二维单位球上不同加权Dirichlet空间之间的总体紧复合算子列

设n:Ｂ→Ｂ是一全纯映射列并且是单叶的,n(0)=0,n的Fréchet导数是有界的,并且｜Ｊn(z)｜≠０且有界,Ｃn:D２α（Ｂ,dυa）→Ｄ２β（Ｂ,dυB）（α,β＞２２＋１）是一致有界线性复合算子列．作者利用测度给出了此复合算子列的总体紧性．     

Bergman型空间到Bloch型空间上的一类算子(英文)

设D={z∈C:|z|1}是复平面中的单位圆盘,H(D)是D上的解析函数空间.利用D到自身的解析映射φ和解析函数g∈H(D),作者定义了算子W'φ,gf=g(f°φ)',然后运用φ与g在D上的边界性质刻画了Bergman型空间到Bloch型空间上算子W'φ,gf=g(f°φ)'的有界性和紧性.     

PMOS—FET栅氧电荷动态行为的计算机模拟

分析了绝缘栅ＰＭＯＳ—ＦＥＴ结构的工艺及器件模拟数据，获得了衬底电阻车在８～１５Ω·ｃｍ范围内变化时与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系．模拟结果与实验现象相一致．同时，定量地描述了在常规偏压条件下栅氧层中表面电荷的分布及行为，揭示出阈值电压随衬底掺杂浓度的变化而发生变化的体效应机理．     

Cn中单位球上加权Bloch空间上的复合算子

对于单复变情形, Bloch空间、小Bloch空间上的复合算子以及加权复合算子的研究已有很多结果.对于Cn中的单位球Bn,通过定义其上的加权Bloch空间Blog={f∈H(Bn):supz∈Bn(1-|z|)ln 2/1-|z| f(z)|< ∞},其中H(Bn)为单位球上全纯函数的全体,f(z)=( f/ z1,…, f/ zn)为f的梯度函数,作者刻画了此空间上的复合算子的有界性和紧性,并得到了充要条件.     

氧注入制成SOI材料的研究

采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.     

多圆柱上加权Banach空间上的复合算子

给出了定义在Cn中单位多圆柱上的加权Banach空间,刻画了该空间上的加权复合算子的有界性和复合算子的紧性问题,利用泛函分析的方法,得到了有界性和紧性的充要条件.     

无限维两体量子系统态的可分性鲁棒和纠缠鲁棒

研究了量子信息理论中无限维两体量子态的可分性鲁棒和纠缠鲁棒问题。利用无限维两体量子系统态的Concurrence纠缠度以及可分态的边缘态的概念,讨论了无限维两体量子态的可分性鲁棒和纠缠鲁棒的定义。得到了可分性鲁棒以及纠缠鲁棒的若干基本性质,推广了有限维两体量子态的相应结果,获得了无限维两体量子系统态的可分性鲁棒和纠缠鲁棒分别为零的等价条件。     

SnO_2-Si光电极制备及其降解污染物性能

通过化学气相沉积法,在清洁的n型Si表面制备SnO_2薄膜作为保护层,得到SnO_2-Si光电极.采用TEM、SEM、XRD、XPS、DRS等对其进行表征,研究了其在模拟太阳光下光催化降解苯酚的性能.在不同沉积温度下得到的样品中,400℃沉积得到的样品结晶度相对最高.SnO_2层厚度为230nm时SnO_2-Si光电极光电流响应最强,且分解水起始电位较正,用于降解污染物时可避免分解水副反应的发生.在中性、酸性、碱性电解质溶液中,其循环伏安曲线衰减均不明显,证明SnO_2-Si光电极具有稳定的光电化学性能.在可见光光电催化条件下,偏压为1.8V时,其苯酚的去除率达到100%,TOC去除率达到21%.