非牛顿多方渗流方程的Harnack不等式

研究了非牛顿多方渗流方程ｕｔ＝ｄｉｖ（│△ｕ＾ｍ│＾ｐ－２△ｕ＾ｍ），这里ｍ＞０，ｐ＞１是给定常数，并且证明了Ｈａｒｎａｃｋ不等式。     

四（对—辛酰氧基）苯基卟啉锰的现场光谱电化学研究

以现场紫外－可见及现场红外光谱电化学方法研究四（对－辛酰氧基）苯基足啉锰在二甲亚砚中的电还原过程。结果表明,该金属足啉配合物在非质子介质中经历了二步单电子还原反应,氧化态敏感带出现在１５２２ｃｍ＾－１,１４６４ｃｍ＾－１,１２０４ｃｍ＾－１,１００５ｃｍ＾－１和８０７ｃｍ＾－１附近,随中心金属氧化态降低,吸收带均向低滤烽方向移动。     

LiTaO3晶体结构相变的等频喇曼光谱研究

本文分别在升温与降温过程中测量了10cm~(-1),30cm~(-1),50cm~(-1),80cm~(-1)处的等频喇曼光谱,并与理论计算的结果进行了系统的比较,基本上得到了定量的拟合。这一方法解决了普通喇曼光谱在分析高温下样品时所存在的中心峰干扰的难题,对结构相变的光谱研究开拓了一个新的领域。     

组合的KdV—mKdV方程的精确弧波解

通过直接代数方法得到了组合的ＫｄＶ－ｍＫｄＶ方程ｕｔ＋（ａ＋ｂｕ＾ｐ）ｕ＾ｐｕｘ＋ｃｕｘｘｘ＝０的精确弧波解，这个方法简洁、初等、可以应用到其它非线性方程。     

Cd2O2S：Eu^3＋的荧光光谱及晶体场计算

在２１５００ｃｍ＾－１～１１５００ｃｍ＾－１区间内测量了红色荧光粉Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ的室温（３００Ｋ）及低温（７７Ｋ）荧光光谱，认定了Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＾３＋７７Ｋ的１２２条谱线和３００Ｋ的９６条谱线的跃迁属性，利用＾７ＦＪ的实验能级并考虑到中间耦合和Ｊ混杂效应，对Ｇｄ２Ｏ２Ｓ中Ｅｕ＾３＋的晶体场进行了计算，得到了７７Ｋ及３００Ｋ时的６个晶体场参数及晶体中的７个“自由离子能量”参数，拟合计算的均方     

钐（Sm）原子自然辐射寿命的测量

利用时间分辨激光诱导荧光方法，采用一步激发，测量钐原子４ｆ＾６ ６ｓ６ｐ和４ｆ＾５ ５ｄ６ｓ＾２系列的自然辐射寿命，并给出能级１８２０９ｃｍ＾－１５Ｇ＾０ ３的寿命值。     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

用铬酸根与邻氨基苯酚的氧化显色反应萃取光度法测定铬酸根

本文研究在ｐＨ５．３的ＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中，铬酸根与邻氨基苯酚反应生产黄色氧化产物。建立了萃取光度法测定铬酸根的方法。方法的线性范围为０．０１－２．０μｇ／ｍｌ，摩尔吸光系数为２．３×１０＾４Ｌ·ｍｏｌ＾－１·ｃｍ＾－１，用于污水中铬酸根的测定，结果满意。     

退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响

通过喷雾热触获得CdS薄膜，水热法合成CdS纳米晶，在氮气中做了退火处理，发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动；经暗电阻与温度关系测试，发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值，用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由；室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰。     

积分型Bernstein不等式

本文得到以下积分型Ｂｅｒｎｓｔｅｉｎ不等式：令Ｐｎ（Ｄ）＝∏ｓ＝１＾ｋ（Ｄ＾２＋２αｓＤ＋αｓ＾２＋βｓ＾２）∏ｊ＝１＾ｎ－２ｋ（Ｄ－λｊ）,其中Ｄ＝ｄ／ｄｘ,αｓ,βｓ,λｊ为实数;βｓ〉０,ｓ＝１,２,…,ｋ;ｊ＝１,２,…,ｎ－２ｋ;β＝ｓｕｐβｓ１≤ｓ≤ｋ,ｐ≥１则１．若ｍ〉４β,则对任意的ｍ阶三角多项式Ｔｍ（ｘ）,有（∫０＾２πＰｎ（Ｄ）Ｔｍ（ｘ）＾ｐｄｘ）＾１／ｐ≤Ｐｎ（ｉｍ）     

