| GaAs(001)面能量扫描的光电子衍射研究 |
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| 引用本文： | 邓锐,谢长坤,李拥华,潘海斌,徐法强,徐彭寿.GaAs(001)面能量扫描的光电子衍射研究[J].中国科学技术大学学报,2004,34(1):38-43. |
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| 作者姓名： | 邓锐 谢长坤 李拥华 潘海斌 徐法强 徐彭寿 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029 |
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| 基金项目： | 中国科学院“九五”特别支持项目 |
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| 摘 要： | 利用在国家同步辐射实验室建立的光电子衍射技术 ,采集了GaAs(0 0 1 )面能量扫描的光电子衍射谱。通过对光电子衍射谱的傅立叶变换分析给出了各个发射体近邻原子的正确位置 .经过多重散射模型计算并对实验曲线的拟合验证了Biegelsen提出的Ga双层模型的正确性 .结果显示 ,最外层构成二聚体的两个Ga原子沿 1 1 0 ]方向移动聚拢 ,偏离体材料格位 8.3% .同时最外层的Ga原子向内收缩 2 .1 % .
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| 关 键 词： | 表面结构 GaAs 光电子衍射 |
| 文章编号： | 0253-2778(2004)01-0038-06 |
| 修稿时间： | 2003年2月13日 |
Photoelectron Diffraction Studies on GaAs (001) Surface by Energy Scan Mode |
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| DENG Rui,XIE Chang kun,LI Yong hua PAN Haibin,XU Fa qiang,XU Peng shou.Photoelectron Diffraction Studies on GaAs (001) Surface by Energy Scan Mode[J].Journal of University of Science and Technology of China,2004,34(1):38-43. |
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| Authors: | DENG Rui XIE Chang kun LI Yong hua PAN Haibin XU Fa qiang XU Peng shou |
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| Keywords: | structure GaAs photoelectron diffraction |
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