3C-SiC的能带结构和光学函数的第一性原理计算

利用从头计算的全势缀加平面波理论方法研究了3C-SiC的能带结构和基本的光学函数，得到了Si、C分波态密度和能带结构．介电函数的虚部由能带结构的计算直接得到．经带隙校正后，由Kramers—Kronic（K—K）色散关系计算了介电函数的实部．由得到的介电函数计算了折射率、消光系数和反射率．经比较，计算的结果与已有的实验数据基本相符．     

服装自动剪裁数控系统研究

提出一个比较特殊的半开环服装剪裁数控系统．系统采用一片高性能的１６位单片机８０９７ＢＨ作主机，以两片８位单片机作副机，构成模块式的硬件系统．软件系统由两大部分组成，即前台程序和后台程序．前台程序以中断方式完成数控系统的各种实时控制任务；后台程序负责原始数据输入，数据处理，协调各子系统等．由于软、硬件系统皆用模块式构成，所以系统维护简单、扩展方便、有很好的性能价格比优势．     

表面物理光束线和实验站的建设及研究进展

介绍了国家同步辐射实验室（NSRL）二期工程建设的表面物理光束线的设计参量和测试结果，以及实验站的基本配置、调试结果和自对用户开放以来取得的最新研究进展．测试和开放使用结果表明，NSRL表面物理实验站能够满足部分用户开展角分辨光电子能谱实验的需要．     

硫钝化对Fe、Co/GaAs(100)界面形成和磁性质的影响

利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的ＧａＡｓ（１００）表面生长的Ｆｅ，Ｃｏ超薄膜与衬底的界面形成及磁性。实验结果表明，硫钝化能阻止Ａｓ向Ｆｅ，Ｃｏ超薄膜扩散，减弱Ａｓ和Ｆｅ，Ｃｏ的相互作用并增强在ＧａＡｓ（１００）表面生长的铁磁金属薄膜的磁性。     

β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算

用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构。计算出的β-SiC晶体结构参数。晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好，用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表达的原子与电子结构。结果表明，表面顶层原子发生键长收缩和旋转豫特性，表面阳离子Si向体内移动而阴离子C向表面外移动，这与Ⅲ-Ⅴ族半导体（110）表面弛豫特性相似，表面重构的机制是Si原子趋向于以平面构型的sp^2杂化方式与其三配位C原子成键，C原子趋向于以锥型的p^3试民其三配位Si原子成键，另外表面弛豫实现表面由金属性至半导体性的转变。     

NSRL光电子能谱站控制系统的改造

为了适应同步辐射应用技术发展的需要，我们对NRSL光电子能谱站的控制系统进行了改造，并设计出由3个16bit D／A转换而成的精度较高的18bit D／A．经过对其稳定性、重复性进行测试表明18bit D／A达到设计要求．经过对Au 4f的XPS测试，改造后的总分辨率优于400meV．     

GaAs(001)面能量扫描的光电子衍射研究

利用在国家同步辐射实验室建立的光电子衍射技术 ,采集了GaAs(0 0 1 )面能量扫描的光电子衍射谱。通过对光电子衍射谱的傅立叶变换分析给出了各个发射体近邻原子的正确位置 .经过多重散射模型计算并对实验曲线的拟合验证了Biegelsen提出的Ga双层模型的正确性 .结果显示 ,最外层构成二聚体的两个Ga原子沿 [1 1 0 ]方向移动聚拢 ,偏离体材料格位 8.3% .同时最外层的Ga原子向内收缩 2 .1 % .     

表面物理光束线和实验站的建设及研究进展

介绍了国家同步辐射实验室(NSRL)二期工程建设的表面物理光束线的设计参量和测试结果,以及实验站的基本配置、调试结果和自对用户开放以来取得的最新研究进展.测试和开放使用结果表明,NSRL表面物理实验站能够满足部分用户开展角分辨光电子能谱实验的需要.     

NSRL光电子能谱站控制系统的改造

为了适应同步辐射应用技术发展的需要,我们对NRSL光电子能谱站的控制系统进行了改造,并设计出由3个16 bit D/A转换而成的精度较高的18 bit D/A.经过对其稳定性、重复性进行测试表明18 bit D/A达到设计要求.经过对Au 4f的XPS测试,改造后的总分辨率优于400 meV.     

利用NO2的分解在Au(997)表面制备吸附氧原子

利用以同步辐射光为激发光源的高分辨光电子能谱研究了NO₂与Au(997)单晶表面的相互作用. 芯能级和价带光电子发射结果都表明170 K低温条件下, 低暴露量时NO₂在Au(997)表面上发生分解, 形成NO(a)和O(a)的共吸附表面物种. 当样品在300 K退火时, NO(a)发生脱附, 而O(a)依然吸附在Au(997)表面上. 退火温度升至750 K时, 表面上O(a)的信号完全消失. 结果表明, 在超高真空条件下, 利用NO₂的热分解是在Au(997)表面上制备原子氧吸附物种的有效方法.