回流次数对Sn3.5Ag0.5Cu焊点特性的影响

研究了回流次数对Sn3．5Ag0．5Cu焊点特性的影响，采用扫描电镜SEM和光学显微镜对多次回流后Sn3．5Ag0．5Cu焊点界面金属间化合物（IMC）层的形貌和拉伸断裂断口形貌进行了分析．结果表明：随着回流次数的增加，焊点的宽度和金属间化合物的厚度增加；焊料和凸点下金属化层（UBM）之间界面上的IMC组织从针状逐渐粗化；焊料的拉伸强度有轻微变化；断裂面第一次回流焊后出现在焊料中，而多次回流焊后断裂面部分出现在焊料中，部分出现在UBM和焊料的界面中．     

Preparation of Electrically Conductive Filler for Anisotropic Conductive Adhesive

Introduction As a competitive substitute of lead-containedsolder,ACAs appear a promising future due totheir numerous advantages,such as low-tempera-ture compatible assembly,higher packaging densi-ty,environmental friendliness,low-stress on thesubstrates.T…     

电镀方法制备锡铅焊料凸点

介绍了利用甲磺酸锡铅合金镀液制备电镀凸点的工艺过程,讨论了影响电镀质量的工艺参数：表面光亮度、分散及覆盖能力、沉积速率等．研究发现,电流密度Dk与最低搅拌转速密切相关．在相同的时间里,Dk越大,镀液的分散能力越稳定,合金的沉积速率也越高．在甲磺酸质量分数、Dk一定的条件下,适当地提高搅拌转速有利于改善凸点的电镀质量．对电镀凸点的剪切强度测试表明,电镀缺陷产生的微孔洞将会显著降低凸点的剪切强度．     

温度循环条件下镀锡引脚的晶须生长

在热循环条件下,对电镀纯Sn覆层的器件引脚的锡须生长进行了评估.当器件经历500与1 000次温度循环后,纯Sn镀层表面会产生致密的热疲劳裂纹,伴随生长出许多锡须.由于镀层表面的SnO2氧化膜与镀层中Sn的热膨胀系数(CTE)存在较大的差异,在温度循环条件下发生SnO2与Sn的热失配,进而在其界面处产生了极大的交变应力,最终导致SnO2氧化膜破裂,为锡须生长提供了条件.此外,在Sn镀层与Cu基板界面处形成的Sn-Cu金属间化合物(IMC),提供了锡须生长的驱动力.镀层中的Sn原子在压应力的驱动下,沿着氧化物表面裂纹位置挤出,从而释放了压应力形成锡须.在锡须生长的初始阶段,阻力较大,故而速率较慢,在锡须突破表面氧化物层后,阻力较小,故加速了锡须的生长.     

温度循环条件下电镀液配方对镀层Sn须生长的影响

采用JEDEC标准、在温度循环条件下,研究了不同电镀液配方对纯Sn镀层Sn须生长的影响.当镀层致密度较低时,样品A表面出现大量的裂纹和凹陷,Sn须就生长在这些裂纹和凹陷附近,其生长密度极高且速率较快;当镀层致密度较高时,样品B表面裂纹和Sn须都很少,其生长速率也较慢.研究结果表明:电镀液配方主要通过镀层表面的致密度来影响Sn须的生长;致密度较高的镀层表面缺陷较少,能够抵抗和吸收较大的内部应力,从而降低局部区域的应力集中,减缓镀层表面裂纹的大量形成,进而抑制Sn须的生长.     

用于RFID标签封装的ACA的制备及性能研究

把μm级银粉、潜伏性固化剂等混入热固性环氧树脂,制备出各向异性导电胶,并采用倒装芯片技术,通过热压固化工艺,对RFID电子标签进行封装.通过对导电银粉形貌、连接点微观形貌、胶水的固化曲线、Tg曲线、绑定强度和韧性实验、湿热加速老化实验(85℃,85%RH)的研究来分析该各向异性导电胶的性能.结果发现;银粉颗粒为具有粗糙表面的球形,粒径均一,平均粒径为3.0μm,能均匀分散在树脂中.在180℃,12S,1.4 MPa热压条件下,制备的ACA能够成功应用于RFID标签的封装;胶水有较低的固化温度(固化峰为127.7℃)和较快的固化速率(△T为50℃)及较好的耐热性能(Tg为135.4℃);胶水有较强的绑定强度和韧性及较好的耐湿热性能.通过与国外同类产品(Delo ACl63)比较,制备出的各向异性导电胶达到国外同类产品ACl63的性能,适合大规模低成本RFID标签的封装.     

无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量

针对无铅互连电迁移失效这一高密度封装时面临的重要课题进行了研究.采用四探针法分别监测了电流密度为1.5×104 A/cm2和2.2×104 A/cm2时Sn3.5Ag0.5Cu互连凸点上电压的变化,发现电流密度为2.2×104 A/cm2时凸点的平均电阻变化率超过电迁移失效的临界值10 %,分析了其微观结构的扫描电镜照片,所提出的发生电迁移失效的电流密度值为凸点设计提供十分有用的数据.对无铅互连凸点的电迁移失效过程和四探针测量法的测量误差进行了分析,提出了采用四凸点结构提高测量精度的改进措施.