在不同热氧化条件下SiO2—Si结构的电子辐射效应研究

利用２ＭＶ电子静电加速器,研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２－Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照ＳｉＯ２－Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄｏｘ＾２成正比。由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干Ｎ２热退火的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。     

高温退火气氛对Denuded Zones的影响

由DZ宽度与退火时间和温度的关系曲线,测定了含氧硅在N_2、O_2、O_2~+5％HCI气氛中退火时硅中间隙氧的外扩散激活能。实验表明:在氧化气氛中退火,有利于原始硅片中潜在微缺陷的消除和推迟间隙氧的沉淀,增强间隙氧的外扩散,可获得较宽的DZ.     

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．     

硅热氧化堆垛层错的生长和收缩

本文对P型(100)无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=kt~nexp(~-E/KT).对于干氧氧化,n和E分别为0.62和2.08±0.1ev;对于湿氧氧化,n和E分别为0.8和2.11±0.2ev.用S—450扫描电子显微镜对层错的生长过程进行了观察.热氧化长入硅中的层错分别在高温干氮气氛中和C_2HCI_3/O_2气氛中热处理时收缩、测得相应的层错收缩激活能分别为4.37ev和3.55ev.在干氧中加入洽当的C_2HCI_3氧化,可完全不产生氧化层错.在氧化前硅片用化学抛光处理或在干N_2中热处理能将层错密度降低2—3个数量级.     

聚硅烷—一种新亚微米高分辨光致蚀刻剂

采用聚甲基苯乙基硅烷－酚醛酯脂双层工艺，用３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光作曝光光源，经Ｏ２等离子体处理，实现了亚微米图形尺寸的转移。     

硅热氧化层错的生长动力学关系式

一、引言硅热氧化层错是在硅器件热氧化工艺中产生的一种二次缺陷,它是由1/3[111]Frank不全位错环围绕的非本征填隙型层错。由于它对硅器件质量有显著影响,因而引起了器件工作者和材料工作者的普遍重视。已用各种技术对硅热氧化层错的结构形貌进行了研究,先后提出了各式各样的层错核化,生长模型,积累了许多层错生长动力学数据。但是,迄今还没有一个模型能成功地定量描写硅的热氧化层错的生长规律。1974年S·M·Hu给出了层错生长长度与氧化时间的解析式,预示了层错长度的抛物     

高温热解聚硅烷制备SiC薄膜初探

用组合成的可溶性聚硅烷１７１０Ａ作涂膜材料,进行不同温度的真空热解或高纯氮下热解实验。通过ＩＲ谱和ＸＰＳ谱分析,在７９０－８１０ｃｍ＾－１和１２７０ｃｍ＾－１红外吸收特征峰分别对应Ｓｉ－ＣＨ３摇摆振动和伸缩振动吸收峰,ＸＰ－Ｓｉ谱给出Ｓｉ（２Ｐ）结合能力为１０１．６ｅＶ,ＣＩＳ为２８４．３ｅＶ,证明有α－ＳｉＣ：Ｈ生成。     

聚硅烷在XeCl准分子激光作用下光降解及亚微米光刻的研究

采用３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光研究了聚硅烷溶液和聚硅烷薄膜的光降解反应，利用玻璃片为基底，旋转涂布，分别以酚醛树脂和聚氨酯为平坦层，以聚硅烷为成像层和阻挡层，构成双层工艺，进行接近式曝光，用混合溶剂显影，并通过Ｏ２－ＲＩＥ处理，最终得到了亚微米的光刻图形。     

温度传感器非线性误差的理论分析及其实验研究

通过导出的温度传感器的温度－电压特性线性化电路参数Ｒｓ和Ｒｆ应满足的方程组，在（Ｒｓ，Ｒｆ）变数平面内对该方程组的性质进行了分析，并提出了求解这一方面组的数值计算方法和计算传感器非线性误差的理论公式，其理论计算与实验结果吻合较好。     

一种制备SiO2膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层

作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088cm-1范围变化；XPS谱给出Si2p的结合能为103．3～103．5eV，硅氧原子比为1：1．99；激光椭园偏振仪测得折射率在1．30～1．55范围；MOS电容的高频C-V特性曲线表明，平带电压为正，计算得氧化物电荷的电性为负，密度为6．6×1010～8．8×1011cm-2，其大小可以通过改变处理条件进行控制；BT实验表明，可动电荷密度为(3～6)×1010cm-2，这种新型的SiO2膜可望在微电子器工艺中得到应用．