以藏族文化生活为例,开发藏区中学物理课程实验资源

课程资源开发是新课程改革发展中的新理念,新方法.而形象易懂的实验资源又是课程资源的重要组成部分,在物理教学中具有重要价值.如何开发实验资源,提高中学物理实验教学质量,成为中学物理教学中的重要内容.从藏族文化生活中合理并有效地开发出典型的案例,并使之融入到中学物理实验教学中,这样不仅会提高学生学习的兴趣,还能促进学生的民族情感,能积极推动民族地区新课程改革的实施.     

Au/(C/SiO2)/p-Si结构中的电流输运机理研究

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏压较小时，薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制；正向偏压较大时，薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果．这一结论与样品的EL（electroluminescence）是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致．     

功率控制调速理论与内反馈交流调速电机

对交流电动机调速实质的探讨,关系到近代交流调速技术的发展。到目前为止,许多文献和论著都认为交流调速的关键在于转矩控制,同时也忽略了对电动机调速内因的分析和利用,将注意力集中在电动机的外部控制。而本文论述的内反馈交流调速电机,就是从电机调速的功率控制理论出发,注重对调速电机本体的调速内因进行分析、研究和利用,使调速电机与控制系统实现了最优化地衔接。     

含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究

采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合.     

民族院校开展《大学物理》混合MOOC教学探究——以西北民族大学为例

随着互联网的兴起和信息技术的发展,网络教育逐渐进入人们的视野.MOOC已成为当前教育界尤其是高等教育领域的一个热点话题,越来越受到关注.文章通过大量的调研和分析,探究了民族院校开展《大学物理》混合MOOC教学的必要性,并对实施过程中需要特别注意的方面进行了总结归纳,期望能够为中国民族高等教育教学模式的创新提供参考.     

Si/SiO2/p-Si结构的电学特性

用射频磁控溅射法在p-Si衬底上制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其电学特性进行了分析。结果表明,样品具有很好的整流作用,起整流作用的势垒存在于(Si/SiO2)/p-Si界面附近。     

Au/(Si/SiO_2超晶格)/p型Si结构的可见电致发光研究

采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室温下的可见电致发光 .认为光发射主要来自于 Si O2 层中的发光中心上的复合发光 ,对实验结果进行了解释 .     

非物理教育专业物理学实验课程教学内容和体系的改革

针对非物理教育专业物理学实验课程教学内容和体系存在的问题，提出了具体的方案，并在实施过程中取得了初步的效果。     

镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

智能电压表中量程自动转换电路研究

提出并设计了一种适用于电压表的量程自动转换电路.该电路通过对被测电压的判断和量程选择器的控制,实现了在高精度仪表中量程的自动选择.电路选用低成本的普通元件,在有效范围内能实现电压自动测量,并且运用EWB仿真软件对所设计的局部电路进行了仿真,得到了预期的结果.