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在微机电系统(MEMS)圆片级封装中,通孔缺陷极有可能降低芯片与外界电互联的可靠性.采用气浮沉积的方法,在通孔底部沉积纳米银浆,形成低电阻的Ag/Al/Si欧姆接触结构,解决了电极间的电学连接问题.根据AJTM300气溶胶喷射系统的特点,选择50nm粒径的纳米银浆制作通孔Ag/Al/Si欧姆接触结构;在平面圆形Al电极上气浮沉积纳米银浆,改变银浆的烧结温度,用以验证Ag对Al/Si接触电阻的影响;将此法应用于通孔互联结构中,并探究得出最优沉积时间,测量两通孔间的I-V特性.试验结果表明,采用超声雾化方式的气浮沉积方法,在通孔底部沉积15s的纳米银浆,经过300℃的烧结,可以有效填充通孔底部缺陷,并形成较低电阻的Ag/Al/Si接触结构.采用按需喷印的气浮沉积方案对通孔进行沉积,为实现MEMS芯片与外界的电互联提供了新思路. 相似文献
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