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| 方形三维沟槽电极硅探测器相干性影响因素研究 | |
| 引用本文： | 马阔,廖川,张亚,李正.方形三维沟槽电极硅探测器相干性影响因素研究[J].湘潭大学自然科学学报,2018(4):81-85. |
| 作者姓名： | 马阔 廖川 张亚 李正 |
| 摘 要： | 为了研究三维沟槽电极硅探测器相邻单元之间的相干性的影响因素,根据Ramo定理提出的电信号产生原理,需要观察不同条件下探测器单元中比重场的变化.该文以方形三维沟槽电极硅探测器为研究对象,利用仿真工具Silvaco TCAD仿真出方形三维沟槽电极硅探测器的结构,采取单个最小电离粒子(MIP)从探测器上部垂直入射的方式,通过改变高能粒子入射的位置和探测器的沟槽深度,来研究探测器相邻单元中的比重场变化,进而得出相干性的影响因素. |
| 关 键 词： | 相干性 Ramo定理 比重场 最小电离粒子 |
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