铝掺杂对ZnO纳米线结构和光学性质的影响

利用化学气相沉积方法成功地合成了不同Al掺杂浓度的ZnO纳米线.从场发射扫描电子显微镜可以看出纳米线的直径约为100 nm.X射线衍射结果表明主要的衍射峰都与ZnO的晶面对应,为纤锌矿结构.当掺杂浓度达到2.0 at%时,在背散射拉曼光谱中观察到由于Al掺杂而引起的640 cm-1处的峰.光致发光谱表明,随着掺杂浓度的增加,紫外与可见发光的强度比值逐渐变小.     

N型4H—SiC中载流子密度和霍耳迁移率的模拟及研究

采用流体动力学平衡方程在温度为３０ Ｋ 到１０００ Ｋ 范围内计算了霍耳迁移率，并用补偿模式研究了载流子密度与温度的关系．结果表明，电离杂质散射对霍耳迁移率与温度的关系有很大的影响．霍耳迁移率的低温值主要由电离杂质散射确定，而它的高温尾取决于声学声子，极化光学声子和谷间声子散射．计算的霍耳迁移率与实验数据相符     

应用于超大规模集成电路的新材料WSi2的快速热退火形成

用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi_2的行为.在331和450cm~(-1)处有两个WSi_2的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi_2的晶化不断增强.发现WSi_2中伴有W_5Si_3相存在,但其行为仍显示为WSi_2的特征.     

苯和四氯化碳混合液的激光拉曼光谱研究

文章使用LRS-III型激光拉曼光谱仪,以苯和四氯化碳为例,通过对它们自身及其不同体积比混合液的拉曼光谱研究及分析,定量得出苯和四氯化碳的体积比和其特征峰强度的关系.根据工作曲线,可以得出苯和四氯化碳的含量.     

LiTaO_3晶体振动模式的相关分析及喇曼观测

L i Ta O3晶体晶格振动与相变已研究了近三十年 .晶格振动的观察主要集中在铁电相 .本文给出了钽酸锂铁电相与顺电相模式及相关关系 .利用喇曼散射技术 ,观察并归属了两相的喇曼激活模式 .     

康普顿效应推导过程探讨

介绍了康普顿效应,推导了波长偏移与散射角关系公式,并用Mathematica软件画图展示结果,能直观展示出波长偏移与散射角之间的关系．     

单模光纤中的受激Ramam散射

多模光纤中的多级受激Raman散射(SRS)的研究已有报道^[1],我们继而用单模光纤进行了获得SRS辐射的一些实验.     

a-Si∶H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a-Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a-Si:H层形成纳米硅颗粒.     

掺Cr半绝缘GaAs材料质量对离子注入层电学性质的影响

半绝缘(S.I)GaAs材料既在微波MESFET器件中用作外延生长的衬底又在集成电路中用作直接离子注入的掺杂层材料,因此进一步了解S.I-GaAs材料的质量是十分重要的.本文将Si²⁸直接注入到不同质量的掺Cr.S.I-GaAs衬底,然后测量注入层的载流子浓度分布和迁移率,从而直接评价SI-GaAs材料的质量,并对实验结果进行了讨论.     

非掺杂气相外延GaAs层中空间电荷散射中心的研究

根据室温和77K下电学性质测试数据,计算了非掺杂VPEGaAs材料中空间电荷中心密度与散射截面积的乘积N_SOA,然后从N_SOA分别与N_D及μ_300K间的关系,推测空间电荷散射中心是某种Si_GS-(O₁,V₁)型的络合物.结合本工作,为了在AsCl₃欠纯的情况下获得适当纯度的外延层,在气相外延系统中装入去硫装置,有效地抑制了硫、硒等杂质,附带发现该装置对碳的去除也有一定效果.