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1.
利用变分法讨论势垒厚度对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚、杂质位置和磁场强度的变化关系,并与无限深势阱量子阱和无限厚势垒量子阱两种情形的结果进行了比较.结果表明,在小阱宽下,有限高势垒时的结合能明显小于无限高势垒情形,有限厚势垒时的结合能大于无限厚势垒情形.随着阱宽增加,三种情形下结合能的差异逐渐减小.磁场的约束显著地影响着杂质态结合能,其值随着外磁场的增大而单调增加.在以后的工作中,应考虑本文对势垒的修正. 相似文献
2.
压力下半导体GaAs的电子表面态 总被引:1,自引:0,他引:1
使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本征表面态的影响,数值结果表明,随压力增加电子表面态能级明显向上移动,且电子趋近表面。 相似文献
3.
用类Lee-Low-Pines中间耦合方法讨论了在有限温度情形极性-极性半导体异质结中界面极化子的性质.在二维近似下,得到了两支界面光学声子模影响下的极化子能量和有效质量的解析表达式.结果表明:极化子效应随温度的升高而减弱,并发现极化子能量较其有效质量对温度更为敏感.数值结果表明温度效应对某些Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结是重要的,但对Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结是不重要的. 相似文献
4.
采用介电连续模型,计及晶格应变对材料物理参数的影响,利用费米黄金定则讨论闪锌矿GaN/GaxIn1-xN应变异质结中四支光学声子对电子的散射.计算结果表明,该异质结中对总散射率的贡献主要来自沟道材料的体纵光学声子;考虑电子吸收声子过程时,晶格应变对总散射率有较大影响. 相似文献
5.
本文讨论一维晶体中强耦合激子通过形变势和声学声子相互作用。定义了一个激子—声子耦合常数α_0=(α_1~(1/2)β_2-gα_2~(1/2)β_1)~2,导出了激子基态的有效哈密顿量。 相似文献
6.
Shallow Impurity States in Ternary Mixed Crystals 总被引:1,自引:1,他引:0
利用微扰-变分法研究了极性三元混晶中束缚在浅库仑杂质中心的极化子.采用改进的无序元胞独立位移模型和有效声子模近似,计及电子和两支光学声子的相互作用,导出了极化子基态能量和束缚能量随组分变化的解析解,分析了声子屏蔽、质量重整化和自陷效应.对若干三元混晶的数值计算结果表明:声子屏蔽效应占主要作用;电子声子的相互作用减小了束缚极化子的束缚能.发现声子对束缚能的贡献随组分的变化是非单调的.讨论了有效声子模方法的有效性和适用范围 相似文献
7.
本文用作者之一提出的电子—空穴有效势计算了TlCl和TlBr中激子的结合能,得到了与实验符合较好的结果。 相似文献
8.
对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑电子、杂质与声子的相互作用,利用改进的LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量,对Zn1-xCdSe/ZnSe系统的杂质态结合能进行了数值计算,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系,结果表明,杂质-声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负。 相似文献
9.
本文讨论准一维聚合物中的一维电子通过形变势与三维声学声子相互作用。对弱耦合和中间耦合情形,导出了极化子基态能量和有效质量。结果表明,在这种混合维数模型中,可形成稳定的极化子。 相似文献
10.
考虑三元混晶效应,采用变分法计算GaAs/AlxGa1-xAs非对称耦合双量子阱中激子的结合能及其尺寸和压力效应.结果表明:由于双阱的耦合作用,激子结合能表现出与对称情形显著不同的性质,随着阱宽的非对称变化,激子类型可在直接型和间接型之间相互转化.在中间垒厚取较小的固定值时,结合能随左阱宽的增加先减小到一极小值,后增大再减小;随着中间垒厚的增加,结合能最初展现微弱震荡变化,然后突然减小.结合能随Al组分和压力影响均受双阱的耦合和对称性影响较大. 相似文献