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| 2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究 | |
| 引用本文： | 高占占,钟向丽,侯鹏飞,宋宏甲,李波,王金斌.2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究[J].湘潭大学自然科学学报,2019(4):76-83. |
| 作者姓名： | 高占占 钟向丽 侯鹏飞 宋宏甲 李波 王金斌 |
| 摘 要： | 针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析了数据读写出错的内在机制.结果表明:单粒子入射存储阵列中的字线晶体管时,存储数据未发生翻转,这主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射外围电路中的板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,这主要是因为外围电路产生的单粒子瞬态脉冲造成数据读出出错,进而导致了回写数据翻转. |
| 关 键 词： | 铁电存储单元 单粒子翻转 单粒子瞬态脉冲 |
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