GaN基MSM结构紫外光探测器

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层, 以此为材料, 制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器. 测量了该紫外光探测器的暗电流和360 nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线. 该紫外光探测器在5 V偏压时暗电流为1.03 nA, 在10 V偏压时暗电流为15.3 nA. 在15 V偏压下该紫外光探测器在366 nm波长处的响应度达到0.166 A/W, 在365 nm波长左右有陡峭的截止边. 从0~15 V, 该紫外光探测器在360 nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大. 详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系.     

短柄南蛇藤叶超微粉与普通粉挥发油化学组成的对比研究

 采用有机溶剂-水蒸汽蒸馏提取短柄南蛇藤叶挥发性成分,用GC/MS进行分离测定,从短柄南蛇藤叶超微粉和普通粉中分别分离鉴定出55种和50种化学成分,分别占挥发油总量的87.43%和92.24%。短柄南蛇藤叶2种粉末挥发油成分中,含有45种相同成分,其中相对含量最高的分别为油酸(普通粉3159%）,13-十八碳烯（超微粉17.88%）。文章首次对短柄南蛇藤超微粉与普通粉挥发性成分进行定性定量的对比研究,为其研究应用提供了科学数据。     

提高壳聚糖/纳米SiOx复合膜机械性能的研究

采用二次回归旋转正交组合试验设计方法,探讨了壳聚糖纳米SiOx复合膜的优化工艺条件,用流延法制得分散比较均匀的纳米复合膜,并对涂膜结构进行红外光谱（IR）和X射线衍射（XRD）表征。结果表明：复合膜（CTS-SiOx）中壳聚糖与SiOx粒子表面的大量羟基存在强烈的氢键相互作用,当壳聚糖为1.98g、SiOx 0.017g、单甘酯0.04g时,壳聚糖复合涂膜拉伸强度达到最优值,以壳聚糖单膜相比,拉伸强度、断裂伸长率和直角撕裂强度分别提高了49％, 45％和12%。复合膜的性能优于简单膜。     

蓝紫光InGaN多量子阱激光器

在（0001）蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构．三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良．用该外延片制作了脊形波导GaN激光器，激光器的腔面为GaN的自然解理面，室温，电脉冲注入，激光器可实现激射．阈值电流密度为3．3kA／cm^2，特征温度为145K．     

复合添加Nd与B对AZ91镁合金组织和力学性能的影响

研究了复合添加Nd和B对AZ91镁合金的微观组织和力学性能的影响。结果表明,复合添加B和Nd明显细化了α-Mg和β-Mg₁₇Al₁₂相。晶粒细化主要源自于AlB₂相作为α-Mg的异质形核衬底,添加的Nd细化了β-Mg₁₇Al₁₂相。扫描电镜分析表明,Al₂Nd和Mg₁₂Nd主要分布在晶界上,并且对合金力学性能起到了重要的促进作用。由于晶粒细化及热稳定相Al₂Nd和Mg₁₂Nd的存在,AZ91镁合金的常温力学性能得到大大改善。     

转ChIFN-γ基因烟草抗虫作用初步研究

 对田间烟蚜的自然发生情况观察和抗虫试验的研究显示,转ChIFN-γ基因烟叶具有显著的抗虫效果.为探索转基因烟草的抗虫机理,测定了叶片中烟碱含量并对植株组织进行切片染色.结果表明,烟碱含量与对照无显著差异;转基因烟草叶片增厚,细胞致密,细胞壁增厚可能是导致抗蚜虫、抗斜纹夜蛾的最直接因素之一.     

农药学创新型人才培养体系的构建与实践

针对贵州省高端创新人才匮乏的现状以及农药学学科涉及多个学科门类、横跨从实验室基础理论创新到工厂生产一直到田间应用的多个环节、基础和应用结合紧密、工业转化和农业推广需求强烈的综合性交叉学科的特点,以培养高质量的农药学创新人才为目标,在农药学创新性人才培养的指导思想、教学理念、培养机制和培养模式、课程体系和教学内容、师资队伍建设、培养平台建设、产学研用人才培养基地建设、教学方法改革等方面进行了一系列的改革和实践,形成了"本硕博贯通、化生农一体、农理科分设、多学科融合"的人才培养体系建设指导思想,构建了"化生农一体、农理科分设、多学科融合"的农药学人才培养体系,大力推进了化学、生物学与农学学科的交融、渗透、协调发展。提出了"搭建平台引人才、项目纽带聚团队、基础应用同发展、面向产业重转化、示范推广助市场"的办学特色和人才培养核心理念,建立"高端人才指导,重大项目牵引,基础应用并重,工厂农田结合"的农药学创新人才培养机制,形成了特色鲜明、优势突出、涵盖新农药创制、农药开发与转化、农药环境安全、农药应用示范推广的完整学科体系和人才培养体系。     

AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟

提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法. 在传统器件模拟软件中, 通过在异质结界面插入d掺杂层, 利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应. 模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结, 结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应, 而后者没有; Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加. 以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致, 说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.     

花青素合成调节基因VlmybA2遗传转化水稻的研究

VlmybA2基因是从巨峰葡萄中分离出来的一个花青素合成调节基因。该基因通过编码myb相关转录因子,调节花青素合成途径中结构基因的表达。本研究采用农杆菌介导法将花青素合成调节基因VlmybA2转化水稻,研究该基因在水稻花青素合成途径中的作用。结果表明,转VlmybA2基因水稻根部出现红褐色条纹,而其他组织器官无明显表型差异。     

奥氏体化温度对双相ADI中残余奥氏体含量的影响

残余奥氏体对双相等温淬火球墨铸铁（ADI）的力学性能影响比较显著。为了进一步了解工艺-组织-性能的关系,利用X射线法研究了奥氏体化温度对双相ADI中残余奥氏体含量的影响。结果表明随着奥氏体化温度的升高,残余奥氏体的含量逐渐增大。