首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  免费   0篇
综合类   6篇
  2010年   1篇
  2007年   2篇
  2006年   1篇
  1999年   1篇
  1997年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
何谓创造能力?就是目前而言,比较一致的看法是,“运用一切已知信息,产生某种新颖独特,有社会或个人价值的产品的能力。”美国心理学家马斯洛(A·H·Maslow)认为创造力可分为两种,一种是特殊才能的创造力,如科学、发明家的创造  相似文献   
2.
方晓玲 《科技信息》2006,(4):320-321
音像资料的管理工作是随着信息革命的兴起而逐步形成的一门专业。如何干好这个专业?笔者认为必须从以下四个方面着手一要提高认识,具有敬业爱岗,“舍身求法”的精神;二要开阔视野,具有与时俱进,开拓创新的精神;三要努力学习,具有刻苦钻研,积极进取的精神;四要百折不饶,具有困难压不倒,麻烦挡不住的精神。  相似文献   
3.
应用晶化非晶硅(a—Si)薄膜铝诱导方法,采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、光学显微镜(Optical Microscopy,OM)和原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)等测试手段,研究了退火条件对样品晶化的影响.结果表明,样品在300℃下退火后仍为非晶态;退火温度为400℃时,样品开始晶化.随着退火时间的增加,薄膜晶化程度越来越高,晶粒越来越大,同时薄膜表面粗糙度增加.  相似文献   
4.
合成了不同硅铝比的AlMCM-41型分子筛,并制备了Ni-AlMCM-41催化剂,以正庚烷的异构化为模型反应,在连续流动固定床反应器上考察还原温度、反应温度、Ni负载量、Si/Al等对庚烷异构化反应的影响,研究结果表明,在还原温度410℃、反应温度300℃、Ni负载量3%~4%、si/Al=20的条件下,正庚烷的转化率达到70%,其异构化选择性达到44.5%,通过表征,确定催化剂具有中孔结构、较高的比表面(氢型925.41m2/g)、规则的孔径(4.032nm)和适宜的酸性.  相似文献   
5.
采用玻璃/氢化非晶硅(a—Si:H)以吕结构,在低温(≤350℃)下,应用铝诱导晶化法(AIC),形成了纳米硅(nc-Si).利用X射线衍射(XRD)光谱、拉曼(Raman)光谱和紫外可见近红外光谱(UVVis—NIR),研究了退火升温时间对a—Si:H薄膜的结构及其光学特性的影响.结果表明,随着退火升温时间的增加,廿Si:H膜的晶化率X。增加而硅晶粒尺寸基本不变,光吸收系数α增加.这主要是由于铝和氢化非晶硅膜之间的氧化层很薄以及退火升温导致Al—Si之间的互扩散增强,使硅的成核密度很高和扩散到a-Si:H膜中的铝浓度较高造成的。  相似文献   
6.
该文阐述了应试教育转变为素质教育的必要性,并提出了实施素质教育的环境条件和行动对策。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号