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为了研究三维沟槽电极硅探测器相邻单元之间的相干性的影响因素,根据Ramo定理提出的电信号产生原理,需要观察不同条件下探测器单元中比重场的变化.该文以方形三维沟槽电极硅探测器为研究对象,利用仿真工具Silvaco TCAD仿真出方形三维沟槽电极硅探测器的结构,采取单个最小电离粒子(MIP)从探测器上部垂直入射的方式,通过改变高能粒子入射的位置和探测器的沟槽深度,来研究探测器相邻单元中的比重场变化,进而得出相干性的影响因素. 相似文献
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高粒度时间分辨探测器(HGTD)是ATLAS实验Ⅱ期升级的关键项目.为了应对极高的粒子径迹堆积带来的挑战(每次束流交叉对应的质子-质子对撞数的平均值可高达200)，合作组计划通过精确测量粒子径迹的时间信息(径迹时间分辨可达30 ps)，使得实验能够在“4维”空间中进行粒子径迹到作用顶点的关联.升级项目的传感器选择了可以提供所需的时间分辨率和良好的信噪比的低增益雪崩探测器(LGAD)技术.日本滨松公司(HPK)生产了厚度为35μm和50μm的LGAD原型.中国科学技术大学(USTC)也与中国科学院微电子研究所(IME)合作研发了厚度50μm的LGADs原型.为了评估器件抗辐照性能，样品在JSI反应堆设施中接受了不同剂量的中子辐照，并在USTC进行了测试.通过测量室温(20℃)或-30℃下的电流电压和电容电压曲线测量，对增益层和硅基体损伤的中子辐照效应进行了表征评估.进一步处理提取了不同辐照剂量下的击穿电压和耗尽电压，并呈现为通量的函数,最终对比了不同样品的抗辐照性能参数c系数和α系数.对辐照模型的最终拟合得到的c系数值为HPK-1.2:3.06×10-16cm 相似文献
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