| 基于气浮喷射的MEMS封装中通孔的金属互联 |
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| 引用本文： | 吕文龙,占瞻,虞凌科,杜晓辉,王凌云,孙道恒.基于气浮喷射的MEMS封装中通孔的金属互联[J].厦门大学学报(自然科学版),2014,53(5):689-692. |
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| 作者姓名： | 吕文龙 占瞻 虞凌科 杜晓辉 王凌云 孙道恒 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院,福建厦门,361005
2. 厦门大学物理与机电工程学院,福建厦门,361005 |
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| 摘 要： | 在微机电系统(MEMS)圆片级封装中,通孔缺陷极有可能降低芯片与外界电互联的可靠性.采用气浮沉积的方法,在通孔底部沉积纳米银浆,形成低电阻的Ag/Al/Si欧姆接触结构,解决了电极间的电学连接问题.根据AJTM300气溶胶喷射系统的特点,选择50nm粒径的纳米银浆制作通孔Ag/Al/Si欧姆接触结构;在平面圆形Al电极上气浮沉积纳米银浆,改变银浆的烧结温度,用以验证Ag对Al/Si接触电阻的影响;将此法应用于通孔互联结构中,并探究得出最优沉积时间,测量两通孔间的I-V特性.试验结果表明,采用超声雾化方式的气浮沉积方法,在通孔底部沉积15s的纳米银浆,经过300℃的烧结,可以有效填充通孔底部缺陷,并形成较低电阻的Ag/Al/Si接触结构.采用按需喷印的气浮沉积方案对通孔进行沉积,为实现MEMS芯片与外界的电互联提供了新思路.
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| 关 键 词： | 圆片级封装 气浮沉积 金属互联 欧姆接触 纳米银浆 |
Application of Aerosol Jet Technology on Through Hole Metal Interconnection for MEMS Wafer Level Package |
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| L Wen-long,ZHAN Zhan,YU Ling-ke,DU Xiao-hui,WANG Ling-yun,SUN Dao-heng.Application of Aerosol Jet Technology on Through Hole Metal Interconnection for MEMS Wafer Level Package[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2014,53(5):689-692. |
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| Authors: | L Wen-long ZHAN Zhan YU Ling-ke DU Xiao-hui WANG Ling-yun SUN Dao-heng |
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| Institution: | L(U) Wen-long,ZHAN Zhan,YU Ling-ke,DU Xiao-hui,WANG Ling-yun,SUN Dao-heng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wafer level package aerosol deposition metal interconnection ohmic contact nano silver |
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