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| 磁场下有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能 | |
| 引用本文： | 张雪枫,班士良.磁场下有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2013(4):376-381. |
| 作者姓名： | 张雪枫 班士良 |
| 作者单位： | 内蒙古大学物理科学与技术学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.61274098) |
| 摘 要： | 利用变分法讨论势垒厚度对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚、杂质位置和磁场强度的变化关系,并与无限深势阱量子阱和无限厚势垒量子阱两种情形的结果进行了比较.结果表明,在小阱宽下,有限高势垒时的结合能明显小于无限高势垒情形,有限厚势垒时的结合能大于无限厚势垒情形.随着阱宽增加,三种情形下结合能的差异逐渐减小.磁场的约束显著地影响着杂质态结合能,其值随着外磁场的增大而单调增加.在以后的工作中,应考虑本文对势垒的修正. |
| 关 键 词： | 有限厚势垒 GaAs/AlxGa1-xAs量子阱 杂质态结合能 磁场 |
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