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该文利用化学喷雾热解法,在773 K温度下,基于玻璃衬底沉积得到了磷化铟薄膜.进一步研究发现,磷化铟薄膜为立方相多晶,并且优先取向(111)方向,其直接带隙为1.50 eV.磷化铟薄膜呈现n型导电性,电阻率为5.18×103Ω·cm.因此,磷化铟薄膜材料在未来高频、大功率材料和光电子器件领域具有潜在应用. 相似文献
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从‘t Hooft磁单极子和Julia-Zee双子的场方程及其严格经典解出发,推导了稳态旋转磁单极子的场方程.并讨论了旋转对磁单极子解随旋转角速度增大的变化情况. 相似文献
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采用Palatini变分,由爱因斯坦-希尔伯特作用量得到新的引力场方程,将新方程应用于宇宙学,得到新的弗里德曼方程,并进行数值求解.在德西特背景下,对新的场方程进行弱场近似,并对宇宙解的稳定性进行分析. 相似文献
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二维材料范德华异质结的研究推动了新型电子器件的发展.最近基于此类材料的电子器件时有报道,但鲜见同时具备逻辑运算和数据存储功能的电子设备.该研究采用机械剥离等方法,设计和制作了一种基于石墨烯/六方氮化硼/二硫化钼范德华异质结的多功能半浮栅场效应晶体管.研究发现,在单个器件构型中同时成功地实现了场效应管、半浮栅场效应管和二极管功能.而且电学测试结果进一步表明:作为经典的晶体管,它可以用于逻辑运算;作为半浮栅场效应管可用于非易失性存储器,而且保留时间可达10年以上,且其开/关比可达103;作为二极管用于整流,其整流比可达103.因此,本工作制备的多功能半浮栅场效应管有望在逻辑运算、数据储存和整流器开关等方面得到广泛应用. 相似文献
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采用第一性原理方法,系统地研究了Ti_3AC_2/Zr(A=Si,Al)范德华异质结材料的电子结构和弹性性质.根据能带结构,电子态密度和Mulliken布局分布情况,分析了Ti_3AC_2/Zr(A=Si,Al)的电子性质和价键性质.采用广义梯度近似(GGA)计算方法,计算分析了Ti3SiC2/Zr和Ti3AlC2/Zr两种异质结材料的弹性性质和力学稳定性.研究结果表明,Ti3SiC2/Zr和Ti3AlC2/Zr具有较大的各向异性和较好的力学稳定性.且在相同应力的作用下,Ti_3AC_2/Zr(A=Si,Al)范德华异质结材料的形变小于MAX相材料Ti_3AC_2(A=Si,Al)的形变,但大于Zr金属的形变. 相似文献
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首先介绍了f(R)引力理论的发展,然后引入了f(R)引力度规形式及引力场方程,重点分析了f(R)引力理论与标量—张量理论及其联系.最后我们推导了度规f(R)理论的局部解与宇宙解. 相似文献