首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13篇
  免费   0篇
综合类   13篇
  2012年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   1篇
  2005年   1篇
  2003年   1篇
  1999年   1篇
  1986年   1篇
排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
美术是人类文化的一个重要组成部分,与社会生活的方方面面有着千丝万缕的联系。通过美术学习使学生掌握一定的知识、技能和技法;认识美术的特征、美术表现的多样性以及美术对社会生活的独特贡献。在初中阶段,美术课的知识点不外乎三方面的内容:欣赏课,技能课和工艺制作课。然而这三方面内容都离不开学生的观察。只有认真进行观察才能进行临摹、创作。因此观察力的培养是美术课的核心。  相似文献   
2.
本文通过对大田试验研究配方肥对大豆生长和产量影响的分析。论述了化肥配施有机肥能促进大豆的生长,适当促进物候期的提前,增加株高和茎粗,显著改善大豆的产量构成,降低空秕率,提高大豆产量。  相似文献   
3.
郭玉芳  郭金刚 《科技资讯》2010,(20):102-102
矿井水净化处理已逐渐被认可,本文结合开滦赵各庄煤矿污水处理厂实际,介绍了矿井水处理的各步骤,其中详细介绍了水的过滤系统,指出了该技术存在的问题,提出了对策措施。  相似文献   
4.
用水杨酸浸渍膜捕集-高效液相色谱(HPLC)法测定介质阻挡放电降解甲苯中羟基自由基(·OH)的生成量.考察了能量密度(S1E)、相对湿度(RH)、背景气氛、催化剂对·OH产生量的影响.实验表明,·OH量随能量密度的增大而增加,能量密度从140J·L-1增至320J·L-1时,·OH量从5.9×1013个·cm-3增加到...  相似文献   
5.
介质阻挡-催化降解甲苯中催化剂的表征研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用介质阻挡放电作为低温等离子体的产生方式,对在低温等离子环境中反应了一段时间后的4种催化剂进行了表征.通过与反应前的表征结果对比,可以看到,催化剂在低温等离子体环境中反应,表面的铝酸盐分解成为金属氧化物;反应后催化剂表面的颗粒变小,分散度提高;有一定的有机物被吸附或沉积在催化剂表面上;Mn氧化物催化剂在发泡镍载体上分散良好,比表面积最大,在电场中Mn的铝酸盐基本完全分解为氧化物,因此催化反应活性最高.  相似文献   
6.
通过探讨多种行之有效的教学方法和途径,在教学实践中积极有效地组织教学活动,多与学生互动,采用"学生讲课式"等教学方法,突出基础理论、应用实践在本课程中的重要作用,以达到预期的教学目标。  相似文献   
7.
采用介质阻挡放电作为低温等离子体的产生方式,研究了湿度在介质阻挡放电降解甲苯中的影响,考察了不同背景气氛以及有无催化剂时湿度对甲苯去除的影响.实验结果表明,无催化剂以及反应气氛中氧的体积分数为5.00%的N2时,最佳湿度为0.20%.无催化剂以及反应气氛中氧的体积分数为0.05%时,水汽的加入降低了对甲苯的去除效率;反应气氛中氧气的体积分数≥5.00%时,水汽的加入提高了对甲苯的去除效率.当有催化剂存在时,水汽的加入降低了对甲苯的去除效率.  相似文献   
8.
郭金刚  郭玉芳 《科技资讯》2010,(20):104-104
赵各庄矿由于奥灰含水层较发育,开采水平深、水压高、突水系数大,属于带压开采。因此,必须要有妥善处理带压开采的技术措施。  相似文献   
9.
采用线板式介质阻挡放电对甲苯进行降解,研究不同背景气氛(不同配比的N2/Ar和N2/O2)下甲苯的降解行为.研究发现,当氮气中加入氩气时,随着N2/Ar中Ar含量的增加,甲苯的降解率迅速升高,而且所需的电场强度大大降低.当背景气体为氩气(含微量氧)时,输入电压仅为4 kV,甲苯的降解率就可达98.1%.在N2/Ar中甲苯一部分转化为CO和CO2,其他为一些副产物,如HCN,CH4,C2H6,C12H26等.在N2/O2气氛下,氧的体积分数为2%左右时甲苯的降解效率最高,甲苯几乎完全被氧化为CO和CO2,副产物仅为O3.  相似文献   
10.
以Ti(OC4H9)4为原料,采用Sol-gel法制备TiO2溶胶,通过浸渍提拉法涂覆在玻璃(或陶瓷)片上,可以得到晶粒为12.5~18.7nm的纳米薄膜,这种涂膜具有较强的光催化活性.以TiCl4为原料,采用水热沉淀法制备的纳米TiO2粉体,具有粒径为10.3~25.7nm,437m2/cm3的巨大比表面.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号