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| Si/SiO2/p-Si结构的电学特性 | |
| 引用本文： | 马自军,马书懿.Si/SiO2/p-Si结构的电学特性[J].甘肃科技,2008,24(7):83-84. |
| 作者姓名： | 马自军 马书懿 |
| 作者单位： | 1. 甘肃农业大学,理学院,甘肃,兰州,730070 2. 西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070 |
| 基金项目： | 甘肃农业大学理学院青年教师科研基金 |
| 摘 要： | 用射频磁控溅射法在p-Si衬底上制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其电学特性进行了分析。结果表明,样品具有很好的整流作用,起整流作用的势垒存在于(Si/SiO2)/p-Si界面附近。 |
| 关 键 词： | Si/SiO2薄膜 射频磁控溅射 I-V特性 能带图 |
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