光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究

研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式，结合霍耳效应测量，得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度ｐ之间的关系曲线为Г＝２．５４ｐ＾０．４０８，其中Г，ｐ分别是以ｃｍ＾－１和１０＾１９ｃｍ＾－３为单位。提供了用喇曼光谱     

应用激光探针技术评价烃源岩成熟度--以东营凹陷生油岩研究为例

我国第三纪含油气盆地生油岩由于存在明显镜质组反射率抑制作用,长期以来,生油岩成熟度评价一直是未解决的难题.激光探针技术是目前解决这类问题较可靠的方法.应用澳大利亚石油资源研究所激光探针对东营凹陷典型烃源岩成熟度进行了系统研究,结果表明该区烃源岩镜质组反射率存在明显的抑制作用,且母质类型越好,抑制程度越强,Ⅰ型为0.20%～0.25%;Ⅱ1型为0.15%～0.20%;Ⅱ2型为0.10%～0.20%;Ⅲ型为0.0～0.10%.在此基础上,进一步根据研究结果及生油岩母质类型,建立起了应用实测镜质组反射率(MVRo)得到烃源岩校正反射率(EqVRo)的公式为:Ⅰ型EqVRo=MVRo+0.25%;Ⅱ1型EqVRo=MVRo+0.20%;Ⅱ2型EqVRo=MVRo+0.15%;Ⅲ型EqVRo=MVRo+0.05%.研究结果对于该区烃源岩成熟度评价及油气勘探具有重要指导意义.     

基于吸散一体隐身超构表面的透射型涡旋电磁波产生器设计

涡旋电磁波因其独特的"空心圈"状辐射场强度、螺旋前进的相位波前以及不同模式间相互正交等独特的电磁特性在雷达探测、成像、保密通信等领域有着巨大应用前景.本文设计了一种基于吸散一体隐身超构表面的透射型涡旋电磁波产生器,超构表面在沿+z方向的Vivaldi天线的球面波激励下,可在透射方向高效地产生拓扑电荷数l=+1的涡旋电磁...