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SiC合成反应的散射分布
引用本文:陈泽琴,谢洪平,王平,陈雪兰,王昌明.SiC合成反应的散射分布[J].西华师范大学学报(哲学社会科学版),2004,25(1):40-43.
作者姓名:陈泽琴  谢洪平  王平  陈雪兰  王昌明
作者单位:西华师范大学化学系,苏州大学药学系,西华师范大学化学系,白塔中学,白塔中学 四川南充637002,苏州215007,四川南充637002,四川南充637100,四川南充637100
基金项目:重庆市科学技术基金资助课题(1998 26)
摘    要:用轨线法对C(3Pg)+SiO(X1Σ+,v=0、1,j=0)→SiC(X1Σ+)+O(3Pg)反应进行了计算,研究了两种状态下产物SiC的散射分布和微观反应机理.随初始相对碰撞平动能Et增加,产物SiC向前散射减弱,向后散射增强.对振动基态SiO(X1Σ+,v=0,j=0),Et≤4.6024×103kJ·mol-1,产物以向前散射为主;Et>4.6024×103kJ·mol-1,产物以向后散射为主.对振动激发态SiO(X1Σ+,v=1,j=0),Et≤4.1840×103kJ·mol-1,产物以向前散射为主;Et>4.1840×103kJ·mol-1,产物以向后散射为主.

关 键 词:合成反应  散射分布  碳化硅  轨线法  陶瓷材料  超硬材料
文章编号:1001-8220(2004)01-0040-04
修稿时间:2003年6月17日

Scattering Distribution for the Syntheses Reaction of SiC
CHEN Ze-qin,XIE Hong-ping,WANG Ping,CHEN Xue-lan,WANG Chang-ming.Scattering Distribution for the Syntheses Reaction of SiC[J].Journal of China West Normal University:Natural Science Edition,2004,25(1):40-43.
Authors:CHEN Ze-qin  XIE Hong-ping  WANG Ping  CHEN Xue-lan  WANG Chang-ming
Institution:CHEN Ze-qin~1,XIE Hong-ping~2,WANG Ping~1,CHEN Xue-lan~3,WANG Chang-ming~3
Abstract:
Keywords:SiC  SiO  C  syntheses reaction  scattering
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