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1.
本文分析及研究了作者对绝缘栅PMOS场效应结构所进行的SUPREM—SEDAN联机模拟.重点在衬底电阻率(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果.同时,定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为.揭示了上述效应的机理. 相似文献
3.
4.
器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释. 相似文献
5.
6.
余稳 《武陵学刊:社会科学版》1998,19(6):22-26
本文在半导体器件理论的基础上,建立了微波对半导体件破坏机理研究的一维器件模型,讨论了有关计算机数值模拟的处理技巧,并给出了差分方程组。 相似文献
7.
DCB材料的键合有效面积是影响DCB材料质量的关键因素。根据DCB材料的特点,将局部放电和介质电容测量技术相结合,应用于检测DCB材料键合质量,并从理论上进行了较为系统的研究,获得了较理想的结果,从而发展了一种对DCB材料键合质量进行无损检测的、方便实用的新方法。 相似文献
8.
空磁控靶溅射刻蚀的模拟研究 总被引:1,自引:1,他引:1
建立了磁控溅射单粒子模型,结合靶表面磁场的分布,用MonteCarlo研究了溅射气体粒子的运动规律,得到靶表面刻蚀的图形,发现靶中间环的刻蚀最强,这与实验结果和磁场的水平分量分布一致。 相似文献
9.
10.
本文采用线性扫描法测定未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布,结果表明,本方法是简单准确的。 相似文献