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用轨线法对C(3Pg)+SiO(X1Σ+,v=0、1,j=0)→SiC(X1Σ+)+O(3Pg)反应进行了计算,研究了两种状态下产物SiC的散射分布和微观反应机理.随初始相对碰撞平动能Et增加,产物SiC向前散射减弱,向后散射增强.对振动基态SiO(X1Σ+,v=0,j=0),Et≤4.6024×103kJ·mol-1,产物以向前散射为主;Et>4.6024×103kJ·mol-1,产物以向后散射为主.对振动激发态SiO(X1Σ+,v=1,j=0),Et≤4.1840×103kJ·mol-1,产物以向前散射为主;Et>4.1840×103kJ·mol-1,产物以向后散射为主. 相似文献
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