对三维沟槽电极硅探测器漏电流的仿真与模拟

该文研究了漏电流对三维沟槽电极硅探测器性能的影响.由扩散电流、产生电流和表面漏电流三部分电流构成的探测器漏电流在不同情况下受各种电流影响不同.漏电流是影响探测器性能的一个重要因素,在探测器的制造过程中,或者受到辐照以后,会在探测器中形成一系列缺陷,特别是在探测器受到辐照以后,由于深能级缺陷引起的漏电流会显著增加.由仿真可以看出,随着在负极(沟槽壁)上加的电压逐渐增大,漏电流会显著增大,直到漏电流达到饱和.在仿真中主要考虑的是产生电流的影响,其大小主要由耗尽区域的体积决定.     

新型方形三维沟槽半导体探测器的漏电流特性研究

以方形的三维沟槽探测器结构为研究对象,通过对器件的仿真,模拟探测器在不同辐照下的漏电流电学特性.     

互嵌式壳型电极探测器的三维电学性能仿真

提出了一种基于闭合式壳型电极探测器(closed shell-electrode detector,CSED)的互嵌式壳型电极探测器(interleaved shell-electrode detector,ISED,中国专利#zl201721077852.6),通过减少死区来提高电荷收集效率.该文对ISED的新设计理念进行了详细的讨论.利用Silvaco TCAD工具对ISED的电学特性进行了三维模拟,包括电势分布和电场分布.在可形成有效阵列的"组合单元"中,ISED由嵌套的壳型电极引入的死区是CSED中的一半.ISED单元中交错壳型电极引入的对电性能的干扰是最小的,并且低电场区保持在方形单元内的两个对角上.该文还对探测器的全耗尽电压、电容、击穿电压、I-V和C-V特性进行了模拟,并给出了结果 .     

基于PIN硅像素探测器的新型低电容结构设计与仿真

设计的新型低电容硅像素探测器是基于减少有效几何电极面积,同时保持探测器有效体积不变的思想提出的.借助半导体器件仿真软件(Sentaurus TCAD)对探测器的电特性,包括静电势、电场、电子浓度和电容进行了仿真,并与传统硅像素探测器对比,从而得到新型硅像素探测器比传统硅像素探测器电容小的结论 .     

一种新型低电容像素探测器的设计与模拟

该文提出了一种新型的低电容硅像素探测器,其目的就是降低电子噪声.该探测器是一种新的电极几何结构,有效电极面积减小,结构新颖,同时保持敏感部分体积不变.利用三维软件Silvaco TCAD对探测器的各种特性进行了详细的模拟,这些特性包括电场、电势、全耗尽电压和电容.通过这些设计、模拟和计算,与传统探测器比较,得出了新的结论 .     

非均匀基底薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo方法对薄膜生长过程进行了计算机模拟,研究了在有缺陷的基底下,沉积粒子的能量和入射率对薄膜生长的影响.通过模拟发现,随着沉积粒子的能量提高或入射率的降低,沉积在基底上的粒子逐步由各自独立的离散型分布向聚集状态转变形成岛核.分析表明,这些变化是由于能量粒子的介入使得表面粒子的扩散能力增强,而入射率越小,每一步中对应粒子的扩散时间就越长,所以大量粒子能够充分扩散.     

2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究

针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析了数据读写出错的内在机制.结果表明:单粒子入射存储阵列中的字线晶体管时,存储数据未发生翻转,这主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射外围电路中的板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,这主要是因为外围电路产生的单粒子瞬态脉冲造成数据读出出错,进而导致了回写数据翻转.     

硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究

以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用Silvaco TCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。     

超低温下运行的硅探测器（英文）

由于升级版强子对撞机中的最大粒子能量和亮度的增加,我们需要得到在对撞机磁环附近辐射场更精确的分布,因此我们必须把探测器放在磁环的附近以减小碎片对粒子束的影响.欧洲核子中心(CERN-BE-BI-BL,RD39)和俄罗斯Ioffe研究所7年前把硅探测器作为一种选择对其开展了研究工作.由俄罗斯Ioffe研究所制作的探测器在1.9K和4.3K温度下对能量为23GeV的质子实时辐射检测中,得到了探测器的特征并由此发现了新的物理现象.     

探测器单元PAD的单道计数率和strip pattern的研究

探测器单元PAD的单道计数率是阵列探测器长期运行稳定性的一个参量.用单道计数率结合探测器单元整个的strip pattern来综合研究探测器的运行情况,对阵列运行维护和探测器研究都有重要的参考意义.     

