰时效,其抗拉强度达418.6 MPa;复合材料延伸率随时效时间的增加不断降低.     

马庄煤矿探找山西组9煤的实践研究

马庄煤矿煤炭资源日益枯竭,濒临停产关闭,通过探找煤以扩大资源储量迫在眉睫。依据勘探、补勘和几十年的生产实践地质资料,对山西组煤系的沉积环境与煤层的形成条件进行了深入的研究,掌握了煤层的沉积特征和聚煤模式,采用钻探和巷探,确定了井田北翼山西组9煤的可采范围,新增加资源储量101.0万吨,具有良好的经济效益和社会效益。     

反应气压对生长金刚石膜的影响

实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响.     

新的基团法估算沸点下蒸发焓

提出了估算沸点下蒸发焓的含基团重量分率的基团法和估算式，拟合团贡献值，对３８５种有机物的计算平均偏差约为１．５％。所提出的新方法明显优于３种对应状态和用蒸发熵的基团法。     

透湿过程中织物的润湿和散湿作用

采用蒸发和吸湿法测量多种织物的透湿速率，并且仔细研究用蒸发法时，织物润湿程度在透湿过程中的变化，发现织物在透湿过程中的润湿和放湿，以及织物的表面性状是影响其放湿速率的非常重要的因素。     

氯仿在悬浮TiO2体系中的降解

分别用光还原沉积法制备的掺铂TiO2纤维和商用TiO2作为催化荆，对氯仿进行光催化降解。通过测定Cl^-浓度发现不同通O2方式对氯仿的光降解有很大影响，O2的存在，促进了氯仿的降解；并进一步对溶液中的溶氧量(DD)测定，发现DO值呈线性下降且氯仿降解过程中有氧降解和无氧降解2种机理是共存的；同时发现上述2种催化剂的反应现象大相径庭，并结合了有机质液相吸附理论对其反应现象进行分析，发现纤维状微观结构是其高光催化性能的直接原因。