生物芯片微阵列图像倾斜校正算法研究

针对现有生物芯片图像倾斜校正算法校正精度和运算速度的矛盾问题,提出对矩形样点和圆形样点图像分别采用改进的Hough变换和改进的Radon变换方法进行倾斜校正。改进的Hough变换首先对图像进行二值化,并仅统计矩形样点的上下边缘像素的Hough参数和累计值,然后根据所得的Hough参数空间提取占主导的直线组,最终计算出直线组的平均倾斜角度;改进的Radon变换在提取圆形样点边缘后,对边缘图像进行二级Radon变换,从而得到最佳校正角度。实验证明本文的方法能准确、快速地实现芯片图像的倾斜校正,为生物芯片样点识别奠定基础。     

空气氧化法制备胡椒酸的研究

黄樟油素于乙酸溶剂中，在ＣｏＢｒ系列催化剂的催化下，被空气氧化成胡椒酸，总收率达到７６．０％．     

W-Cu合金中Cu相纯度对热导的影响

为了探讨提高ＷＣｕ合金热导（ＴＣ值）的途径,采用４种不同纯度的铜,用熔渗工艺制备Ｗ１５Ｃｕ（质量分数,％）复合材料试样,并用ＣＯ２激光仪测试熔渗试样的ＴＣ值．研究发现,铜相纯度的微小变化对ＷＣｕ合金的ＴＣ值产生重大影响．并对铜相纯度影响ＷＣｕ合金ＴＣ值的机制进行分析和探讨．实验证明,用９９．９％的铜,并用适当的熔渗工艺,可以得到ＴＣ值为２００Ｗ·ｍ－１·Ｋ－１的Ｗ１５Ｃｕ合金．     

分子印章法DNA芯片合成(Ⅲ)——反应条件的优化

对分子印章法制备寡核苷酸微阵列芯片的工艺条件进行了探索.研究了对寡核苷酸压印偶联反应影响较大的3个因素核酸反应液反应活性的稳定性、点阵上不同核酸单体残留物的交叉污染和封闭反应对寡核苷酸微阵列杂交结果的影响.实验研究表明,在氩气保护(水和氧含量低于5×10-6)下四和核苷酸单体的乙腈混合液的反应活性可保持10 h以上.采用了一种含羟基小分子的液体对压印偶联反应后的芯片进行处理,成功地清除了芯片上大量剩余的活性核酸单体分子,解决了它们对临近点阵可能产生的污染问题.最后指出了在寡核苷酸微阵列制备过程中可以舍弃通常DNA固相合成工艺中的封闭反应步骤,有效地提高了DNA芯片的制备效率.上述研究表明分子印章法制备寡核苷酸微阵列芯片不仅可行,而且经济.     

LabVIEW在《电路分析基础》课程教学中的应用

对LabVIEW在《电路分析基础》课程中的仿真做了研究,介绍了利用LabVIEW软件进行电路仿真的方法与优势,并以微积分电路、RC低通滤波器及三相电路的仿真为例详细阐述了其实现方法,具有编程效率高、实现简单、界面友好的特点,既代表了电路仿真的一个方向,又加深了学员对该课程的理解,并提高了教学效果。     

2-丙烯酰胺基-2-甲基丙膦酸的合成

报道了2－丙烯酰胺基－2－甲基丙膦酸的合成方法，并的制备了这一含磷阻垢剂单体，合成路线以五氯化磷出发，在甲苯溶剂中吸收异丁烯后，改进采用二氧化硫脱氯，得到膦酰二氯异构混合物（产率83．3％）；膦酰二氯异构混合物经室温水解，得到水解混合物（产率99％），后者再与丙烯腈水在浓硫酸催化下发生加成反应，制得2－丙烯酰胺基－2－甲基丙膦酸这一含磷阻垢剂单体（产率72％），研究比较了不同溶剂、脱氯剂、温度、时间、加成反应中的投料比等对相应产物的影响，并探讨了加成反应的机理，优化结果表明采用二氧化硫脱氯剂的改进路线，可成功制得2－丙烯酰胺基－2－甲基丙膦酸，总产率59％, ．优于其他文献报道结果。     

采用溶剂抽提法制备3-巯丙基三甲氧基硅烷自组装单层膜

为提高硅烷自组装单层膜的质量,提出溶剂抽提制备的工艺.玻片在5×10-3 mol/L的巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)苯溶液浸泡反应,依次用苯、丙酮、双蒸水回流抽提,得到MPTS的自组装膜.使用接触角、俄歇电子能谱及x射线光电子能谱等方法进行表征.研究结果表明:在惰性气体保护下,连续使用非极性溶剂和极性溶剂抽提,有效清除玻璃表面硅烷的物理吸附层,有效防止巯基硅烷的氧化,获得膜厚度为0.8咖、均匀的MPTS自组装单层膜.该工艺为制备稳定的硅烷自组装单层膜提供一种新方法.     

建筑地域性视角下当代建筑的误区及其路径探索

建筑技术的作用不容忽视,但是,建筑的发展与建筑所处的地域之间也有着密不可分的联系,一定地域的材料资源、地形地貌、气候状况等要素对建筑的发展有着重要的影响.本文在分析对建筑的地域性及其影响的基础上,关照了建筑地域性关照下当代建筑的现状,并有针对性地进行了建筑地域性与时代相结合的路径探索.     

汽车热交换器用铝合金钎焊带包覆率范围的确定

设计并制备了几种不同包覆率的３层复合铝合金钎焊带材,检测了每种带材在正常钎焊条件下的抗下垂性能,从铝合金钎焊带抗下垂的能力和填充缝隙的能力２个方面对包覆率的选择进行了分析与讨论,以厚度为０．１６ｍｍ的Ａ４３４３／Ａ３００３／Ａ４３４３铝合金钎焊带为例,得出其最佳包覆率范围是１０％～１６％．该方法可推广到其它厚度和材质的铝合金钎焊带中,确定它们的最佳包覆率范围．     

带脉冲负载电池储能系统的源载耦合建模

针对带脉冲负载的电池储能系统（battery energy storage system with pulsed load，BESS-PL）源载耦合和脉冲特性建模问题，采用状态空间法和信号平均法分别构建了BESS-PL源载耦合精确模型和平均模型，基于此提出了一种准精确建模方法，对高频分量合理简化，保留了BESS-PL特有的脉冲特性，从而构建BESS-PL源载耦合准精确模型。通过稳定性理论分析和仿真，对比3种BESS-PL源载耦合数学模型的特点和不同适用情况。其中，基于平均模型推导BESS-PL系统的稳态传递函数，利用波特图分析讨论脉冲占空比和DC/DC变换器开关占空比对稳定性的影响规律；结合3种模型仿真，分析了BESS-PL系统关键参量和源载功率的关联规律、脉动特性及占空比对稳定性的影响规律。3种建模方法可灵活用于BESS-PL系统源载耦合特性和脉冲特性的暂稳态分析。