基于CAT技术的多功能机构参数测试装置

针对误差对平面连杆机构运动特性及动力学特性的影响，采用先进的计算机辅助测试技术、传感器技术、数据处理及输入和输出技术，研制了一种集曲柄滑块和曲柄摇杆的运动学参数，动力学参数及速度波动为一体的测试装置，实践表明该实验装置具有功能强大，人机界面友好，使用方便等优点。     

基于XFAST自适应的直接捕获算法

针对采用XFAST(Extended replica folding acquisition search technique)方法会额外造成恒定信噪比损失的缺点,提出一种基于XFAST方法的自适应捕获方法,结合非相关累加的性质进行自适应组合,对P码信号进行直接捕获.研究结果表明:此自适应捕获方法仍然可以保留XFAST计算量较小的优点,同时可以克服XFAST无法捕获到较弱信号的不足,对实际GPS P码直接捕获接收机的设计以及我国自主北斗长码直接捕获接收机的发展均具有一定的参考价值.     

高精度Σ-ΔADC中的数字抽取滤波器设计

设计1个应用于高精度sigma-delta模数转换器(Σ-ΔADC)的数字抽取滤波器。数字抽取滤波器采用0.35μm工艺实现,工作电压为5V。该滤波器采用多级结构,由级联梳状滤波器、补偿滤波器和窄带有限冲击响应半带滤波器组成。通过对各级滤波器的结构、阶数以及系数进行优化设计,有效地缩小了电路面积,降低了滤波器的功耗。所设计的数字抽取滤波器通带频率为21.77kHz,通带波纹系数为±0.01dB,阻带增益衰减120dB。研究结果表明:该滤波器对128倍过采样、二阶Σ-Δ调制器的输出码流进行处理,得到的信噪失真比达102.8dB,数字抽取滤波器功耗仅为49mW,面积约为0.6mm×1.9mm,达到了高精度模数转换器的要求。     

小波变换的单开关电流积分器设计实现方法

针对小波变换的模拟电路实现问题,提出一种基于单开关电流积分器的模拟小波变换电路设计新方法。根据小波变换的模拟滤波器实现原理,以某一带通滤波器传递函数为例,首先,基于小波函数的容许条件,证明该网络函数为母小波函数;然后,采用单开关电流积分器为基本单元设计冲激响应为该母小波的带通滤波器,通过调节滤波器电路时钟频率获得不同尺度小波函数实现小波变换。研究结果表明:该方法实现小波变换具有无需小波函数逼近过程、设计精度高、电路结构简单、小波函数尺度易于调节等特点,适合于低压、低功耗和实时工程应用。     

SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究

对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究。研究结果表明:在SHH应力下,栅电流在开始阶段减小,这是正电荷在氧化层中积累的结果;随后栅电流慢慢地增加,最后,当在氧化层中积累的正电荷密度达到一个临界值时,栅上漏电流迅速跳变到较大数量级上,说明器件被击穿;当注入空穴通过Si—O网络时,随着注入空穴流的增加,化学键断裂的概率增加;当1个Si原子的2个Si—O键同时断裂时,将会导致Si—O网络不可恢复;Si—O键断裂导致氧化层网络结构发生改变和损伤积累,最终导致氧化层破坏性被击穿。     

用于流水线ADC的预运放-锁存比较器的分析与设计

提出了一种应用于开关电容流水线模数转换器的CMOS预运放-锁存比较器.该比较器采用UMC混合/射频0.18μm 1P6M P衬底双阱CMOS工艺设计,工作电压为1.8 V.该比较器的灵敏度为0.215 mV,最大失调电压为12 mV,差分输入动态范围为1.8V,分辨率为8位,在40 M的工作频率下,功耗仅为24.4 μW.基于0.18μm工艺的仿真结果验证了比较器设计的有效性.     

新型高速低功耗CMOS动态比较器的特性分析

为了降低sigma-delta模数转换器功耗,针对应用于sigma-delta模数转换器环境的UMC 0.18 μm工艺,提出1种由参考电压产生电路、预放大器、锁存器以及用作输出采样器的动态锁存器组成的新型高速低功耗的CMOS预放大锁存比较器.该比较器中输出采样器由传输门和2个反相器组成,可在较大程度上减少该比较器的功耗.电路采用标准UMC 0.18 μm工艺进行HSPICE模拟.研究结果表明:该比较器在1.8 V电源电压下,分辨率为8位,在40 MHz的工作频率下,功耗仅为24.4 μW,约为同类比较器功耗的1/3.     

单边带光载LDPC-OFDM系统的传输性能

对LDPC-OFDM信号在单边带光调制系统中的传输性能进行研究,介绍OFDM单边带调制系统原理,建立FDM单边带调制系统的仿真系统,仿真、分析并比较原始OFDM信号和LDPC-OFDM信号在单边带调制系统中的误码性能和星座图.研究结果表明:在传输距离相同的条件下,LDPC-OFDM信号的误码性能比原始OFDM信号的误码性能好;LDPC编码具有较强的纠错能力,前向纠错编码技术的使用弥补了光纤链路中色散对传输信号质量的影响;在OFDM信号的基础上采用LDPC编码能获得较好的编码性能增益.     

MOS器件直接隧穿栅电流及其对CMOS逻辑电路的影响

随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性理论和仿真,对小尺寸MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的直接隧穿栅电流进行研究,并通过对二输入或非门静态栅泄漏电流的研究,揭示直接隧穿栅电流对CMOS(complementary metal oxide semiconductor)逻辑电路的影响.仿真工具为HSPICE软件,MOS器件模型参数采用的是BSIM4和LEVEL 54,栅氧化层厚度为1.4 nm.研究结果表明:边缘直接隧穿电流是小尺寸MOS器件栅直接隧穿电流的重要组成成分;漏端偏置和衬底偏置通过改变表面势影响栅电流密度;CMOS逻辑电路中MOS器件有4种工作状态,即线性区、饱和区、亚阈区和截止区;CMOS逻辑电路中MOS器件的栅泄漏电流与其工作状态有关.仿真结果与理论分析结果较符合,这些理论和仿真结果有助于以后的集成电路设计.     

SILC效应机理及其对Flash Memory的影响

随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的SILC效应。