部分相干源的多粒子玻色--爱因斯坦关联计算

计算与模拟了高能重离子碰撞中部分相干源的多粒子玻色--爱因斯坦关联,研究了在对称位形条件下,不同相干性程度的关联函数曲线.与两粒子关联相比,多粒子关联对源密度分布更敏感,通过对多粒子玻色--爱因斯坦关联的分析,能够对源密度分布进行细致的研究.     

聚变堆第一壁材料溅射的计算机模拟

用基于两体碰撞近似的蒙特卡罗模拟方法，研究聚变a粒子对反应堆第一壁材料（C，W，B ,SiC及不锈钢Fe073Cr0.18Ni0.09)的溅员伤，着重讨论上述材料溅射产额随入射能量的变化及家它与实验结果的比较，并且给出具有一定能量分布的α粒子 轰击第一壁时，各种材料的溅产额，溅射粒子能谱，角分布和源深度分布，以及β粒子入射角对溅产额的影响，计算结果表明，在相同入射条件下，不锈钢的溅 额较大，其余几种材料的溅射产额几乎相等。     

超低温下运行的硅探测器

由于升级版强子对撞机中的最大粒子能量和亮度的增加，我们需要得到在对撞机磁环附近辐射场更精确的分布，因此我们必须把探测器放在磁环的附近以减小碎片对粒子束的影响欧洲核子中心（CERN BE BI BL，RD39）和俄罗斯Ioffe研究所7年前把硅探测器作为一种选择对其开展了研究工作由俄罗斯Ioffe研究所制作的探测器在1.9 K和4.3 K温度下对能量为23 GeV的质子实时辐射检测中，得到了探测器的特征并由此发现了新的物理现象     

空中侦察系统中红外小目标的被动测距

针对光电对抗系统在红外小目标被动测距中的不足,提出了一种基于目标距离比和方向信息的被动测距算法. 建立了三维空间中的目标和探测器运动模型,通过数学分析构建估计红外小目标距离的一元二次方程,其参数由相邻采样时刻目标到探测器的距离比、探测器自身空间坐标、目标对探测器的方位角及高低角决定. 通过仿真实验和加噪分析验证了该方法的有效性. 文中所提方法表达简单,可避免分母接近于零的情况,适用于机载或弹载双波段红外探测器对小目标的距离估计.     

格子Boltzmann方法在流注放电方程求解中的应用

针对流注放电仿真过程中粒子输运方程求解难的问题,应用格子Boltzmann方法设计更简单计算量更小的求解模型.文中给出了基于D1Q3格子模型的1.5维流注放电仿真模型,电子输运方程和正离子输运方程数值求解方法,并利用该模型对大气压下平板电极间N2气体两种流注发展过程进行了数值仿真,从而证明了利用格子Boltzmann方法对流注放电仿真进行研究的可行性.     

囚禁离子内态的相干导致声子场的压缩

在非Lamb-Dicke近似下,当驱动经典激光场的频率与质心模红边带发生共振时,两个囚禁离子的内态与声子场耦合的动力学可用非线性Jaynes-Cummings模型来描述.当离子的初始内态处于无相干性混合态、振动声子场初始处于真空态时,演化后声子场无压缩性;而当离子的初始内态处于有相干性的迭加纯态、振动声子场初始处于真空态时,演化后声子场将表现出压缩性.在适当的初始条件下,声子场将表现出永久性压缩状态,并且压缩随时间作周期性变化.     

光波场相干性的量子力学描述

本文通过对自由空间电磁场的量子化,给出量子相干函数及用它对光波场相干性的描述.     

基于应变模态的桁架结构损伤识别

选用桁架结构作为研究对象,对一简支桁架建立仿真模型,通过单元刚度的减小模拟损伤变化,用节点位移转变为单元应变的方法,对桁架结构进行损伤识别.经过试验研究,验证了一阶相对应变模态对结构损伤识别的有效性.     

国产硅太阳电池参数的研究

为了研究影响转换效率的因素,对国内有关工厂提供的硅太阳电池片进行了分析研究.     

开关复位型前放芯片CPRE＿SW2的噪声及抗辐射性能测试

介绍了一种匹配冷却型半导体探测器的开关复位型前放芯片CPRE_SW2,探索其三种不同的复位工作模式,实现对探测器信号的预处理,具有高能量分辨率低噪声的优点.给出了芯片的电子学测试过程及与实际探测器联调结果,并针对单粒子锁定效应对芯片进行了辐照试验.