|
|||||
|
|
| SILC效应机理及其对Flash Memory的影响 | |
| 引用本文： | 胡仕刚.SILC效应机理及其对Flash Memory的影响[J].科技咨询导报,2011(17):105-107. |
| 作者姓名： | 胡仕刚 |
| 作者单位： | 湖南科技大学信息与电气工程学院; |
| 基金项目： | 湖南科技大学博士启动基金项目(E51080) |
| 摘 要： | 随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的SILC效应。 |
| 关 键 词： | 应力感应泄漏电流 MOSFET 栅氧化层 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |