GaN基MSM结构紫外光探测器

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层, 以此为材料, 制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器. 测量了该紫外光探测器的暗电流和360 nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线. 该紫外光探测器在5 V偏压时暗电流为1.03 nA, 在10 V偏压时暗电流为15.3 nA. 在15 V偏压下该紫外光探测器在366 nm波长处的响应度达到0.166 A/W, 在365 nm波长左右有陡峭的截止边. 从0~15 V, 该紫外光探测器在360 nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大. 详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系.     

1.3μm InGaAsP激光器电光采样技术测量超快速电信号

研究超高速器件和微波集成电路瞬态特性需要在时间畴测量非常快的电信号,这对测量手段的时间分辨率提出了更高的要求。以实用的高速采样示波器(Tck7104,带S4采样头,上升时间为25ps)已经不能完全满足测量的需要。我们建造了1.3 μm InGaAsP激光器超高速电光采样测试装置,采样光源是1.3 μm增益开关InGaAsP/IaP激光器。如果用以Ⅲ-V族材料为衬底的高速集成电路芯片代替微带采样器,则可以实现对集成电路动态特性进行无触点检     

蓝紫光InGaN多量子阱激光器

在（0001）蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构．三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良．用该外延片制作了脊形波导GaN激光器，激光器的腔面为GaN的自然解理面，室温，电脉冲注入，激光器可实现激射．阈值电流密度为3．3kA／cm^2，特征温度为145K．     

高速Ge光电探测器脉冲和频率响应的特性测量

本文用电光采样技术测量了高速Ge雪崩光电二极管的脉冲响应特性,利用计算机进行快速傅里叶变换(FFT)运算,得到了探测器的频率响应曲线。